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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP557(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP557(F) -
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ECAD 1392 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -30°C ~ 70°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) 전력산업 드라이버 TLP557 DC UR 1 5V ~ 13V 8- 딥 - RoHS 준수 1(무제한) TLP557F EAR99 8541.49.8000 50 320mA 50ns, 50ns 1.55V 25mA 2500Vrms 2kV/μs 5μs, 5μs
TLP266J(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4,E 0.9000
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ECAD 3690 0.00000000 도시바 및 저장 TLP 튜브 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP266 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP266J(V4E EAR99 8541.49.8000 125 1.27V 30mA 3750Vrms 600V 70mA 600μA(통상) 200V/μs 10mA 30μs
TLP137(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(F) -
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ECAD 8722 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP137 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6-MFSOP, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 150 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP759(LF1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(LF1,J,F) -
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ECAD 6163 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP759 DC 1 트랜지스터 8-SMD 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 TLP759(LF1JF) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - 200ns, 300ns -
TLP3043(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3043(S,C,F) -
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ECAD 3306 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm), 5리드 TLP3043 BSI, SEMKO, UR 1 조치액 6-DIP(컷), 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50mA 5000Vrms 400V 100mA 600μA(통상) 200V/μs 5mA -
TLP2358(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2358(E) 1.0200
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ECAD 53 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2358 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 25mA - 15ns, 12ns 1.55V 20mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP781(D4-BL-SD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-BL-SD,F) -
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ECAD 9452 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4-BL-SDF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP293-4(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(TPR,E 1.6000
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP293 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP124(TPL-PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPL-PP,F) -
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ECAD 5763 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP124 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP124(TPL-PPF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 3750Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP785F(D4B-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4B-T7,F -
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ECAD 2374 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4B-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP332(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP332(F) -
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ECAD 5578 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP332 DC 1 트랜지스터 6- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 8μs, 8μs 55V 1.15V 50mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP3032(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3032(S,C,F) -
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ECAD 4051 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm), 5리드 TLP3032 UR 얌코 1 조치액 6-DIP(컷), 5리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP3032(SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - 5000Vrms 250V 100mA - - 10mA -
4N25(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N25(쇼트,에프) -
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ECAD 4967 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) 4N25 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) 4N25SHORTFT EAR99 8541.49.8000 50 100mA 2μs, 200μs 30V 1.15V 80mA 2500Vrms 20% @ 10mA - - 500mV
TLP759F(D4-LF4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4-LF4,J,F -
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ECAD 6069 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8-SMD 다운로드 264-TLP759F(D4-LF4JF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP781F(D4BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4BL-LF7,F -
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ECAD 6770 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4BL-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP714(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714(F) -
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ECAD 5428 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP714 DC 1 오픈 컬렉터 4.5V ~ 30V 6-SDIP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP714F EAR99 8541.49.8000 100 15mA 1Mbps - 1.55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 550ns, 400ns
TLP2160(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2160(F) -
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ECAD 3836 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TLP2160 DC 2 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 8-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP2160F EAR99 8541.49.8000 100 10mA 20MBd 15ns, 15ns 1.55V 25mA 2500Vrms 2/0 20kV/μs 40ns, 40ns
TLP715F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F(TP,F) -
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ECAD 8866 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP715 DC 1 푸시풀, 토템폴 4.5V ~ 20V 6-SDIP 다운로드 264-TLP715F(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5Mbps 30ns, 30ns 1.6V 20mA 5000Vrms 1/0 10kV/μs 250ns, 250ns
TLP785(D4GR-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GR-F6,F -
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ECAD 7555 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(D4GR-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP352F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F(D4-TP4,F) 1.9400
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ECAD 229 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP352 광커플링 CSA, cUL, UL, VDE 1 8-SMD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,000 2A, 2A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 3750Vrms 20kV/μs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP190B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B(U,C,F) -
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ECAD 8038 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 마지막 구매 -40°C ~ 85°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP190 DC 1 태양광 6-MFSOP, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 150 12μA - 8V 1.4V 50mA 2500Vrms - - 200μs, 1ms -
TLP250(D4INV-LF5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4INV-LF5,F -
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ECAD 7593 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(D4INV-LF5F EAR99 8541.49.8000 50
TLP750(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-TP4,F) -
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ECAD 9240 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP750 - 1(무제한) 264-TLP750(D4-TP4F) EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP385(D4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-TPR,E 0.5600
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ECAD 6071 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP184(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(TPR,SE 0.5000
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP184 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP2366(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(V4-TPR,E 0.5069
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ECAD 9459 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2366 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP2366(V4-TPRE EAR99 8541.49.8000 3,000 10mA 20MBd 15ns, 15ns 1.61V 25mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 40ns, 40ns
TLP759(IGM-LF2,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(IGM-LF2,J,F -
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ECAD 8099 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP759(IGM-LF2JF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP131(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(GR-TPL,F) -
보상요청
ECAD 3379 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP131 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6-MFSOP, 5리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP131(GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP532(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(GR,F) -
보상요청
ECAD 4121 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP532 - 1(무제한) 264-TLP532(GRF) EAR99 8541.49.8000 50
TLX9300(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9300(TPL,F 3.1500
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ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLX9300 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA - 40V 1.25V 30mA 3750Vrms 100% @ 5mA 900% @ 5mA 15μs, 50μs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고