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아이솔레이터(2050)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP385(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GB-TPR,E 0.5500
보상요청
 ECAD 1431 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP2710(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710(TP4,E 1.6000
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 ECAD 1480 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2710 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 10mA 5MBd 11ns, 13ns 1.9V(최대) 8mA 5000Vrms 1/0 25kV/μs 250ns, 250ns
TLP5754H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754H(D4TP4,E 2.0800
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5754 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 4A, 4A 4A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP121(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GR,F) -
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 ECAD 9097 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP121 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP121(GRF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP3064(TP1,SC,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3064(TP1,SC,F,T) -
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 ECAD 3454 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-SMD(5리드), 걸윙 TLP3064 1 조치액 6-DIP(컷), 5리드 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 6mA 5000Vrms 600V 600μA 예 3mA
TLP292-4(LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LGB,E 1.7900
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 ECAD 6005 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 100% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
TLP732(D4-NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4-NEMIC,F) -
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 ECAD 5116 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP732 - 1(무제한) 264-TLP732(D4-NEMICF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2704(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704(D4-TP,E 1.4600
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2704 DC 1 오픈 컬렉터 4.5V ~ 30V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 15mA - - 1.55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 400ns, 550ns
TLP2361(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361(V4-TPL,E 1.0600
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 ECAD 1208 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2361 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 10mA 15MBd 3ns, 3ns 1.5V 10mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP124(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(BV,F) -
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 ECAD 8492 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP124 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP124(BVF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 200% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP750(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-O-LF2,F) -
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 ECAD 7625 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP750 - 1(무제한) 264-TLP750(D4-O-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759(D4IM-F1,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4IM-F1,J,F -
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 ECAD 8173 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP759(D4IM-F1JF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP265J(V4T7TR,E(T Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4T7TR,E(T -
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 ECAD 9072 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP265 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 조치액 6-SOP - 1(무제한) 264-TLP265J(V4T7TRE(TTR EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50mA 3750Vrms 600V 70mA 1mA 아니요 500V/μs(통상) 7mA 100μs
TLP383(D4BLLTL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(D4BLLTL,E 0.6000
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 ECAD 2511 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP383 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 500μA에서 200% 500μA에서 400% 3μs, 3μs 300mV
TLP2358(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2358(TPR,E) 1.0200
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 ECAD 2139 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2358 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA - 15ns, 12ns 1.55V 20mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP734(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4-C173,F) -
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 ECAD 9944 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP734 - 1(무제한) 264-TLP734(D4-C173F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP191B(TOJSTLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B(TOJSTLUC,F -
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 ECAD 6124 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 DC 태양광 6-MFSOP, 4리드 다운로드 264-TLP191B(TOJSTLUCF EAR99 8541.49.8000 1 24μA - 8V 1.4V 50mA 2500Vrms - - 200μs, 3ms -
TLP5772H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H(D4LF4,E 2.6700
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 ECAD 5296 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5772 DC 1 푸시풀, 토템폴 15V ~ 30V 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 - 56ns, 25ns 1.55V 8mA 5000Vrms 1/0 35kV/μs 150ns, 150ns
TLP785(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(Y,F) 0.6400
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 ECAD 90 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781F(D4-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-TP7,F) -
보상요청
 ECAD 1848년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
6N138(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 6N138(TP1,F) -
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 ECAD 1363 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 70°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 6N138 DC 1 잎이 있는 달링턴 8-SMD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 60mA - 18V 1.65V 20mA 2500Vrms 300% @ 1.6mA - 1μs, 4μs -
TLP781(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(GB,F) -
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 ECAD 3381 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP781GBF 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785F(BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BLL,F -
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 ECAD 6830 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(BLLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781(LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(LF6,F) -
보상요청
 ECAD 7743 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP9121A(TOYOGTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(TOYOGTL,F -
보상요청
 ECAD 7371 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 264-TLP9121A(TOYOGTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP2761(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(D4-TP4,E -
보상요청
 ECAD 1286 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2761 그렇지, 그렇지 1 2.7V ~ 5.5V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP2761(D4-TP4E EAR99 8541.49.8000 1,500 10mA 15MBd 3ns, 3ns 1.5V 10mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP3905(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905(TPL,E 1.8500
보상요청
 ECAD 9912 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP3905 DC 1 태양광 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 30μA(통상) - 7V 1.65V 30mA 3750Vrms - - 300μs, 1ms -
TLP504A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A(F) -
보상요청
 ECAD 8450 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP504 DC 2 트랜지스터 8- 딥 다운로드 1(무제한) TLP504AF EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 2500Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP550(SANYD-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(SANYD-O,F) -
보상요청
 ECAD 6463 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP550 - 1(무제한) 264-TLP550(샌디-OF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2361(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361(TPL,E 1.0300
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2361 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 10mA 15MBd 3ns, 3ns 1.5V 10mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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