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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
TLP532(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (YG, F) -
RFQ
 ECAD 7001 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP532 - 1 (무제한) 264-TLP532 (YGF) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP781(BLL-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (BLL-LF6, F) -
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (BLL-LF6F) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP781F(YH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (YH-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 4883 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (YH-LF7F) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP781F(D4GRT7TC,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f (d4grt7tc, f -
RFQ
 ECAD 1622 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (D4GRT7TCFTR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP620-2(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP620 AC, DC 2 트랜지스터 8-DIP 다운로드 264-TLP620-2 (D4-LF2F) 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP126(FANUC-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (fanuc-tpl, f -
RFQ
 ECAD 9475 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP126 - 1 (무제한) 264-TLP126 (fanuc-tplftr 귀 99 8541.49.8000 3,000
TLP5702(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (e 1.4000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP5702 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 15V ~ 30V 6- 형 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 125 1 a - 15ns, 8ns 1.55V 20MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP2098(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2098 (F) -
RFQ
 ECAD 4586 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ TLP2098 AC, DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 3V ~ 20V 6-MFSOP, 5 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP2098F 귀 99 8541.49.8000 150 25 MA 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20MA 3750vrms 1/0 15kV/µs 250ns, 250ns
TLP183(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (GRH-TPL, e 0.5100
RFQ
 ECAD 8176 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
TLP120(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (F) -
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP120 AC, DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4 리드 - 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP2704(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704 (D4-TP, e 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP2704 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 30V 6- 형 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 15 MA - - 1.55V 20MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 400ns, 550ns
TLP182(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (TPL, e 0.5200
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP182 AC, DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
TLP781F(D4-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-TP7, F) -
RFQ
 ECAD 1848 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (D4-TP7F) TR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP9118(SND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (SND-TL, F) -
RFQ
 ECAD 8041 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 대부분 쓸모없는 - 264-TLP9118 (SND-TLF) 귀 99 8541.49.8000 1
TLP781(GRH-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GRH-LF6, F) -
RFQ
 ECAD 8837 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (GRH-LF6F) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP185(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (SE 0.6100
RFQ
 ECAD 6126 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 125 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
TLP121(Y-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (Y-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 1498 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP121 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4 리드 - rohs 준수 1 (무제한) TLP121 (Y-TPRF) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP385(D4YH-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4YH-TR, e 0.5500
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP385 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
TLP2405(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2405 (F) -
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLP2405 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 도 8- 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP2405F 귀 99 8541.49.8000 100 25 MA 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 25MA 3750vrms 1/0 15kV/µs 250ns, 250ns
TLP373(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP373 (F) -
RFQ
 ECAD 6222 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP373 - 1 (무제한) 264-TLP373 (F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP187(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (V4-TPL, e -
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP187 DC 1 달링턴 6-SOP - 1 (무제한) 264-TLP187 (v4-tpletr 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 40µs, 15µs 300V 1.25V 50 MA 3750vrms 1000% @ 1ma - 50µs, 15µs 1.2V
TLP2361(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (TPR, e 1.0200
RFQ
 ECAD 7264 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLP2361 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 6-5 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP3062A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3062A (TP1, f 1.6600
RFQ
 ECAD 2451 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (5 d), 갈매기 날개 TLP3062 CQC, CUR, ur 1 트라이크 6-5 리드 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.49.8000 1,500 1.15V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 600µA (() 예 2kv/µs (유형) 10MA -
TLP385(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (e 0.5500
RFQ
 ECAD 3352 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP385 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 125 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
TLP781(D4-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-LF6, F) -
RFQ
 ECAD 4918 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (D4-LF6F) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP160J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (TPR, U, C, F) -
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP160J ur 1 트라이크 6-MFSOP, 4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.15V 50 MA 2500VRMS 600 v 70 MA 1MA (유형) 아니요 500V/µs 10MA 30µs
TLP785(D4-YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-YH, f -
RFQ
 ECAD 5168 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (D4-YHF 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP291(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB, SE 0.6100
RFQ
 ECAD 8740 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP291 DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 175 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
TLP268J(T2-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J (T2-TPL, e 1.1100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP268 CQC, CUR, ur 1 트라이크 6-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 MA 3750vrms 600 v 70 MA 200µA (유형) 예 500V/µS (타이핑) 3MA 100µs
TLP750(PPA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (PPA, F) -
RFQ
 ECAD 1617 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP750 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP - 264-TLP750 (PPAF) 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 10% @ 16ma - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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