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| Y5076V0572FF9L | 36.7584 | | 1335 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | VHD200 | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.398 "LX 0.185"W (10.11mm x 4.70mm) | 0.525 "(13.33mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -3 리드 | ± 2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 25 | 1.62K, 20K | 전압 전압 | 2 | ± 1% | ± 0.1ppm/° C | 3 | 50MW | ||||
 | 742C163390JP | 0.0970 | | 8491 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 742 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | 742C163 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | Q3649439 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 39 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | |
 | CRA06S08322R0JTB | - | | 6203 | 0.00000000 | Vishay Dale | CRA06 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 22 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||||
| RP164PJ683CS | - | | 3059 | 0.00000000 | 삼성 삼성 기계 | RP | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.61mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 5,000 | 68K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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