전화 : +86-0755-83501315
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![]() | ELXY350EMC121MH12S | 0.2171 | ![]() | 8993 | 0.00000000 | 화학 화학 | lxy | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 120 µF | ± 20% | 35 v | - | 3000 시간 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 자동차 | 178 ma @ 120 Hz | 445 ma @ 100 kHz | 170 Mohms | 0.138 "(3.50mm) | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.531 "(13.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | |||
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![]() | EEE-HB1H3R3SR | 0.0808 | ![]() | 6901 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | HB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 3.3 µF | ± 20% | 50 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 자동차 | 16 ma @ 120 Hz | 27.2 ma @ 10 kHz | - | 0.157 "DIA (4.00mm) | 0.217 "(5.50mm) | 0.169 "LX 0.169"W (4.30mm x 4.30mm) | 표면 표면 | 방사형, s -smd | 다운로드 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 2,000 | |||||||
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![]() | B43305C2687M67 | - | ![]() | 9440 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B43305 | 대부분 | 활동적인 | 680 µF | ± 20% | 200 v | 190mohm @ 100Hz | 2000 시간 @ 85 ° C | -40 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.95 A @ 100 Hz | 260 Mohms | 0.394 "(10.00mm) | 1.181 "DIA (30.00mm) | 1.063 "(27.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 160 | ||||
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![]() | ALF40G123EB040 | 7.5071 | ![]() | 2772 | 0.00000000 | 케멧 | ALF40 | 대부분 | 활동적인 | 12000 µF | ± 20% | 40 v | 88mohm @ 100Hz | 9000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 4.13 A @ 100 Hz | 4.22 a @ 10 kHz | 79 Mohms | 0.984 "(25.00mm) | 1.575 "DIA (40.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 프레스 통해 | 방사형, can -press -fit -5 리드 | ALF40G | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0055 | 72 | |||
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![]() | EEU-FC1V121 | 0.4500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | FC | 대부분 | 활동적인 | 120 µF | ± 20% | 35 v | - | 2000 년 @ 105 ° C | -55 ° C ~ 105 ° C | 극선 | AEC-Q200 | 자동차 | 360.8 ma @ 120 Hz | 555 ma @ 100 kHz | 117 Mohms | 0.138 "(3.50mm) | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.453 "(11.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | EEU-FC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 200 | ||
lgu2d681melz | 5.2800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 니치콘 | lgu | 대부분 | 활동적인 | 680 µF | ± 20% | 200 v | - | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.78 a @ 120 Hz | 2.67 a @ 50 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 0.866 "DIA (22.00mm) | 1.772 "(45.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 493-2703 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 250 | ||||
SLPX151M350A3P3 | 1.7463 | ![]() | 8283 | 0.00000000 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | SLPX | 대부분 | 활동적인 | 150 µF | ± 20% | 350 v | 1.33ohm @ 120Hz | 3000 시간 @ 85 ° C | -25 ° C ~ 85 ° C | 극선 | - | 범용 | 1.2 a @ 120 Hz | 1.76 A @ 20 kHz | 0.394 "(10.00mm) | 0.866 "DIA (22.00mm) | 1.260 "(32.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 스냅인 - 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8532.22.0040 | 100 | |||||
UCYW6220MHD | 1.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 니치콘 | UCY | 대부분 | 활동적인 | 22 µF | ± 20% | 420 v | - | 12000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 285 ma @ 120 Hz | 570 ma @ 100 kHz | 0.197 "(5.00mm) | 0.492 "dia (12.50mm) | 0.846 "(21.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 493-6981 | 귀 99 | 8532.22.0020 | 1,000 | ||||
![]() | REA0812331M010K | 0.3400 | ![]() | 3013 | 0.00000000 | Kyocera avx | rea | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 330 µf | ± 20% | 10 v | - | 3000 시간 @ 105 ° C | -40 ° C ~ 105 ° C | 극선 | - | 범용 | 280 ma @ 120 Hz | 392 ma @ 10 kHz | 0.138 "(3.50mm) | 0.315 "dia (8.00mm) | 0.512 "(13.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형, 캔 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1,000 |
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