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아이솔레이터(2050)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP185(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(E) -
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 ECAD 8142 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 5μs, 9μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA 9μs, 9μs 300mV
TLP701HF(D4MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP701HF(D4MBSTP,F -
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 ECAD 7855 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 마지막 구매 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) 광커플링 CSA, cUL, UL, VDE 2 6-SDIP 다운로드 1 400mA, 400mA 600mA 50ns, 50ns 1.57V 25mA 5000Vrms 20kV/μs 700ns, 700ns 500ns 10V ~ 30V
4N28(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N28(쇼트,에프) -
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 ECAD 6801 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) 4N28 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 - RoHS 준수 1(무제한) 4N28(짧은) EAR99 8541.49.8000 50 100mA 2μs, 2μs 30V 1.15V 80mA 2500Vrms 20% @ 10mA - - 500mV
TLP785(D4B-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4B-T6,F -
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 ECAD 2387 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(D4B-T6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP121(GRH-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH-TP,F) -
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 ECAD 5792 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP121 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP121(GRH-TPF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP161G(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G(T7TL,U,C,F -
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 ECAD 6233 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP161G - 1(무제한) 264-TLP161G(T7TLUCFTR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP2363(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363(TPL,E 1.0200
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 ECAD 6657 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2363 DC 1 오픈 컬렉터 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA 10Mbps 23ns, 7ns 1.5V 25mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP280-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP280-4(GB-TP,J,F -
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 ECAD 6888 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 16-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TLP280 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SOP 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 2500Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP3052A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3052A(F -
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 ECAD 2712 0.00000000 도시바 및 저장 - 상자 활동적인 -40°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.400", 10.16mm), 5리드 TLP3052 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 조치액 6- 딥 다운로드 264-TLP3052A(F EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 50mA 5000Vrms 600V 100mA 600μA 아니요 2kV/μs(통상) 10mA -
4N27(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N27(쇼트,에프) -
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 ECAD 8912 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) 4N27 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 - RoHS 준수 1(무제한) 4N27(짧은) EAR99 8541.49.8000 50 100mA 2μs, 2μs 30V 1.15V 80mA 2500Vrms 20% @ 10mA - - 500mV
TLX9185(KMGBTL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(KMGBTL,F(O -
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 ECAD 5179 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLX9185 DC 1 트랜지스터 6-SOP - 264-TLX9185(KMGBTLF(O EAR99 8541.49.8000 1 50mA 3μs, 5μs 80V 1.27V 30mA 3750Vrms 20% @ 5mA 600% @ 5mA 5μs, 5μs 400mV
TLP118(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP118(TPR,E) 0.6165
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 ECAD 2619 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP118 DC 1 오픈 컬렉터 4.5V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) TLP118(TPRE) EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA - 30ns, 30ns - 25mA 3750Vrms 1/0 15kV/μs 60ns, 60ns
TLP291-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4(GB-TP,E) 1.4600
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 ECAD 4285 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.2V 50mA 2500Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP734F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-GR,M,F) -
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 ECAD 3504 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP734 - 1(무제한) 264-TLP734F(D4-GRMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP250H(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(D4,F) 1.7400
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 ECAD 88 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP250 DC 1 푸시풀, 토템폴 10V ~ 30V 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 TLP250H(D4F) EAR99 8541.49.8000 50 2.5A - 50ns, 50ns 1.57V 20mA 3750Vrms 1/0 40kV/μs 500ns, 500ns
TLP250(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4-TP4,F) -
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 ECAD 9894 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(D4-TP4F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP3910(C20,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910(C20,E 3.3700
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 ECAD 2174 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP3910 DC 2 태양광 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 - - 24V 3.3V 30mA 5000Vrms - - 300μs, 100μs -
TLP388(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(GB-TPL,E 0.8000
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 ECAD 4334 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP388 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 350V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP160G(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(F) -
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 ECAD 5680 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP160 - 1(무제한) 264-TLP160G(F)TR EAR99 8541.49.8000 150
TLP120(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(GB-TPL,F) -
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 ECAD 2216 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP120 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP120(GB-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP131(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(TPR,F) -
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 ECAD 6602 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP131 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6-MFSOP, 5리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP131(TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785F(YH-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(YH-LF7,F -
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 ECAD 6865 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(YH-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP550(MBS-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(MBS-O,F) -
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 ECAD 3089 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP550 - 1(무제한) 264-TLP550(MBS-OF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP183(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(BL-TPL,E 0.5100
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP5754H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754H(D4LF4,E 2.0800
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 ECAD 8181 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5754 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 4A, 4A 4A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP131(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(GB-TPR,F) -
보상요청
 ECAD 8616 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP131 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6-MFSOP, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP387(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387(D4-TPL,E 0.8700
보상요청
 ECAD 7441 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP387 DC 1 달링턴 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.25V 50mA 5000Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1V
TLP626-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-4(F) -
보상요청
 ECAD 5003 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 마지막 구매 -55°C ~ 100°C 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) TLP626 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 25 50mA 8μs, 8μs 55V 1.15V 50mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP291(GR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GR,E) -
보상요청
 ECAD 7147 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 175 50mA 4μs, 7μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 7μs, 7μs 300mV
TLP250(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(MBS,에프) -
보상요청
 ECAD 3329 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(MBSF) EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

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    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

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