전화 : +86-0755-83501315
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![]() | ALS70A184QM063 | 55.2248 | ![]() | 6312 | 0.00000000 | 케멧 | ALS70 | 대부분 | 활동적인 | 180000 µF | ± 20% | 63 v | 7mohm @ 100Hz | 20000 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 35.1 a @ 100 Hz | 37.1 a @ 10 kHz | 8 Mohms | 1.252 "(31.80mm) | 3.543 "DIA (90.00mm) | 5.236 "(133.00mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | ALS70A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 8 | ||
![]() | lnt2e103msen | 76.8050 | ![]() | 7184 | 0.00000000 | 니치콘 | lnt | 대부분 | 활동적인 | 10000 µf | ± 20% | 250 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -25 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 9.6 a @ 120 Hz | 11.52 a @ 10 kHz | 1.252 "(31.80mm) | 3.543 "DIA (90.00mm) | 5.630 "(143.00mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 5 | ||||
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![]() | B43564B9228M003 | - | ![]() | 1158 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43564 | 대부분 | 활동적인 | 2200 µF | ± 20% | 400 v | 72mohm @ 100Hz | 15000 시간 @ 85 ° C | -25 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 7.9 a @ 100 Hz | 58 Mohms | 1.122 "(28.50mm) | 2.532 "dia (64.30mm) | 3.217 "(81.70mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 50 | ||||
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![]() | RZW562M1CBK-1832S | 0.9262 | ![]() | 4792 | 0.00000000 | 급등하다 | RZW | 가방 | 활동적인 | 5.6 MF | ± 20% | 16 v | - | 10000 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.919 a @ 120 Hz | 4.17 A @ 100 kHz | 15 Mohms | 0.295 "(7.50mm) | 0.709 "DIA (18.00mm) | 1.319 "(33.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 4403-RZW562M1CBK-1832S | 귀 99 | 8532.22.0020 | 100 | |||
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![]() | lnt2h472msej | 129.2940 | ![]() | 6086 | 0.00000000 | 니치콘 | lnt | 대부분 | 활동적인 | 4700 µF | ± 20% | 500 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -25 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 16.3 a @ 120 Hz | 22.82 A @ 10 kHz | 1.252 "(31.80mm) | 3.543 "DIA (90.00mm) | 6.024 "(153.00mm) | - | 섀시 섀시 | 방사형, 나사 - 캔 터미널 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8532.22.0085 | 5 | ||||
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B41858D5478M000 | 3.1000 | ![]() | 435 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B41858 | 대부분 | 활동적인 | 4700 µF | ± 20% | 25 v | 21mohm @ 10khz | 5000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 자동차 | 3.539 A @ 100 kHz | 20 Mohms | 0.295 "(7.50mm) | 0.709 "DIA (18.00mm) | 1.319 "(33.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 100 | |||||
![]() | eee-fn1a152uv | 1.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | fn, 진동 반 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 1500 µF | ± 20% | 10 v | 80mohm @ 100khz | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 자동차 | 595 ma @ 120 Hz | 850 ma @ 100 kHz | - | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.425 "(10.80mm) | 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | eee-fn | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 | |||
![]() | LPX182M160H7P3 | - | ![]() | 7624 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | LPX | 대부분 | 활동적인 | 1800 µF | ± 20% | 160 v | 111mohm @ 120Hz | 1000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 3.7 a @ @ 120 Hz | 4.07 a @ 50 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 1.378 "DIA (35.00mm) | 1.575 "(40.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 70 | ||||
![]() | EKMZ421VSN271MR25S | 5.8037 | ![]() | 1826 | 0.00000000 | 화학 화학 | KMZ | 상자 | 활동적인 | 270 µF | ± 20% | 420 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.28 a @ 120 Hz | 1.8304 a @ 50 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.083 "(27.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 200 | ||||
MAL21562332E3 | 7.2602 | ![]() | 3791 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | 156 Pum-Si | 대부분 | 활동적인 | 3300 µF | ± 20% | 80 v | 155mohm @ 100Hz | 5000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 2.92 A @ 100 Hz | 152 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 0.984 "DIA (25.00mm) | 1.654 "(42.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 100 | |||||
![]() | Malreka00aa168ll0k | - | ![]() | 8218 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | 에카 | 대부분 | 쓸모없는 | 6.8 µF | ± 20% | 100 v | 15.6ohm @ 120Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 60 ma @ 120 Hz | 0.079 "(2.00mm) | 0.197 "dia (5.00mm) | 0.492 "(12.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 2,000 | |||||
![]() | EEE-TC1C331P | 1.0500 | ![]() | 6220 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | TC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 330 µf | ± 20% | 16 v | 150mohm @ 100khz | 125 ° C @ 3000 시간 | -40 ° C ~ 125 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 자동차, 리플 고온 로우 | 487.5 ma @ 120 Hz | 750 ma @ 100 kHz | - | 0.394 "dia (10.00mm) | 0.413 "(10.50mm) | 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | EEE-TC | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 500 | |||
![]() | B43698S5156Q1 | - | ![]() | 1514 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43698 | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | - | 범용 | - | - | - | - | 구멍을 구멍을 | 축, 수 할 있습니다 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1 | ||||||||
![]() | EEU-FR1A471 | 0.6200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | FR-A | 대부분 | 활동적인 | 470 µF | ± 20% | 10 v | - | 6000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 712.5 ma @ 120 Hz | 950 ma @ 100 kHz | 56 Mohms | 0.138 "(3.50mm) | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.512 "(13.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | eeu-fr | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 200 | ||
![]() | M39018/03-0605 | - | ![]() | 3033 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 10 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고