SIC
close

아이솔레이터(2050)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 출력/채널 데이터 속도 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP719(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(F) -
보상요청
 ECAD 1578년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP719 DC 1 트랜지스터 6-SDIP 갈매기 날개 - RoHS 준수 1(무제한) 5A991G 8541.49.8000 100 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - 800ns, 800ns(최대) -
TLP785F(BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BLL-F7,F -
보상요청
 ECAD 2014년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(BLL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP185(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(Y-TPL,SE 0.6100
보상요청
 ECAD 4922 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP2601(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2601(LF1,F) -
보상요청
 ECAD 3893 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP2601 DC 1 오픈 컬렉터, 쇼트키 클램핑 4.5V ~ 5.5V 8-SMD 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 TLP2601(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50 10MBd 30ns, 30ns 1.65V 20mA 2500Vrms 1/0 1kV/μs 75ns, 75ns
TLP121(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH,F) -
보상요청
 ECAD 9586 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP121 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP121(GRHF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP570(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570(TP1,F) -
보상요청
 ECAD 9827 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP570 - 1(무제한) 264-TLP570(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP358(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358(D4-LF1,F) -
보상요청
 ECAD 2941 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP358 DC 1 푸시풀, 토템폴 15V ~ 30V 8-SMD 다운로드 264-TLP358(D4-LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5A - 17ns, 17ns 1.57V 20mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 500ns, 500ns
TLP385(D4-BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-BL,E 0.5500
보상요청
 ECAD 8372 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP385(D4-BLE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP385(D4YH-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4YH-TR,E 0.5500
보상요청
 ECAD 6869 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP183(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(BL-TPL,E 0.5100
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP626(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(TP1,F) -
보상요청
 ECAD 1950년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP626 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 50mA 8μs, 8μs 55V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP385(D4Y-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4Y-TPR,E 0.5600
보상요청
 ECAD 4533 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP250(D4-SIEM,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4-SIEM,F) -
보상요청
 ECAD 3089 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(D4-SIEMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP624F Toshiba Semiconductor and Storage TLP624F -
보상요청
 ECAD 9727 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP624 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 8μs, 8μs 55V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP2761F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F(D4,F) -
보상요청
 ECAD 9878 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2761 그렇지, 그렇지 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO - RoHS 준수 1(무제한) TLP2761F(D4F) EAR99 8541.49.8000 50 10mA 15MBd 3ns, 3ns 1.5V 10mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
4N25A(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N25A(단,에프) -
보상요청
 ECAD 8159 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) 4N25 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) 4N25ASHORTF EAR99 8541.49.8000 50 100mA 2μs, 200μs 30V 1.15V 80mA 2500Vrms 20% @ 10mA - - 500mV
TLP785(D4GH-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GH-F6,F -
보상요청
 ECAD 8482 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(D4GH-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP351(D4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351(D4,Z,F) -
보상요청
 ECAD 5056 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP351 - 1(무제한) 264-TLP351(D4ZF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP383(D4YH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(D4YH-TL,E 0.6000
보상요청
 ECAD 3131 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP383 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP732(D4GRL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4GRL-LF2,F -
보상요청
 ECAD 4287 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP732 - 1(무제한) 264-TLP732(D4GRL-LF2F EAR99 8541.49.8000 50
TLP266J(V4T7TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4T7TL,E 0.9200
보상요청
 ECAD 2489 0.00000000 도시바 및 저장 TLP 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP266 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30mA 3750Vrms 600V 70mA 600μA(통상) 예 200V/μs 10mA 30μs
TLP351(LF1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351(LF1,Z,F) -
보상요청
 ECAD 6189 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP351 - 1(무제한) 264-TLP351(LF1ZF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP160G(T7-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(T7-TPL,U,F -
보상요청
 ECAD 4558 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP160G - 1(무제한) 264-TLP160G(T7-TPLUFTR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP2409(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2409(F) -
보상요청
 ECAD 1952년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TLP2409 DC 1 트랜지스터 8-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP2409F EAR99 8541.49.8000 100 16mA - 20V 1.57V 25mA 3750Vrms 20% @ 16mA - 800ns, 800ns(최대) -
TLP121(GR-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GR-TPR,F) -
보상요청
 ECAD 6997 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP121 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP121(GR-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP3063SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3063SCF -
보상요청
 ECAD 9668 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm), 5리드 TLP3063 BSI, SEMKO, UR 1 조치액 6-DIP(컷), 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50mA 5000Vrms 600V 100mA 600μA(통상) 예 200V/μs 5mA -
TLP385(GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GRH,E 0.5500
보상요청
 ECAD 2485 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP385(GRHE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP733F(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-C172,F) -
보상요청
 ECAD 9187 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP733 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 - RoHS 준수 해당사항 없음 TLP733F(D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1,500 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP627-2(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2(SANYD,F) -
보상요청
 ECAD 2936 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP627 - 1(무제한) 264-TLP627-2(SANYDF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4-GRL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GRL,E) -
보상요청
 ECAD 1801 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4-GRLE) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

견적요청 목록 (0개 항목)
장바구니 목록 (0개 품목)
Wishlist위시리스트(0개 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량: 1

비교 목록(0개 항목)
Enter 키를 눌러 검색하거나 ESC를 눌러 닫으세요.