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알루미늄 알루미늄 커패시터 (128163)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 정전 정전 용인 전압 - 평가 esr (시리즈 동등한 저항 저항) @ @ temp. 작동 작동 편광 등급 응용 응용 Ripple current @ 저주파 Ripple current @ 고주파 임피던스 리드 리드 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 표면 표면 토지 마운트 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준
ALS71H361DA500 KEMET ALS71H361DA500 8.9248
RFQ
 ECAD 6307 0.00000000 케멧 ALS71 대부분 활동적인 360 µF ± 20% 500 v 691mohm @ 100Hz 11000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 2.6 A @ 100 Hz 5.1 a @ 10 kHz 520 Mohms 0.504 "(12.80mm) 1.417 "DIA (36.00mm) 2.126 "(54.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 ALS71H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 50
UMV0J101MFD Nichicon UMV0J101MFD -
RFQ
 ECAD 8170 0.00000000 니치콘 음 대부분 쓸모없는 100 µf ± 20% 6.3 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 60 ma @ 120 Hz 90 ma @ 10 kHz 0.098 "(2.50mm) 0.248 "dia (6.30mm) 0.236 "(6.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 200
EEV686M035A9HAA KEMET EEV686M035A9HAA 0.6200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 케멧 EEV 테이프 & tr (TR) 활동적인 68 µF ± 20% 35 v 340mohm @ 100khz 2000 년 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 196 ma @ 120 Hz 280 ma @ 100 kHz 340 Mohms - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd EEV686M 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
ESMM451VSN471MR50U Chemi-Con esmm451vsn471mr50u -
RFQ
 ECAD 9685 0.00000000 화학 화학 smm 대부분 활동적인 470 µF ± 20% 450 v 705mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 2.65 A @ 120 Hz 3.7895 a @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 2.047 "(52.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 565-ESMM451VSN471MR50U 귀 99 8532.22.0040 200
B41866C8158M004 EPCOS - TDK Electronics B41866C8158M004 -
RFQ
 ECAD 7436 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 - 대부분 쓸모없는 - 495-B41866C8158M004 귀 99 8532.22.0020 1
ELG109M050AT4AA KEMET ELG109M050AT4AA 3.6465
RFQ
 ECAD 4059 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
E82D451VRT331MB30N Chemi-Con E82D451VRT331MB30N -
RFQ
 ECAD 8100 0.00000000 화학 화학 82d 대부분 쓸모없는 - - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 128
ESZ226M200AH4AA KEMET ESZ226M200AH4AA -
RFQ
 ECAD 4044 0.00000000 케멧 * 대부분 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 2,400
MVA63VC3R3ME55TP Chemi-Con MVA63VC3R3ME55TP -
RFQ
 ECAD 9439 0.00000000 화학 화학 MVA 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 3.3 µF ± 20% 63 v 60.273ohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 17 ma @ 120 Hz - 0.197 "dia (5.00mm) 0.205 "(5.20mm) 0.209 "L x 0.209"W (5.30mm x 5.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 1,000
EKMM201VSN122MA35S Chemi-Con EKMM201VSN122MA35S -
RFQ
 ECAD 3514 0.00000000 화학 화학 kmm 대부분 활동적인 1200 µF ± 20% 200 v 207mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.65 A @ 120 Hz 3.975 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
600D157G050DL5 Vishay Sprague 600D157G050DL5 129.9555
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 Vishay Sprague 600D 쟁반 활동적인 150 µF - 50 v - - -55 ° C ~ 125 ° C 극선 - 범용 - 0.375 "dia x 2.187"L (9.53mm x 55.56mm) - - 구멍을 구멍을 축, 수 할 있습니다 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 귀 99 8532.22.0020 80
SMH35VS273M35X50T2 United Chemi-Con SMH35VS273M35X50T2 -
RFQ
 ECAD 2562 0.00000000 United Chemi-Con smh 쟁반 쓸모없는 27000 µF ± 20% 35 v 15mohm @ 120Hz 2000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 6.89 A @ 120 Hz 7.4412 a @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.969 "(50.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 - rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
25TXV47M6.3X8 Rubycon 25TXV47M6.3X8 0.7000
RFQ
 ECAD 4586 0.00000000 루비콘 TXV 테이프 & tr (TR) 활동적인 47 µF ± 20% 25 v 300mohm 125 ° C -40 ° C ~ 125 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 70 ma @ 120 Hz 140 ma @ 100 kHz - 0.248 "dia (6.30mm) 0.315 "(8.00mm) 0.260 "L x 0.260"W (6.60mm x 6.60mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 900
B43231D9187M EPCOS - TDK Electronics B43231D9187M -
RFQ
 ECAD 9093 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43231 대부분 활동적인 180 µF ± 20% 400 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 1.28 a @ 120 Hz 1.984 A @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.378 "DIA (35.00mm) 1.063 "(27.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43231D9187M000 귀 99 8532.22.0040 120
B41456B5229M000 EPCOS - TDK Electronics B41456B5229M000 -
RFQ
 ECAD 3337 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41456 대부분 쓸모없는 22000 µF ± 20% 25 v 25mohm @ 100Hz 12000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 7.7 a @ 100 Hz 20 Mohms 0.500 "(12.70mm) 1.406 "DIA (35.70mm) 2.232 "(56.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 36
MAL203850221E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components MAL203850221E3 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 038 RSU 대부분 쓸모없는 220 µF ± 20% 35 v - 2500 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C - - 범용 519.8 ma @ 10 kHz 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.492 "(12.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0020 5,000
