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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP291(GRH,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GRH, SE 0.6000
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ECAD 6908 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) TLP291(GRHSE EAR99 8541.49.8000 175 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP184(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(GB, SE 0.5100
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ECAD 2065년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP184 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP620(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620(F) -
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ECAD 7538 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 100°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP620 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP385(GRL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GRL-TPR,E 0.5600
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ECAD 4446 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP785F(YH-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(YH-TP7,F -
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ECAD 5112 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(YH-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP627-4(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4(LF1,F) -
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ECAD 5820 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP627 - 1(무제한) 264-TLP627-4(LF1F) EAR99 8541.49.8000 25
TLP624F Toshiba Semiconductor and Storage TLP624F -
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ECAD 9727 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP624 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 8μs, 8μs 55V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP371(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371(TP1,F) -
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ECAD 2803 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD, 걸윙 TLP371 DC 1 잎이 있는 달링턴 6-SMD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 60mA 5000Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP531(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(GR,F) -
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ECAD 4494 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP531 - 1(무제한) 264-TLP531(GRF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(GRH-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GRH-TP7,F) -
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ECAD 8632 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(GRH-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP388(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(TPR,E 0.8000
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ECAD 6169 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP388 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 350V 1.25V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP268J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J(TPL,E 0.9900
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ECAD 2880 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP268 CQC, CU, UR 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30mA 3750Vrms 600V 70mA 200μA(통상) 500V/μs(통상) 3mA 100μs
TLP734(D4GRLF5,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4GRLF5,M,F -
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ECAD 6034 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP734 - 1(무제한) 264-TLP734(D4GRLF5MF EAR99 8541.49.8000 50
TLP626(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(F) -
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ECAD 6179 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP626 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 8μs, 8μs 55V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP121(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(BL,F) -
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ECAD 8069 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP121 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP121(BLF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP127(MBSSM-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(MBSSM-TPL,F -
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ECAD 4766 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(MBSSM-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP385(D4-BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-BL,E 0.5500
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ECAD 8372 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP385(D4-BLE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP350F(D4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350F(D4,Z,F) -
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ECAD 9353 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP350 - 1(무제한) 264-TLP350F(D4ZF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP292-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TR,E 1.8100
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 50% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
TLP759(D4-LF2,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4-LF2,J,F) -
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ECAD 6708 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP759 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP759(D4-LF2JF) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP631(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(BL,F) -
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ECAD 9685 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP631 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785(D4BL-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4BL-F6,F -
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ECAD 7794 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(D4BL-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP9121A(MURGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(MURGBTL,F -
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ECAD 4467 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 264-TLP9121A(MURGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP2768A(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768A(D4-TP,E -
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ECAD 6459 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2768 DC 1 오픈 컬렉터, 쇼트키 클램핑 2.7V ~ 5.5V 6-SO 다운로드 1(무제한) 264-TLP2768A(D4-TPETR EAR99 8541.49.8000 1,500 25mA 20MBd 30ns, 30ns 1.55V 25mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
TLP388(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(GB-TPR,E 0.8000
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ECAD 8526 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP388 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 350V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP120(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(GB,F) -
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ECAD 5979 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP120 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP120(GBF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP121(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH,F) -
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ECAD 9586 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP121 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP121(GRHF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP5751(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751(TP,E 0.9645
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ECAD 6141 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5751 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL 1 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 1A, 1A 1A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP718(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718(F) -
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ECAD 2742 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP718 DC 1 푸시풀, 토템폴 4.5V ~ 20V 6-SDIP 갈매기 날개 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) 5A991 8541.49.8000 100 25mA 5Mbps 30ns, 30ns 1.6V 20mA 5000Vrms 1/0 10kV/μs 250ns, 250ns
TLP127(DEL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(DEL-TPL,F) -
보상요청
ECAD 3952 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(DEL-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고