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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP781(D4-YH-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-YH-TP6,F -
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ECAD 1397 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4-YH-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP385(D4GL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4GL-TL,E 0.5600
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP785(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(F 0.2172
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ECAD 3380 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C TLP785 DC 1 트랜지스터 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(에프 EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP628MF(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MF(GB,E 0.9200
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ECAD 8466 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP628 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 5.5μs, 10μs 350V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 10μs, 10μs 400mV
TLP360J(CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360J(카노) -
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ECAD 5866 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP360 CQC, cUL, UL, VDE 1 조치액 4- 딥 - 264-TLP360J(카노) EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 50mA 5000Vrms 600V 100mA 1mA 아니요 500V/μs(통상) 10mA 30μs
TLP250F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F(D4-TP4,F) -
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ECAD 2619 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250F - 1(무제한) 264-TLP250F(D4-TP4F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP628M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(E 0.9200
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ECAD 9029 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP628 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP628M(E EAR99 8541.49.8000 100 50mA 5.5μs, 10μs 350V 1.25V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10μs, 10μs 400mV
TLP190B(OMT-TLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B(OMT-TLUC,F -
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ECAD 1361 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP190 DC 1 태양광 6-MFSOP, 4리드 다운로드 264-TLP190B(OMT-TLUCF EAR99 8541.49.8000 1 12μA - 8V 1.4V 50mA 2500Vrms - - 200μs, 1ms -
TLP351F(LF4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351F(LF4,Z,F) -
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ECAD 1346 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP351 - 1(무제한) 264-TLP351F(LF4ZF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP532(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(GRL,F) -
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ECAD 2775 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP532 - 1(무제한) 264-TLP532(GRLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2395(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2395(E -
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ECAD 7558 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2395 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 6-SO, 5리드 - 1(무제한) 264-TLP2395(E EAR99 8541.49.8000 150 25mA 5Mbps 15ns, 12ns 1.5V 20mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP781(D4GRT6-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRT6-FD,F -
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ECAD 6625 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4GRT6-FDFTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785(GR-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GR-TP6,F) 0.6400
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ECAD 71 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP548J(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP548J(TP1,F) 1.0100
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -25°C ~ 85°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP548 UR 1 SCR 6- 딥 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.49.8000 1,500 1.15V 50mA 2500Vrms 600V 150mA 1mA 아니요 5V/μs 7mA 10μs
TLP5771H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771H(D4-TP,E 2.4800
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ECAD 3599 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5771 분자성 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 1A, 1A 1A 56ns, 25ns 1.65V 8mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP5705H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(D4,E 1.9300
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ECAD 8018 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) DC 1 푸시풀, 토템폴 10V ~ 30V 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1.65V 20mA 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200ns, 200ns
TLP5832(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832(E 2.8300
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ECAD 4832 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 8-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) DC 1 푸시풀, 토템폴 15V ~ 30V 8-SO 다운로드 1(무제한) 264-TLP5832(E EAR99 8541.49.8000 75 - 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 200ns, 200ns
TLP627-2(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2(SANYD,F) -
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ECAD 2936 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP627 - 1(무제한) 264-TLP627-2(SANYDF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP700F(D4ABB-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP700F(D4ABB-TP,F -
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ECAD 6946 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP700 광커플링 - 1 6-SDIP 갈매기 날개 다운로드 264-TLP700F(D4ABB-TPF EAR99 8541.49.8000 1 - 2A - - 5000Vrms 15kV/μs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
TLP5752H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H(E -
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ECAD 1855년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 2 6-SO 다운로드 264-TLP5752H(E 1 2.5A, 2.5A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP161G(IFT5,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G(IFT5,U,C,F -
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ECAD 8905 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP161G - 1(무제한) 264-TLP161G(IFT5UCFTR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP351(LF1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351(LF1,Z,F) -
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ECAD 6189 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP351 - 1(무제한) 264-TLP351(LF1ZF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP9104A(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(HNE-TL,F) -
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ECAD 6741 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 264-TLP9104A(HNE-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP385(D4YH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4YH-TL,E 0.5600
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ECAD 6568 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP5751(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751(D4-TP4,E 2.5100
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5751 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 1A, 1A 1A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP293-4(LGBTP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(LGBTP,E 1.6400
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ECAD 8910 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP293 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 100% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
TLP781(YH-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(YH-TP6,F) -
보상요청
ECAD 8852 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(YH-TP6F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP731(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(GR-LF2,F) -
보상요청
ECAD 4124 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP731 - 1(무제한) 264-TLP731(GR-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP552(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552(호,에프) -
보상요청
ECAD 8201 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP552 - 1(무제한) 264-TLP552(호프) EAR99 8541.49.8000 50
TLP183(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB-TPL,E 0.5000
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ECAD 1538년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고