SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
AF164-FR-0751R1L YAGEO AF164-FR-0751R1L 0.0643
RFQ
ECAD 1090 0.00000000 Yageo AF164 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C DDRAM, SDRAM 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 51.1 외딴 4 - - 8 62.5MW
RT2411B6TR7 CTS Resistor Products RT2411B6TR7 -
RFQ
ECAD 6817 0.00000000 cts 저항성 제품 Clearone ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C GTL, GTL+, AGTL+ 0.300 "L x 0.150"W (7.62mm x 3.81mm) 0.058 "(1.47mm) 표면 표면 18-lbga ± 100ppm/° C 18-BGA (7.62x3.81) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 150 이중 이중 16 - - 18 50MW
RAVF104DFT16K0 Stackpole Electronics Inc RAVF104DFT16K0 0.0210
RFQ
ECAD 1841 0.00000000 Stackpole Electronics Inc RAVF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 16k 외딴 4 - - 8 62.5MW
4310H-102-104 Bourns Inc. 4310H-102-104 0.9439
RFQ
ECAD 6395 0.00000000 Bourns Inc. 4300H 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.984 "L x 0.085"W (24.99mm x 2.16mm) 0.350 "(8.89mm) 구멍을 구멍을 10-sip 4310H ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8533.21.0060 250 100k 외딴 5 - 50ppm/° C 10 500MW
768161824GP CTS Resistor Products 768161824GP 1.2132
RFQ
ECAD 1985 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 820K 버스 15 - - 16 100MW
767143512GPTR13 CTS Resistor Products 767143512GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 5188 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 5.1k 외딴 7 - - 14 200MW
TC124-FR-07210KL YAGEO TC124-FR-07210KL 0.0297
RFQ
ECAD 9563 0.00000000 Yageo TC124 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 TC124-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 210K 외딴 4 - - 8 62.5MW
752241103GPTR13 CTS Resistor Products 752241103GPTR13 1.3713
RFQ
ECAD 4756 0.00000000 cts 저항성 제품 752 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 24-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 3,000 10k 버스 22 - - 24 80MW
4604X-101-271LF Bourns Inc. 4604X-101-271LF 0.0557
RFQ
ECAD 7061 0.00000000 Bourns Inc. 4600x 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.398 "L x 0.098"W (10.11mm x 2.49mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 4-sip 4604X ± 100ppm/° C 4-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0060 1,000 270 버스 3 - - 4 200MW
77081182P CTS Resistor Products 77081182P 0.6179
RFQ
ECAD 5280 0.00000000 cts 저항성 제품 770 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.800 "L x 0.098"W (20.32mm x 2.50mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 770-81-R1.8KP 귀 99 8533.21.0050 1,000 1.8K 버스 7 - - 8 100MW
4608X-104-221/331L Bourns Inc. 4608X-104-221/331L 0.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Bourns Inc. 4600x 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.798 "L x 0.098"W (20.27mm x 2.49mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-sip 4608x ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 200 220, 330 이중 이중 12 - - 8 200MW
766161274G CTS Resistor Products 766161274G -
RFQ
ECAD 7851 0.00000000 cts 저항성 제품 766 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 49 270K 버스 15 - - 16 80MW
CSC06A032K20GEK Vishay Dale CSC06A032K20GEK 0.6486
RFQ
ECAD 9660 0.00000000 Vishay Dale CSC 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.590 "L x 0.098"W (14.99mm x 2.49mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CSC2.2kg 귀 99 8533.21.0050 2,000 2.2k 외딴 3 - ± 50ppm/° C 6 300MW
MNR14ERAPJ112 Rohm Semiconductor MNR14ERAPJ112 -
RFQ
ECAD 4895 0.00000000 Rohm 반도체 MNR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 1.1k 외딴 4 - - 8 62.5MW
4310M-101-331LF Bourns Inc. 4310m-101-331LF 0.7598
RFQ
ECAD 7721 0.00000000 Bourns Inc. 4300m 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.984 "L x 0.085"W (24.99mm x 2.16mm) 0.250 "(6.35mm) 구멍을 구멍을 10-sip 4310m ± 100ppm/° C 10-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 2266-4310M-101-331LF 귀 99 8533.21.0050 250 330 버스 9 - 50ppm/° C 10 250MW
746X101471J CTS Resistor Products 746x101471J -
RFQ
