SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 채널 유형 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 절연전원 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대)
TLP127(MAT-L-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(MAT-L-TPL,F -
보상요청
ECAD 3726 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(MAT-L-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP627M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(TP1,E 0.9300
보상요청
ECAD 8195 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP627 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 150mA 60μs, 30μs 300V 1.25V 50mA 5000Vrms 1000% @ 1mA - 110μs, 30μs 1.2V
TLP781F(D4-GR-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GR-SD,F -
보상요청
ECAD 2574 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4-GR-SDF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781(D4-Y-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-Y-LF6,F) -
보상요청
ECAD 4558 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4-Y-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP759(D4MB3F4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4MB3F4,J,F -
보상요청
ECAD 6129 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP759 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP759(D4MB3F4JF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP785(D4GB-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GB-T6,F -
보상요청
ECAD 8586 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(D4GB-T6FTR EAR99 8541.49.8000 4,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP731(D4-GB-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GB-TP1,F -
보상요청
ECAD 5890 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP731 - 1(무제한) 264-TLP731(D4-GB-TP1F EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(D4TP4,E 1.9900
보상요청
ECAD 8441 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) DC 1 푸시풀, 토템폴 15V ~ 30V 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 - 37ns, 50ns 1.55V 20mA 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200ns, 200ns
DCL540D01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540D01(T,E 6.3000
보상요청
ECAD 7301 0.00000000 도시바 및 저장 DCL540x01 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) 범용 DCL540 자기소개 4 2.25V ~ 5.5V 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1,500 150Mbps 단방향 0.9ns, 0.9ns 5000Vrms 4/0 100kV/μs 18.3ns, 18.3ns 2.8ns
TLP120(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(TPL,F) -
보상요청
ECAD 9244 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP120 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP120(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785F(D4GRF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GRF7,F -
보상요청
ECAD 1395 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4GRF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP620-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(LF1,F) -
보상요청
ECAD 5900 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP620 그렇지, 그렇지 2 트랜지스터 8-SMD 다운로드 264-TLP620-2(LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP627M(D4-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(D4-LF1,E 0.9300
보상요청
ECAD 4484 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD(0.300", 7.62mm) TLP627 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 100 150mA 60μs, 30μs 300V 1.25V 50mA 5000Vrms 1000% @ 1mA - 110μs, 30μs 1.2V
TLP781F(D4GR-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GR-LF7,F -
보상요청
ECAD 8701 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4GR-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2531(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(TP1,F) -
보상요청
ECAD 8249 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP2531 DC 2 껌이 있는 트랜지스터 8-SMD 다운로드 264-TLP2531(TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25mA 2500Vrms 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200ns, 300ns -
TLP781F(D4-BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-BLL,F) -
보상요청
ECAD 8857 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4-BLLF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP183(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(YH,E 0.5100
보상요청
ECAD 1248 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP183(YHE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP385(D4BL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4BL-TR,E 0.5600
보상요청
ECAD 2213 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP183(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GRL-TPL,E 0.5100
보상요청
ECAD 6712 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP700(GEHC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700(GEHC,F) -
보상요청
ECAD 5009 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP700 광커플링 CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SDIP 갈매기 날개 다운로드 264-TLP700(GEHCF) EAR99 8541.49.8000 1 1.5A, 1.5A 2A 50ns, 50ns 1.57V 20mA 5000Vrms 15kV/μs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
TLP785F(D4Y-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4Y-F7,F -
보상요청
ECAD 8840 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4Y-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLX9160T(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9160T(TPL,F 7.4200
보상요청
ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) DC 1 MOSFET 16-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 - - - 1.65V 30mA 5000Vrms - - 1ms, 1ms(최대) -
TLP331(BV-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331(BV-LF1,F) -
보상요청
ECAD 6076 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP331 - 1(무제한) 264-TLP331(BV-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4GHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GHT7,F -
보상요청
ECAD 6227 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4GHT7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP5771(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771(D4-TP,E 0.9489
보상요청
ECAD 2833 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5771 광커플링 CQC, cUR, UR, VDE 1 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP5771(D4-TPE EAR99 8541.49.8000 1,500 1A, 1A 1A 15ns, 8ns 1.65V 8mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP351(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351(F) 1.9200
보상요청
ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP351 광커플링 - 1 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 400mA, 400mA 600mA 50ns, 50ns 1.55V 20mA 3750Vrms 10kV/μs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP2398(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2398(TPL,E -
보상요청
ECAD 1028 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2398 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 6-SO, 5리드 - 1(무제한) 264-TLP2398(TPLETR EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA 5Mbps 15ns, 12ns 1.5V 20mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP781(D4-GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GRH,F) -
보상요청
ECAD 5401 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4-GRHF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP531(MBS-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(MBS-TP5,F) -
보상요청
ECAD 3705 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP531 - 1(무제한) 264-TLP531(MBS-TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP250(D4-SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4-SANYD,F) -
보상요청
ECAD 2089 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(D4-SANYDF) EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고