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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 채널 채널 전류 - 출력 피크 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 고립 고립 힘 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 펄스 펄스 왜곡 왜곡 (최대) 전압 - 공급 출력 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
TLP250(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 2010 년 년 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP250 - 1 (무제한) 264-TLP250 (D4F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP523-2(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-2 (Sanyd, F) -
RFQ
 ECAD 6774 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP523 - 1 (무제한) 264-TLP523-2 (SANYDF) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP250F(INV-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F (Inv-LF4, F) -
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP250F - 1 (무제한) 264-TLP250F (Inv-LF4F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP351(LF5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 (LF5, Z, F) -
RFQ
 ECAD 1189 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP351 - 1 (무제한) 264-TLP351 (LF5ZF) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP700AF(D4-TP,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF (D4-TP, S) -
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP700 - 1 (무제한) 264-TLP700AF (D4-TPS) TR 귀 99 8541.49.8000 1,500
TLP352F(LF4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F (LF4, S) -
RFQ
 ECAD 2661 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP352F - 1 (무제한) 264-TLP352F (LF4S) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP250(LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (LF4, F) -
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP250 - 1 (무제한) 264-TLP250 (LF4F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP351(TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 (TP5, Z, F) -
RFQ
 ECAD 2626 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP351 - 1 (무제한) 264-TLP351 (TP5ZF) TR 귀 99 8541.49.8000 1,500
TLP350(TP1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (TP1, Z, F) -
RFQ
 ECAD 3902 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP350 - 1 (무제한) 264-TLP350 (TP1ZF) TR 귀 99 8541.49.8000 1,500
4N35(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35 (Short-LF5, F) -
RFQ
 ECAD 1515 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 4N35 - 1 (무제한) 264-4N35 (Short-LF5F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP160G(T5-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (T5-TPR, U, f -
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP160 - 1 (무제한) 264-TLP160G (T5-TPRUFTR 귀 99 8541.49.8000 3,000
4N35(SHORT-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35 (Short-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 6362 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 4N35 - 1 (무제한) 264-4N35 (Short-LF1F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP785(Y-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (Y-LF6, f -
RFQ
 ECAD 6945 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (Y-LF6F 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP155(PAV-TPL,E(J Toshiba Semiconductor and Storage TLP155 (PAV-TPL, E (J. -
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP155 - 1 (무제한) 264-TLP155 (pav-tple (jtr 귀 99 8541.49.8000 3,000
TLP700AF(S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF (S) -
RFQ
 ECAD 4220 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP700 - 1 (무제한) 264-TLP700AF (S) 귀 99 8541.49.8000 100
TLP160J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp160j (t7tl, u, c, f -
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP160J - 1 (무제한) 264-TLP160J (T7tlucftr 귀 99 8541.49.8000 3,000
TLP250(MBSKO-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (MBSKO-LF1, f -
RFQ
 ECAD 8116 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP250 - 1 (무제한) 264-TLP250 (MBSKO-LF1F 귀 99 8541.49.8000 50
TLP350(LF5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (LF5, Z, F) -
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP350 - 1 (무제한) 264-TLP350 (LF5ZF) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP701H(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP701H (D4-MBSTP, f -
RFQ
 ECAD 8058 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) 광학 광학 링 CSA, CUL, UL, VDE 2 6-SDIP 다운로드 1 400ma, 400ma 200ma 50ns, 50ns 1.57V 25 MA 5000VRMS 20kV/µs 700ns, 700ns 500ns 10V ~ 30V
TLP5754H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754H (LF4, e 2.0800
RFQ
 ECAD 9494 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP5754 광학 광학 링 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- 형 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 125 4a, 4a 4a 15ns, 8ns 1.55V 20 MA 5000VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP5752(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752 (D4-LF4, e 2.5900
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP5752 광학 광학 링 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- 형 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 125 2.5A, 2.5A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20 MA 5000VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
DCL540D01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540D01 (t, e 6.3000
RFQ
 ECAD 7301 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 DCL540X01 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 범용 DCL540 자기 자기 링 4 2.25V ~ 5.5V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,500 150Mbps 단방향 0.9ns, 0.9ns 5000VRMS 예 4/0 100kv/µs 18.3ns, 18.3ns 2.8ns
TLP620-4(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 1651 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-smd TLP620 AC, DC 4 트랜지스터 16-smd 다운로드 264-TLP620-4 (D4-LF1F) 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP781(D4BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4BLL-LF6, f -
RFQ
 ECAD 7971 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (D4BLL-LF6F 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP781F(D4-FUNGR,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f (d4-fungr, f -
RFQ
 ECAD 7829 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (D4-FUNGRF 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP785(YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (YH, f -
RFQ
 ECAD 8103 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (YHF 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP781F(GRL-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GRL-TP7, F) -
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (GRL-TP7F) TR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP781F(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-YH, F) -
RFQ
 ECAD 5200 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (D4-YHF) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP785F(D4GHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GHT7, f -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785F (D4GHT7FTR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP781(D4-YH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-YH-LF6, f -
RFQ
 ECAD 9575 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (D4-YH-LF6F 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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