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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 출력/채널 데이터 속도 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간 등급 적격
TLX9304(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9304(TPL,F 3.6000
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLX9304 DC 1 오픈 컬렉터 4.5V ~ 20V 6-SO, 5리드 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 15mA - - 1.56V 25mA 3750Vrms 1/0 15kV/μs 400ns, 550ns
TLP781F(D4-GR,F,W) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GR,F,W) -
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ECAD 8748 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4-GRFW) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2200(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200(TP1,F) -
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ECAD 5811 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP2200 DC 1 삼국지 4.5V ~ 20V 8-SMD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 25mA 2.5MBd 35ns, 20ns 1.55V 10mA 2500Vrms 1/0 1kV/μs 400ns, 400ns
TLP2355(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2355(TPR,E 1.0200
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ECAD 4732 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2355 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA - 15ns, 12ns 1.55V 20mA 3750Vrms 1/0 25kV/μs 250ns, 250ns
TLP290(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(GR, SE 0.5100
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ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP290 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) TLP290(GRSE EAR99 8541.49.8000 175 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLX9185A(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185A(GBTPL,F 3.1500
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ECAD 23 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLX9185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 3μs, 5μs 80V 1.27V 30mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 5μs, 5μs 400mV 자동차 AEC-Q101
TLP781F(D4DLTGRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4DLTGRH,F -
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ECAD 1288 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4DLTGRHF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP550(TOJS-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(TOJS-O,F) -
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ECAD 3724 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP550 - 1(무제한) 264-TLP550(TOJS-OF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP9114B(AW-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(AW-TL,F) -
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ECAD 7292 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - EAR99 8541.49.8000 1
TLP127(HIT-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(HIT-TPL,F) -
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ECAD 4179 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(HIT-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP358(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358(D4-LF1,F) -
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ECAD 2941 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP358 DC 1 푸시풀, 토템폴 15V ~ 30V 8-SMD 다운로드 264-TLP358(D4-LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5A - 17ns, 17ns 1.57V 20mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 500ns, 500ns
TLP371(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371(TP5,F) -
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ECAD 3304 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP371 - 1(무제한) 264-TLP371(TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP2372(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372(TPR,E 1.9300
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ECAD 4970 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2372 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.2V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 8mA 20Mbps 2.2ns, 1.6ns 1.53V 8mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 75ns, 75ns
TLP731(D4-BL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-BL-LF2,F -
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ECAD 4488 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP731 - 1(무제한) 264-TLP731(D4-BL-LF2F EAR99 8541.49.8000 50
TLP293-4(LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(라,E 1.6000
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ECAD 5468 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP293 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 50% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
TLP160G(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(TPR,U,F) -
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ECAD 7480 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP160G UR 1 조치액 6-MFSOP, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.15V 50mA 2500Vrms 400V 70mA 600μA(통상) 아니요 200V/μs 10mA 30μs
TLP731(D4-GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GR,F) -
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ECAD 4589 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP731 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP590B(C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP590B(C,F) 3.1500
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ECAD 23 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm), 5리드 TLP590 DC 1 태양광 6-DIP, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) Q3885930 EAR99 8541.49.8000 50 12μA - 7V 1.4V 50mA 2500Vrms - - 200μs, 1ms -
TLP127(MAT-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(MAT-TPL,F) -
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ECAD 1425 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(MAT-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP182(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(GB-TPL,E 0.5700
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP182 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP620-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(F) -
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ECAD 1216 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 마지막 구매 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP620 그렇지, 그렇지 2 트랜지스터 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP9104(HITJ-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104(HITJ-TL,F) -
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ECAD 4935 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 264-TLP9104(HITJ-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP719(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(F) -
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ECAD 1578년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP719 DC 1 트랜지스터 6-SDIP 갈매기 날개 - RoHS 준수 1(무제한) 5A991G 8541.49.8000 100 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - 800ns, 800ns(최대) -
TLP160G(IFT7,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(IFT7,U,F) -
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ECAD 4588 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP160G - 1(무제한) 264-TLP160G(IFT7UF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP124(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(BV-TPR,F) -
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ECAD 9071 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP124 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 200% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP250(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4-TP4,F) -
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ECAD 9894 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(D4-TP4F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP734F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-GR,M,F) -
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ECAD 3504 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP734 - 1(무제한) 264-TLP734F(D4-GRMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(D4B-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4B-T6,F -
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ECAD 2387 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(D4B-T6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2363(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363(TPL,E 1.0200
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ECAD 6657 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2363 DC 1 오픈 컬렉터 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA 10Mbps 23ns, 7ns 1.5V 25mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP3910(C20,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910(C20,E 3.3700
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ECAD 2174 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP3910 DC 2 태양광 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 - - 24V 3.3V 30mA 5000Vrms - - 300μs, 100μs -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고