SIC
close

알루미늄 알루미늄 커패시터 (128163)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
UKT1C221MED1TA Nichicon ukt1c221med1ta -
RFQ
 ECAD 9914 0.00000000 니치콘 ukt 테이프 & t (TB) 쓸모없는 220 µF ± 20% 16 v - 1000 @ @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 오디오 190 ma @ 120 Hz 285 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
B43540A9107M000 EPCOS - TDK Electronics B43540A9107M000 4.9200
RFQ
 ECAD 3836 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43540 대부분 새로운 새로운 아닙니다 100 µf ± 20% 400 v 640mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.04 a @ 100 Hz 760 Mohms 0.394 "(10.00mm) 0.984 "DIA (25.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 130
336TMA450M Cornell Dubilier / Illinois Capacitor 336TMA450m 2.4073
RFQ
 ECAD 5428 0.00000000 Cornell Dubilier / Illinois 커패시터 TMA 대부분 활동적인 33 µF ± 20% 450 v 12.56ohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 160 ma @ 120 Hz 320 ma @ 50 kHz - 0.709 "DIA X 1.575"L (18.00mm x 40.00mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 50
REH0816100M200K KYOCERA AVX ReH0816100M200K 0.3500
RFQ
 ECAD 7864 0.00000000 Kyocera avx reh 테이프 & tr (TR) 활동적인 10 µF ± 20% 200 v - 2000 시간 @ 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 12.3 ma @ 120 Hz 82 ma @ 100 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.630 "(16.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 950
UHV1V271MPD1TA Nichicon uhv1v271mpd1ta 0.1792
RFQ
 ECAD 5512 0.00000000 니치콘 UHV 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 270 µF ± 20% 35 v - 6000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 665 ma @ 120 Hz 1.33 A @ 100 kHz 46 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.650 "(16.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
E36D451HPN682MEE3M Chemi-Con E36D451HPN682MEE3M -
RFQ
 ECAD 9940 0.00000000 화학 화학 U36D 대부분 쓸모없는 6800 µF ± 20% 450 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.250 "(31.75mm) 3.000 "dia (76.20mm) 5.625 "(142.88mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 16
AEB335M2WK32B-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) AEB335M2WK32B-F -
RFQ
 ECAD 6711 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) AEB 대부분 쓸모없는 3.3 µF ± 20% 450 v - 4000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 20.5 ma @ 120 Hz 41 ma @ 100 kHz 7 옴 - 0.394 "dia (10.00mm) 0.650 "(16.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 300
B43510A9158M000 EPCOS - TDK Electronics B43510A9158M000 -
RFQ
 ECAD 5562 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43510 대부분 활동적인 1500 µF ± 20% 400 v 50mohm @ 100Hz 5000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 6.84 A @ 100 Hz 60 Mohms 0.984 "(25.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 4.016 "(102.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 72
PEG126MJ368EQE1 KEMET PEG126MJ368EQE1 5.7503
RFQ
 ECAD 3986 0.00000000 케멧 * 상자 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 125
35MH522MEFC6.3X5 Rubycon 35MH522MEFC6.3X5 0.0869
RFQ
 ECAD 5820 0.00000000 루비콘 MH5 대부분 새로운 새로운 아닙니다 22 µF ± 20% 35 v - 1000 @ @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 48 MA @ 120 Hz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.256 "(6.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 3,000
ESE106M035AC3DA KEMET ESE106M035AC3DA 0.0440
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 케멧 * 테이프 & t (TB) 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
E36D500HPN242UA54U Chemi-Con E36D500HPN242UA54U 14.1600
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 화학 화학 U36D 대부분 활동적인 2.4 MF -10%, +75% 50 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 0.500 "(12.70mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 2.126 "(54.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 적용 적용 수 할 565-E36D500HPN242UA54U 귀 99 8532.22.0040 100
B43713E2478M000 EPCOS - TDK Electronics B43713E2478M000 52.6190
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43713 대부분 활동적인 4700 µF ± 20% 250 v 28mohm @ 100Hz 15000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 11.2 a @ 100 Hz 50 Mohms 0.874 "(22.20mm) 2.031 "DIA (51.60mm) 5.185 "(131.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 495-B43713E2478M000 귀 99 8532.22.0085 72
SLPX473M016H7P3 Cornell Dubilier Electronics (CDE) SLPX473M016H7P3 2.7172
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) SLPX 대부분 활동적인 47000 µF ± 20% 16 v 14mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 6.89 A @ 120 Hz 8.61 A @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.575 "(40.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 40
B41570E7479Q000 EPCOS - TDK Electronics B41570E7479Q000 -
RFQ
 ECAD 2784 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41570 대부분 쓸모없는 47000 µF -10%, +30% 40 v 8mohm @ 100Hz 20000 @ 105 ° C - 극선 - 범용 17 a @ 100 Hz 8 Mohms 1.122 "(28.50mm) 2.532 "dia (64.30mm) 4.201 "(106.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 25
ALC40C102EL400 KEMET ALC40C102EL400 16.2425
