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| VSSR2403472GTF | 1.1847 | | 5958 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | vssr | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.66mm x 3.91mm) | 0.069 "(1.76mm) | 표면 표면 | 24-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | 24-SSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,500 | 4.7k | 외딴 | 12 | - | - | 24 | 100MW | |||
 | S42C163563GP | 0.1813 | | 7482 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163563GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 56K | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
| exb-u24394jx | 0.0145 | | 2889 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | EXB-U24 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 390K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||
 | MNR12ERAPJ472 | - | | 4646 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 4.7k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |||
| exb-24n162jx | 0.0134 | | 4405 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||
| exb-18n100jx | 0.0479 | | 6981 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||
 | 4308m-101-124LF | 0.8242 | | 1607 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4300m | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.784 "L x 0.085"W (19.91mm x 2.16mm) | 0.250 "(6.35mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | 4308m | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 120K | 버스 | 7 | - | 50ppm/° C | 8 | 250MW | ||
 | 744C043223JP | - | | 7991 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 744 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.100"W (3.20mm x 2.54mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1210 (3225 Metric), 오목합니다 | 744C043 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 22k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 125MW | ||
| exb-u14103jx | 0.0460 | | 3881 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | EXB-U14 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.031 "L x 0.024"W (0.80mm x 0.60mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0302 (0805 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0302 | 다운로드 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 10k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 31MW | ||||||
| Y0006V0373AA9L | 40.3132 | | 6208 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | 300144 | 대부분 | 활동적인 | ± 0.05% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.295 "L x 0.100"W (7.49mm x 2.54mm) | 0.320 "(8.13mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -3 리드 | ± 2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 25 | 4K, 12K | 전압 전압 | 2 | ± 0.05% | ± 0.5ppm/° C | 3 | 100MW | ||||
 | 4114R-1-562 | 0.7340 | | 6050 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4100r | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.765 "L x 0.300"W (19.43mm x 7.62mm) | 0.185 "(4.69mm) | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | 4114R | ± 100ppm/° C | 14-DIP | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 25 | 5.6k | 외딴 | 7 | - | 50ppm/° C | 14 | 250MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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