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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 전류 - 출력 피크 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 펄스 펄스 왜곡 왜곡 (최대) 전압 - 공급 출력 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
TLP250F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F (D4-TP4, F) -
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP250F - 1 (무제한) 264-TLP250F (D4-TP4F) TR 귀 99 8541.49.8000 1,500
TLP750(D4-O-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 2156 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP750 - 1 (무제한) 264-TLP750 (D4-O-LF1F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP531(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (GR-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP531 - 1 (무제한) 264-TLP531 (GR-LF2F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP732(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (LF2, F) -
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP732 - 1 (무제한) 264-TLP732 (LF2F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP523-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-2 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP523 - 1 (무제한) 264-TLP523-2 (LF1F) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4GB-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GB-TP7, f -
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (D4GB-TP7FTR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP785(D4YH-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4YH-F6, f -
RFQ
 ECAD 8254 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (D4YH-F6F 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP785F(BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f (bll, f -
RFQ
 ECAD 6830 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785F (BLLF 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP785F(D4-YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-YH, f -
RFQ
 ECAD 9200 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785F (D4-YHF 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP781(LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (LF6, F) -
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (LF6F) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP127(PSE-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (PSE-TPL, U, f -
RFQ
 ECAD 1770 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4 리드 - 1 (무제한) 264-TLP127 (PSE-TPLUFTR 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 40µs, 15µs 300V 1.15V 50 MA 2500VRMS 1000% @ 1ma - 50µs, 15µs 1.2V
TLP127(TOJS-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (TOJS-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 9653 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4 리드 - 1 (무제한) 264-TLP127 (TOJS-TPRF) TR 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 40µs, 15µs 300V 1.15V 50 MA 2500VRMS 1000% @ 1ma - 50µs, 15µs 1.2V
TLP127(HIT-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Hit-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 4179 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4 리드 - 1 (무제한) 264-TLP127 (HIT-TPLF) TR 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 40µs, 15µs 300V 1.15V 50 MA 2500VRMS 1000% @ 1ma - 50µs, 15µs 1.2V
TLX9304(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlx9304 (tpl, f 3.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLX9304 DC 1 오픈 오픈 4.5V ~ 20V 6-5 리드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 15 MA - - 1.56V 25MA 3750vrms 1/0 15kV/µs 400ns, 550ns
TLP161G(IFT7,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (IFT7, U, C, F. -
RFQ
 ECAD 8697 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP161 - 1 (무제한) 264-tlp161g (ift7ucftr 귀 99 8541.49.8000 3,000
TLP5752H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H (e -
RFQ
 ECAD 1855 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 광학 광학 링 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 2 6- 형 다운로드 264-TLP5752H (e 1 2.5A, 2.5A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20 MA 5000VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP2363(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363 (e 1.0200
RFQ
 ECAD 7054 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLP2363 DC 1 오픈 오픈 2.7V ~ 5.5V 6-5 리드 다운로드 1 (무제한) 264-TLP2363 (e 귀 99 8541.49.8000 125 25 MA 10Mbps 23ns, 7ns 1.5V 25MA 3750vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP5754H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754H (D4LF4, e 2.0800
RFQ
 ECAD 8181 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP5754 광학 광학 링 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- 형 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 125 4a, 4a 4a 15ns, 8ns 1.55V 20 MA 5000VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP3083F(TP4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (TP4, f 1.7900
RFQ
 ECAD 8342 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개, 5 개의 리드 TLP3083 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.15V 50 MA 5000VRMS 800 v 100 MA 600µA 예 2kv/µs (유형) 5MA -
TLP5771H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771H (D4-TP, e 2.4800
RFQ
 ECAD 3599 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP5771 용량 용량 커플 성 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- 형 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 1a, 1a 1A 56ns, 25ns 1.65V 8 MA 5000VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP5772H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (TP, e 2.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP5772 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 15V ~ 30V 6- 형 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 - 56ns, 25ns 1.55V 8ma 5000VRMS 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP5214(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5214 (D4-TP, e 6.8400
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP5214 광학 광학 링 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 16- 형의 행위 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 3A, 3A 4a 32ns, 18ns 1.7V (최대) 25 MA 5000VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP781F(D4GRF7TC,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f (d4grf7tc, f -
RFQ
 ECAD 1337 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (D4GRF7TCF 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP550(TCCJ,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (TCCJ, F) -
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP550 - 1 (무제한) 264-TLP550 (TCCJF) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP161J(V4DMTR,C,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp161j (v4dmtr, c, f -
RFQ
 ECAD 7599 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP161 - 1 (무제한) 264-TLP161J (v4dmtrcftr 귀 99 8541.49.8000 3,000
TLP3083(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083 (f -
RFQ
 ECAD 8887 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm), 5 개의 리드 TLP3083 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 264-TLP3083 (f 귀 99 8541.49.8000 1 1.15V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 600µA 예 2kv/µs (유형) 5MA -
TLP3052A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3052A (f -
RFQ
 ECAD 2712 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm), 5 개의 리드 TLP3052 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 264-TLP3052A (f 귀 99 8541.49.8000 1 1.15V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 600µA 아니요 2kv/µs (유형) 10MA -
TLP5705H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (D4-TP, e 1.9100
RFQ
 ECAD 840 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 15V ~ 30V 6- 형 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 - 37ns, 50ns 1.55V 20MA 5000VRMS 1/1 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP759(D4IM-T1,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4IM-T1, J, f -
RFQ
 ECAD 9523 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP759 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 264-TLP759 (D4IM-T1JF 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP669L(D4,S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669L (D4, S, C, F) -
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 TLP669 CSA, CUL, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP - 264-TLP669L (D4SCF) 귀 99 8541.49.8000 1 1.2V 30 MA 5000VRMS 800 v 100 MA 600µA 예 500V/µS (타이핑) 10MA 30µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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