RFQ
 ECAD 5658 0.00000000 케멧 ALC40 대부분 활동적인 1000 µF ± 20% 400 v 118mohm @ 100Hz 9000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 4.85 A @ 100 Hz 10.16 a @ 10 kHz 73 Mohms 0.886 "(22.50mm) 1.575 "DIA (40.00mm) 3.228 "(82.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 -snap -in -4 리드 ALC40C 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 36
ALS70G752NF400 KEMET ALS70G752NF400 53.6350
RFQ
 ECAD 6298 0.00000000 케멧 ALS70 대부분 활동적인 7500 µF ± 20% 400 v 29mohm @ 100Hz 20000 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 16.4 a @ 100 Hz 23 a @ 10 kHz 19 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.031 "DIA (77.00mm) 4.213 "(107.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 ALS70G 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 12
TCG412U015N1L Cornell Dubilier Electronics (CDE) TCG412U015N1L -
RFQ
 ECAD 4618 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) TCG 대부분 쓸모없는 4100 µF -10%, +75% 15 v 83mohm @ 120Hz 1000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.544 A @ 120 Hz 2.9 a @ 2.4 kHz - 1.000 "dia x 1.625"L (25.40mm x 41.28mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 1
MAL205675223E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL205675223E3 7.9245
RFQ
 ECAD 5281 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 056 PSM-SI 테이프 & t (TB) 활동적인 22000 µF ± 20% 16 v 33mohm @ 100Hz 12000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 오디오 4.51 A @ 100 Hz 28 Mohms 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.654 "(42.00mm) - 구멍을 구멍을 Radial, can -snap -in -3 리드 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 100
UVR2A010MDA Nichicon UVR2A010MDA -
RFQ
 ECAD 8000 0.00000000 니치콘 UVR 대부분 쓸모없는 1 µF ± 20% 100 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 21 ma @ 120 Hz 42 ma @ 10 kHz 0.079 "(2.00mm) 0.197 "dia (5.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
B41231A6568M000 EPCOS - TDK Electronics B41231A6568M000 1.7267
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41231 대부분 활동적인 5600 µF ± 20% 50 v - 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 4.26 A @ 120 Hz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 1.850 "(47.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 320
ESE475M250AG3DA KEMET ESE475M250AG3DA 0.0963
RFQ
 ECAD 7168 0.00000000 케멧 * 테이프 & t (TB) 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
ESK108M050AL4EA KEMET ESK108M050AL4EA 0.3498
RFQ
 ECAD 5605 0.00000000 케멧 * 테이프 & t (TB) 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 500
PEH169YO4100MB2 KEMET PEH169YO4100MB2 59.9940
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 케멧 * 상자 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 16
MAL214650182E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL214650182E3 1.9782
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 146 RTI 대부분 활동적인 1800 µF ± 20% 35 v - 5000 시간 @ 125 ° C -55 ° C ~ 125 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 2.5 A @ 100 kHz 24 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.630 "dia (16.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 4492phbk 귀 99 8532.22.0020 250
ELZA350ELL222MM20S Chemi-Con ELZA350ELL222MM20S 1.2816
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 화학 화학 LZA 대부분 활동적인 2.2 MF ± 20% 35 v - 7000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 1.98 A @ 120 Hz 2.64 A @ 100 kHz 25 Mohms 0.295 "(7.50mm) 0.709 "DIA (18.00mm) 0.787 "(20.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - 565-ELZA350ELL2222M20S 귀 99 8532.22.0020 1,000
EKZE250ETC101MF11D Chemi-Con ekze250etc101mf11d 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 화학 화학 kze 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 µf ± 20% 25 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 126 MA @ 120 Hz 405 ma @ 100 kHz 130 Mohms 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,000
LNU2H562MTEJ Nichicon lnu2h562mtej 144.1280
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 니치콘 LNU 대부분 활동적인 5600 µF ± 20% 500 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 15.8 A @ 120 Hz 22.12 A @ 10 kHz 1.252 "(31.80mm) 3.543 "DIA (90.00mm) 5.827 "(148.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0085 5
MAL210252102E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL210252102E3 21.4583
RFQ
 ECAD 6989 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 102 Phr-St 대부분 활동적인 1000 µF ± 20% 200 v 144mohm @ 100Hz 10000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 4.4 A @ 100 Hz 95 Mohms 0.504 "(12.80mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 3.413 "(86.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 50
UCW0J470MNL1GS Nichicon UCW0J470MNL1GS -
RFQ
 ECAD 4879 0.00000000 니치콘 UCW 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 6.3 v - 7000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 47.5 ma @ 120 Hz 95 MA @ 100 kHz - 0.197 "dia (5.00mm) 0.287 "(7.30mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다