B43504E2108M60 EPCOS - TDK Electronics B43504E2108M60 -
RFQ
 ECAD 3050 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43504 대부분 활동적인 1000 µF ± 20% 200 v 130mohm @ 100Hz 3000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.4 a @ 100 Hz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.457 "(37.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 320
EKMM421VSN101MR20S Chemi-Con EKMM421VSN101MR20S -
RFQ
 ECAD 5067 0.00000000 화학 화학 kmm 대부분 활동적인 100 µf ± 20% 420 v 3.315ohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 590 ma @ 120 Hz 843.7 ma @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
B43564E2338M EPCOS - TDK Electronics B43564E2338M -
RFQ
 ECAD 5432 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43564 대부분 활동적인 3300 µF ± 20% 200 v 60mohm @ 100Hz 15000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 7.9 a @ 100 Hz 48 Mohms 0.874 "(22.20mm) 2.032 "DIA (51.60mm) 3.217 "(81.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43564E2338M000 귀 99 8532.22.0085 72
EEE-HB1C331P Panasonic Electronic Components EEE-HB1C331P 0.2573
RFQ
 ECAD 3737 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 HB 테이프 & tr (TR) 활동적인 330 µf ± 20% 16 v - 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 230 ma @ 120 Hz 391 ma @ 10 kHz - 0.394 "dia (10.00mm) 0.413 "(10.50mm) 0.406 "L x 0.406"W (10.30mm x 10.30mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 귀 99 8532.22.0020 500
B41456B7159M000 EPCOS - TDK Electronics B41456B7159M000 11.9400
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B41456 대부분 쓸모없는 15000 µF ± 20% 40 v 27mohm @ 100Hz 12000 시간 @ 85 ° C -40 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 8.3 a @ 100 Hz 24 Mohms 0.500 "(12.70mm) 1.406 "DIA (35.70mm) 3.217 "(81.70mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0055 36
EKMM161VNN102MR30T Chemi-Con EKMM161VNN102MR30T -
RFQ
 ECAD 1217 0.00000000 화학 화학 kmm 대부분 쓸모없는 1000 µF ± 20% 160 v 249mohm @ 120Hz 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.25 A @ 120 Hz 3.375 a @ 50 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.181 "DIA (30.00mm) 1.181 "(30.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 - rohs 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
UCM1J122MNJ1MS Nichicon ucm1j122mnj1ms 4.6200
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 니치콘 UCM 테이프 & tr (TR) 활동적인 1200 µF ± 20% 63 v - 5000 시간 @ 105 ° C -55 ° C ~ 105 ° C 극선 AEC-Q200 자동차 1.215 A @ 120 Hz 2.43 a @ 100 kHz 54 Mohms - 0.709 "DIA (18.00mm) 0.886 "(22.50mm) 0.752 "L x 0.752"W (19.10mm x 19.10mm) 표면 표면 방사형, s -smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8532.22.0020 75
S13490-78 Cornell Dubilier Electronics (CDE) S13490-78 -
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 Cornell Dubilier Electronics (CDE) - 대부분 쓸모없는 - 338-S13490-78 쓸모없는 1
KMH10VN223M25X35T2 United Chemi-Con KMH10VN223M25X35T2 -
RFQ
 ECAD 4852 0.00000000 United Chemi-Con KMH 쟁반 쓸모없는 22000 µF ± 20% 10 v 38mohm @ 120Hz 2000 년 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 2.54 A @ 120 Hz 2.7432 A @ 100 kHz 0.394 "(10.00mm) 1.000 "dia (25.40mm) 1.378 "(35.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0040 200
6.3YXS1200MEFC8X16 Rubycon 6.3YXS1200MEFC8X16 0.6300
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 루비콘 YXS 대부분 활동적인 1200 µF ± 20% 6.3 v - 5000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 630 ma @ 120 Hz 1.05 a @ 100 kHz 69 Mohms 0.138 "(3.50mm) 0.315 "dia (8.00mm) 0.689 "(17.50mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 캔 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 1189-6.3YXS1200MEFC8X16 귀 99 8532.22.0020 1,000
ALS80H754QP025 KEMET ALS80H754QP025 61.0275
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 케멧 ALS80 대부분 활동적인 750000 µF ± 20% 25 v 100Hz @ 6ohm 9000 시간 @ 105 ° C -40 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 32.8 a @ 100 Hz 33.6 a @ 10 kHz 8 Mohms 1.252 "(31.80mm) 3.543 "DIA (90.00mm) 5.827 "(148.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 ALS80H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 8
ERHB631LGC222MEB5M Chemi-Con ERHB631LGC222MEB5M 91.6935
RFQ
 ECAD 7602 0.00000000 화학 화학 RHB 대부분 활동적인 2.2 MF ± 20% 630 v - 2000 시간 @ 85 ° C -25 ° C ~ 85 ° C 극선 - 범용 7.8 A @ 120 Hz 10.92 a @ 3 kHz 1.240 "(31.50mm) 3.000 "dia (76.20mm) 4.528 "(115.00mm) - 섀시 섀시 방사형, 나사 - 캔 터미널 - 565-ERHB631LGC222MEB5M 귀 99 8532.22.0085 20
PEH169HJ547VMB2 KEMET PEH169HJ547VMB2 36.7992
RFQ
 ECAD 8438 0.00000000 케멧 * 상자 활동적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8532.22.0085 24
B43254A4566M EPCOS - TDK Electronics B43254A4566M -
RFQ
 ECAD 5324 0.00000000 epcos -tdk 전자 장치 B43254 대부분 활동적인 56 µF ± 20% 350 v - 3000 시간 @ 105 ° C -25 ° C ~ 105 ° C 극선 - 범용 370 ma @ 120 Hz 573.5 ma @ 20 kHz 0.394 "(10.00mm) 0.866 "DIA (22.00mm) 0.866 "(22.00mm) - 구멍을 구멍을 방사형, 스냅인 - 캔 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 B43254A4566M000 귀 99 8532.22.0040 320
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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