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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 출력/채널 데이터 속도 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대)
TLP785F(D4GRF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GRF7,F -
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ECAD 1395 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4GRF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-YH,F) -
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ECAD 2989 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4-YHF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP627M(D4-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(D4-LF1,E 0.9300
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ECAD 4484 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD(0.300", 7.62mm) TLP627 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 100 150mA 60μs, 30μs 300V 1.25V 50mA 5000Vrms 1000% @ 1mA - 110μs, 30μs 1.2V
TLP160J(V4T7TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4T7TRUC,F -
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ECAD 5602 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP160J - 1(무제한) 264-TLP160J(V4T7TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP714F(D4HW1TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F(D4HW1TP,F) -
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ECAD 3728 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) DC 1 오픈 컬렉터 4.5V ~ 30V 6-SDIP 갈매기 날개 다운로드 264-TLP714F(D4HW1TPF) EAR99 8541.49.8000 1 15mA 1Mbps - 1.55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 550ns, 400ns
TLP733(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733(D4-GB,M,F) -
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ECAD 2075 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP733 - 1(무제한) 264-TLP733(D4-GBMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5702H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(LF4,E 1.8500
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ECAD 6302 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5702 DC 1 푸시풀, 토템폴 10V ~ 30V 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1.65V 20mA 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200ns, 200ns
TLP185(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(TPR, SE 0.1530
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ECAD 1778년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP352(D4-HW-TP1,S Toshiba Semiconductor and Storage TLP352(D4-HW-TP1,S -
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ECAD 6819 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP352 - 1(무제한) 264-TLP352(D4-HW-TP1STR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP2601(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2601(F) -
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ECAD 8371 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 85°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP2601 DC 1 오픈 컬렉터, 쇼트키 클램핑 4.5V ~ 5.5V 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 25mA 10MBd 30ns, 30ns 1.65V 20mA 2500Vrms 1/0 1kV/μs 75ns, 75ns
TLP385(D4-GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-GRH,E 0.5400
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ECAD 5312 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP385(D4-GRHE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP127(TOKUD-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(TOKUD-TPL,F -
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ECAD 2831 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(TOKUD-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP2368(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368(TPL,E 1.8100
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2368 DC 1 오픈 컬렉터 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA 20MBd 30ns, 30ns 1.55V 25mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
TLP293-4(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(E 1.6300
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ECAD 4531 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP293 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP293-4(E(T EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP513(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP513(LF1,F) -
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ECAD 2728 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP513 - 1(무제한) 264-TLP513(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GRL-T7,F -
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ECAD 8075 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(GRL-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP388(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(TPL,E 0.7900
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ECAD 3550 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP388 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 350V 1.25V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2958(D4-MBT1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958(D4-MBT1,F) -
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ECAD 1956년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP2958 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 8- 딥 다운로드 264-TLP2958(D4-MBT1F) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5Mbps 15ns, 10ns 1.55V 25mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP2368(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368(TPR,E 0.6028
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ECAD 2105 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2368 DC 1 오픈 컬렉터 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP2368(TPRE EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA 20MBd 30ns, 30ns 1.55V 25mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
TLP127(NS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(NS-TPL,F) -
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ECAD 2554 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(NS-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP387(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387(TPR,E 0.8700
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ECAD 5699 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP387 DC 1 달링턴 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.25V 50mA 5000Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1V
TLP121(GRH-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH-TPL,F) -
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ECAD 3273 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP121 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP121(GRH-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2166A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2166A(TP,F) -
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ECAD 6199 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TLP2166 DC 2 푸시풀, 토템폴 3V ~ 3.63V 8-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 10mA 15MBd 5ns, 5ns 1.65V 15mA 2500Vrms 2/0 15kV/μs 75ns, 75ns
TLP759(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4,J,F) -
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ECAD 5993 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP759 DC 1 트랜지스터 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 TLP759(D4JF) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - 200ns, 300ns -
TLP250H(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(LF5,F) -
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ECAD 2930 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP250 DC 1 푸시풀, 토템폴 10V ~ 30V 8-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP250H(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50 2A - 50ns, 50ns 1.57V 20mA 3750Vrms 1/0 40kV/μs 500ns, 500ns
TLP2362(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362(V4-TPL,E 1.0500
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ECAD 9559 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C - - TLP2362 DC 1 오픈 컬렉터 2.7V ~ 5.5V - 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA 10MBd 30ns, 30ns 1.55V 25mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 100ns, 100ns
TLP531(HIT-BL-T1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(HIT-BL-T1,F -
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ECAD 3100 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP531 - 1(무제한) 264-TLP531(HIT-BL-T1F EAR99 8541.49.8000 50
TLX9185(KBDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(KBDGBTLF(O -
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ECAD 8129 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLX9185 DC 1 트랜지스터 6-SOP - 264-TLX9185(KBDGBTLF(O EAR99 8541.49.8000 1 50mA 3μs, 5μs 80V 1.27V 30mA 3750Vrms 20% @ 5mA 600% @ 5mA 5μs, 5μs 400mV
TLP250F(D4INV-T4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F(D4INV-T4,F -
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ECAD 4814 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250F - 1(무제한) 264-TLP250F(D4INV-T4FTR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP9104A(NCN-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(NCN-TL,F) -
보상요청
ECAD 1211 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 264-TLP9104A(NCN-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고