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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP292-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4GBTRE 1.7900
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ECAD 2512 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP250F(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F(D4-LF4,F) -
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ECAD 8402 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250F - 1(무제한) 264-TLP250F(D4-LF4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP352F(LF4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F(LF4,S) -
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ECAD 2661 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP352F - 1(무제한) 264-TLP352F(LF4S) EAR99 8541.49.8000 50
TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4-C172,F) -
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ECAD 4589 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP734 DC 1 트랜지스터 6- 딥 - RoHS 준수 1(무제한) TLP734(D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1,500 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP5702(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(D4-LF4,E 1.5500
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ECAD 6558 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 TLP5702 DC 1 푸시풀, 토템폴 15V ~ 30V 6-SO 다운로드 1(무제한) 264-TLP5702(D4-LF4E EAR99 8541.49.8000 125 - 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 200ns, 200ns
TLP2310(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2310(TPL,E 1.5500
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ECAD 8032 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2310 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 10mA 5Mbps 11ns, 13ns 1.53V 8mA 3750Vrms 1/0 25kV/μs 250ns, 250ns
TLP352(LF5,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352(LF5,S) -
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ECAD 6802 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP352 - 1(무제한) 264-TLP352(LF5S) EAR99 8541.49.8000 50
TLP531(MBS-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(MBS-TP5,F) -
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ECAD 3705 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP531 - 1(무제한) 264-TLP531(MBS-TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP781F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(F) -
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ECAD 6116 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP292-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4-LA,E 1.7900
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ECAD 3649 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 50% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
TLP265J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(TPL,E 0.8200
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ECAD 5753 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP265 CQC, CU, UR 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50mA 3750Vrms 600V 70mA 1mA(통상) 아니요 500V/μs(통상) 10mA 20μs
TLP290(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(GB-TP,E) -
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ECAD 9873 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP290 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 4μs, 7μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 7μs, 7μs 300mV
TLP160G(MBS-TR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(MBS-TR,U,F -
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ECAD 9680 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP160G - 1(무제한) 264-TLP160G(MBS-트루프터 EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP250(D4-SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4-SANYD,F) -
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ECAD 2089 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(D4-SANYDF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759F(D4FA1T4SJF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4FA1T4SJF -
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ECAD 3610 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP759 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP759F(D4FA1T4SJF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP127(NS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(NS-TPL,F) -
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ECAD 2554 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(NS-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP2958(D4-MBT1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958(D4-MBT1,F) -
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ECAD 1956년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP2958 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 8- 딥 다운로드 264-TLP2958(D4-MBT1F) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5Mbps 15ns, 10ns 1.55V 25mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP250H(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(LF5,F) -
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ECAD 2930 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP250 DC 1 푸시풀, 토템폴 10V ~ 30V 8-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP250H(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50 2A - 50ns, 50ns 1.57V 20mA 3750Vrms 1/0 40kV/μs 500ns, 500ns
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB-TP,E) -
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ECAD 5477 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 4μs, 7μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 7μs, 7μs 300mV
TLP120(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(GB-TPR,F) -
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ECAD 6747 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP120 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP120(GB-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP523(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523(TP1,F) -
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ECAD 5051 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP523 - 1(무제한) 264-TLP523(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP2398(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2398(TPL,E -
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ECAD 1028 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2398 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 6-SO, 5리드 - 1(무제한) 264-TLP2398(TPLETR EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA 5Mbps 15ns, 12ns 1.5V 20mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP781(D4GRH-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRH-TP6,F -
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ECAD 5325 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4GRH-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785F(GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GR,F 0.7200
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ECAD 100 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 TLP785F(GRF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP5752H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H(D4-TP,E -
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ECAD 1023 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 2 6-SO 다운로드 1 2.5A, 2.5A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP781(D4-GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GRH,F) -
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ECAD 5401 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4-GRHF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785F(D4GHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GHT7,F -
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ECAD 6227 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4GHT7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP185(V4GRTR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(V4GRTR, SE 0.5900
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP781F(TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(TP7,F) -
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ECAD 4254 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP250(MBSKO-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(MBSKO-LF1,F -
보상요청
ECAD 8116 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(MBSKO-LF1F EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고