전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 응용 응용 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 온도 온도 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 저항 (옴) | 회로 회로 | 저항 저항 | 저항 저항 비율 | 저항-드리프트-비율 | 핀 핀 | 요소 요소 전원 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S42C043201FP | 0.0693 | ![]() | 7519 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043201FPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 200 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42C043750GP | 0.0600 | ![]() | 9815 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043750GPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 75 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42C083333GP | 0.0813 | ![]() | 6963 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C0833333GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 33k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C043121FP | 0.0693 | ![]() | 5085 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043121FPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 120 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S41X043473GP | 0.0240 | ![]() | 9898 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043473GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 47K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42X083274GP | 0.0495 | ![]() | 8006 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083274GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 270K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42X083101JP | 0.0412 | ![]() | 2140 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083101JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 100 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C083300FP | 0.0914 | ![]() | 2165 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083300FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 30 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C083431FP | 0.0914 | ![]() | 3189 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083431FPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 430 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S41X043101FP | 0.0283 | ![]() | 2787 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043101FPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 100 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42X083220FP | 0.0560 | ![]() | 3760 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083220FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 22 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42X083131GP | 0.0495 | ![]() | 8484 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083131GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 130 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S41C083471JP | 0.0481 | ![]() | 8497 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41C083471JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 470 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | |
![]() | S42C163222JP | 0.1518 | ![]() | 4438 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163222JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 2.2k | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | |
![]() | S41X043430GP | 0.0240 | ![]() | 2387 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043430GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 43 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42X083300GP | 0.0495 | ![]() | 2184 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083300GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 30 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S40X043681JP | 0.0901 | ![]() | 6499 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.033 "L x 0.024"W (0.85mm x 0.60mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0302 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S40X043681JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 680 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31MW | |
![]() | S41X083363GP | 0.0269 | ![]() | 9387 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083363GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 36K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | |
![]() | S41X043131JP | 0.0198 | ![]() | 9948 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043131JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 130 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42C043754JP | 0.0508 | ![]() | 5558 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C043754JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 750K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42C083911FP | 0.0914 | ![]() | 5547 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083911FPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 910 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C083562FP | 0.0914 | ![]() | 6962 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083562FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 5.6k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42X083271JP | 0.0412 | ![]() | 8393 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083271JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 270 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C163200GP | 0.1813 | ![]() | 7146 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163200GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 20 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | |
![]() | S41C083112FP | 0.0653 | ![]() | 7517 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41C083112FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 1.1k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | |
![]() | S42X083472FP | 0.0560 | ![]() | 9730 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42X083472FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 4.7k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C083561JP | 0.0680 | ![]() | 6012 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C083561JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 560 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S41X083103GP | 0.0269 | ![]() | 5668 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083103GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 10k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | |
![]() | S41X043134JP | 0.0198 | ![]() | 8822 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043134JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 130K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S41X043113FP | 0.0283 | ![]() | 2445 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043113FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 11k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고