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아이솔레이터(2050)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP160J(V4OM5TRUCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4OM5TRUCF -
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 ECAD 5428 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP160J - 1(무제한) 264-TLP160J(V4OM5TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP183(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(YH,E 0.5100
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 ECAD 1248 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP183(YHE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP385(D4BL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4BL-TR,E 0.5600
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 ECAD 2213 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP781(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(Y,F) -
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 ECAD 2849 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(YF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP183(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GRL-TPL,E 0.5100
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 ECAD 6712 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP291(Y-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(Y-TP,SE 0.6000
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 ECAD 1551 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP2531(QCPL4532,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(QCPL4532,F -
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 ECAD 4357 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP2531 DC 2 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP2531(QCPL4532F EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25mA 2500Vrms 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200ns, 300ns -
TLP630(TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(타,에프) -
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 ECAD 4822 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP630 그렇지, 그렇지 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 다운로드 264-TLP630(TAF) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP160G(T5-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(T5-TPL,U,F -
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 ECAD 6220 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP160G - 1(무제한) 264-TLP160G(T5-TPLUFTR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP700(GEHC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700(GEHC,F) -
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 ECAD 5009 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP700 광커플링 CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SDIP 갈매기 날개 다운로드 264-TLP700(GEHCF) EAR99 8541.49.8000 1 1.5A, 1.5A 2A 50ns, 50ns 1.57V 20mA 5000Vrms 15kV/μs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
TLP631(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(GB-TP1,F) -
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 ECAD 7347 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP631 - 1(무제한) 264-TLP631(GB-TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP785F(D4Y-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4Y-F7,F -
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 ECAD 8840 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4Y-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLX9160T(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9160T(TPL,F 7.4200
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) DC 1 MOSFET 16-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 - - - 1.65V 30mA 5000Vrms - - 1ms, 1ms(최대) -
TLP785F(D4-BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-BLL,F -
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 ECAD 7615 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4-BLLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP331(BV-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331(BV-LF1,F) -
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 ECAD 6076 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP331 - 1(무제한) 264-TLP331(BV-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4GHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GHT7,F -
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 ECAD 6227 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4GHT7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(TP,SE 0.5100
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP290 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP785(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-GR,F 0.6200
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 ECAD 85 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 TLP785(D4-GRF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP5771(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771(D4-TP,E 0.9489
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 ECAD 2833 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5771 광커플링 CQC, cUR, UR, VDE 1 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP5771(D4-TPE EAR99 8541.49.8000 1,500 1A, 1A 1A 15ns, 8ns 1.65V 8mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP351(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351(F) 1.9200
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP351 광커플링 - 1 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 400mA, 400mA 600mA 50ns, 50ns 1.55V 20mA 3750Vrms 10kV/μs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP185(V4GRTR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(V4GRTR, SE 0.5900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP2398(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2398(TPL,E -
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 ECAD 1028 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2398 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 6-SO, 5리드 - 1(무제한) 264-TLP2398(TPLETR EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA 5Mbps 15ns, 12ns 1.5V 20mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP781(D4-GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GRH,F) -
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 ECAD 5401 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4-GRHF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP531(MBS-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(MBS-TP5,F) -
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 ECAD 3705 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP531 - 1(무제한) 264-TLP531(MBS-TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP250(D4-SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4-SANYD,F) -
보상요청
 ECAD 2089 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(D4-SANYDF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP120(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(GB-TPR,F) -
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 ECAD 6747 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP120 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP120(GB-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP759F(D4FA1T4SJF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4FA1T4SJF -
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 ECAD 3610 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP759 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP759F(D4FA1T4SJF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP523(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523(TP1,F) -
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 ECAD 5051 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP523 - 1(무제한) 264-TLP523(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP265J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(TPL,E 0.8200
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 ECAD 5753 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP265 CQC, CU, UR 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50mA 3750Vrms 600V 70mA 1mA(통상) 아니요 500V/μs(통상) 10mA 20μs
TLP290(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(GB-TP,E) -
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 ECAD 9873 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP290 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 4μs, 7μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 7μs, 7μs 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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