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아이솔레이터(2050)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP9104A(FD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(FD-TL,F) -
보상요청
 ECAD 2021 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 264-TLP9104A(FD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP5702(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(TP,E 1.4400
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5702 DC 1 푸시풀, 토템폴 15V ~ 30V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 1A - 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 200ns, 200ns
TLP5752(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752(TP,E 2.5800
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 ECAD 7033 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5752 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL 1 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 2.5A, 2.5A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP385(GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GRH,E 0.5500
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 ECAD 2485 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP385(GRHE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP781(D4-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-LF6,F) -
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 ECAD 4918 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP5774H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H(D4TP4,E 2.6800
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 ECAD 4338 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5774 분자성 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 4A, 4A 4A 56ns, 25ns 1.65V 8mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP781(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(TP6,F) -
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 ECAD 3754 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(TP6F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785(D4-Y-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-Y-T6,F -
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 ECAD 4691 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(D4-Y-T6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP250(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(화낙,F) -
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 ECAD 1462 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(FANUCF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781(D4GRLL6TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRLL6TC,F -
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 ECAD 1217 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4GRLL6TCFTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP388(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(D4GB-TR,E 0.7800
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 ECAD 7489 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP388 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 350V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP104(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP104(E) 1.5100
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 ECAD 9716 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP104 DC 1 오픈컬렉터 4.5V ~ 30V 6-SO, 5리드 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 8mA 1Mbps - 1.61V 25mA 3750Vrms 1/0 15kV/μs 550ns, 400ns
TLP705A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705A(F) -
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 ECAD 8970 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP705 광커플링 cUL, UL 1 6-SDIP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 100 400mA, 400mA 600mA 35ns, 15ns 1.57V 25mA 5000Vrms 20kV/μs 170ns, 170ns 50ns 10V ~ 30V
TLP759(D4FA1T1SJ,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4FA1T1SJ,F -
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 ECAD 4617 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP759 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP759(D4FA1T1SJF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP2066(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066(TPL,F) -
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 ECAD 9257 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP2066 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 3.6V 6-MFSOP, 5리드 - 264-TLP2066(TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 10mA 20Mbps 5ns, 4ns 1.6V 25mA 3750Vrms 1/0 15kV/μs 60ns, 60ns
TLP127(U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(U,F) -
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 ECAD 7414 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(UF) EAR99 8541.49.8000 150 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP759(D4KEBIMT1JF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4KEBIMT1JF -
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 ECAD 7952 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP759(D4KEBIMT1JF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP2531(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(MBS,F) -
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 ECAD 6376 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP2531 DC 2 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP2531(MBSF) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25mA 2500Vrms 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200ns, 300ns -
TLP550-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550-TP4,F) -
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 ECAD 2240 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP550 - 1(무제한) 264-TLP550-TP4F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP2766(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766(TP,F) -
보상요청
 ECAD 2345 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SDIP 갈매기 날개 다운로드 264-TLP2766(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10mA 20Mbps 15ns, 15ns 1.55V 25mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 55ns, 55ns
TLP351(D4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351(D4,Z,F) -
보상요청
 ECAD 5056 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP351 - 1(무제한) 264-TLP351(D4ZF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP266J(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4-TPL,E 0.9300
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 TLP 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP266 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30mA 3750Vrms 600V 70mA 600μA(통상) 예 200V/μs 10mA 30μs
TLP187(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187(E 1.0200
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 ECAD 7801 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP187 DC 1 달링턴 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 150mA 40μs, 15μs 300V 1.25V 50mA 3750Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP781F(D4GRF7TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRF7TC,F -
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 ECAD 1337 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4GRF7TCF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781F(D4NKODGB7F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4NKODGB7F -
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 ECAD 3296 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4NKODGB7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
4N35(SHORT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35(쇼트-TP5,F) -
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 ECAD 6380 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 4N35 - 1(무제한) 264-4N35(짧은-TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP781F(D4-GR-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GR-FD,F -
보상요청
 ECAD 6200 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4-GR-FDF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP5231(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5231(D4,E 5.5100
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 ECAD 2097 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5231 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 2 16-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 1A, 1A 2.5A 50ns, 50ns 1.7V 25mA 5000Vrms 25kV/μs 300ns, 300ns 150ns 21.5V ~ 30V
TLP733F(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-C172,F) -
보상요청
 ECAD 9187 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP733 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 - RoHS 준수 해당사항 없음 TLP733F(D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1,500 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP292-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4LGB,E 1.7900
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 ECAD 2917 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 100% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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