ECAD 6368 0.00000000 cts 저항성 제품 746 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 746x101 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 470 버스 8 - - 10 31MW
MNR12E0ABJ223 Rohm Semiconductor MNR12E0ABJ223 -
RFQ
ECAD 8948 0.00000000 Rohm 반도체 MNR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 0606,, ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 22k 외딴 2 - - 4 62.5MW
RACF164DFT39R2 Stackpole Electronics Inc RACF164DFT39R2 -
RFQ
ECAD 5260 0.00000000 Stackpole Electronics Inc racf 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.030 "(0.75mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 39.2 외딴 4 - - 8 62.5MW
RF064PJ000CS Samsung Electro-Mechanics RF064PJ000CS 0.0776
RFQ
ECAD 9640 0.00000000 삼성 삼성 기계 RF 테이프 & tr (TR) 활동적인 점퍼 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.055 "L x 0.024"W (1.40mm x 0.60mm) 0.013 "(0.33mm) 표면 표면 0502 (1406 메트릭), 긴 측면 터미널 - - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 20,000 외딴 4 - - 8 31.25MW
CRA06P083390KJTA Vishay Dale CRA06P083390KJTA -
RFQ
ECAD 1340 0.00000000 Vishay Dale CRA06 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 5,000 390K 외딴 4 - - 8 62.5MW
Y1747V0023QT9W VPG Foil Resistors Y1747V0023QT9W 54.6196
RFQ
ECAD 3965 0.00000000 vpg 저항 포일 smnz 쟁반 활동적인 ± 0.02% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.157"W (5.00mm x 3.99mm) 0.073 "(1.86mm) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 0.2ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0010 25 500 외딴 4 ± 0.01% ± 1ppm/° C 8 100MW
767141680GPTR13 CTS Resistor Products 767141680GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 1281 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 68 버스 13 - - 14 100MW
MDP1405680AGE04 Vishay Dale MDP1405680AGE04 8.0583
RFQ
ECAD 9587 0.00000000 Vishay Dale MDP 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.750 "L x 0.250"W (19.05mm x 6.35mm) 0.155 "(3.94mm) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) ± 100ppm/° C 14-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) MDP180/110C 귀 99 8533.21.0060 25 110, 180 이중 이중 24 - - 14 125MW
4608X-101-560 Bourns Inc. 4608x-101-560 -
RFQ
ECAD 5694 0.00000000 Bourns Inc. 4600x 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.798 "L x 0.098"W (20.27mm x 2.49mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-sip 4608x ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 4608x-1-560 귀 99 8533.21.0050 200 56 버스 7 - - 8 200MW
741X16356R0FP CTS Resistor Products 741X16356R0FP 0.1102
RFQ
ECAD 9273 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.156 "L x 0.063"W (3.95mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1506, 볼록, 긴 측면 터미널 741x163 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 56 외딴 8 - - 16 63MW
TC164-FR-07127KL YAGEO TC164-FR-07127KL 0.0163
RFQ
ECAD 7165 0.00000000 Yageo TC164 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 TC164-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 127k 외딴 4 - - 8 62.5MW
CRA06P08382K0JTA Vishay Dale CRA06P08382K0JTA -
RFQ
ECAD 3604 0.00000000 Vishay Dale CRA06 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 5,000 82k 외딴 4 - - 8 62.5MW
MNR14E0ABJ164 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ164 -
RFQ
ECAD 2167 0.00000000 Rohm 반도체 MNR 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.024 "(0.60mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 160K 외딴 4 - - 8 62.5MW
EXB-28V123JX Panasonic Electronic Components EXB-28V123JX 0.1000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 exb 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 exb-28 ± 200ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 12k 외딴 4 - - 8 62.5MW
4114R-2-823 Bourns Inc. 4114R-2-823 0.7340
RFQ
ECAD 4527 0.00000000 Bourns Inc. 4100r 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.765 "L x 0.300"W (19.43mm x 7.62mm) 0.185 "(4.69mm) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4114R ± 100ppm/° C 14-DIP 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 귀 99 8533.21.0060 25 82k 버스 13 - 50ppm/° C 14 125MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고