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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP385(GR-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GR-TPR,E 0.5500
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ECAD 6811 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLX9300(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9300(TPL,F 3.1500
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ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLX9300 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA - 40V 1.25V 30mA 3750Vrms 100% @ 5mA 900% @ 5mA 15μs, 50μs 400mV
TLP750(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-TP4,F) -
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ECAD 9240 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP750 - 1(무제한) 264-TLP750(D4-TP4F) EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP352F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F(D4-TP4,F) 1.9400
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ECAD 229 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP352 광커플링 CSA, cUL, UL, VDE 1 8-SMD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,000 2A, 2A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 3750Vrms 20kV/μs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP385(D4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-TPR,E 0.5600
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ECAD 6071 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLPN137(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137(D4-TP1,F) 1.5600
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ECAD 9597 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLPN137 DC 1 오픈 컬렉터 4.5V ~ 5.5V 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.49.8000 1,500 50mA 10MBd 12ns, 3ns 1.55V 20mA 5000Vrms 1/0 10kVμs 75ns, 75ns
TLP2366(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(V4-TPR,E 0.5069
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ECAD 9459 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2366 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP2366(V4-TPRE EAR99 8541.49.8000 3,000 10mA 20MBd 15ns, 15ns 1.61V 25mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 40ns, 40ns
TLP190B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B(U,C,F) -
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ECAD 8038 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 마지막 구매 -40°C ~ 85°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP190 DC 1 태양광 6-MFSOP, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 150 12μA - 8V 1.4V 50mA 2500Vrms - - 200μs, 1ms -
TLP184(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(TPR,SE 0.5000
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP184 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP385(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(YH,E 0.5500
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ECAD 7800 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP385(YHE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP631(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(GB,F) -
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ECAD 7988 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP631 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2066(V4-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066(V4-TPL,F) -
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ECAD 7211 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 3.6V 6-MFSOP, 5리드 - 264-TLP2066(V4-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 10mA 20Mbps 5ns, 4ns 1.6V 25mA 3750Vrms 1/0 15kV/μs 60ns, 60ns
TLP719(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(TP,F) -
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ECAD 4784 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP719 DC 1 트랜지스터 6-SDIP 갈매기 날개 - RoHS 준수 1(무제한) 5A991G 8541.49.8000 1,500 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - 800ns, 800ns(최대) -
TLP2710(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710(D4,E 1.6200
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ECAD 1365 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2710 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 10mA 5MBd 11ns, 13ns 1.9V(최대) 8mA 5000Vrms 1/0 25kV/μs 250ns, 250ns
TLP2372(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372(V4-TPL,E 1.9100
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ECAD 11 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2372 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.2V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 - 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 8mA 20Mbps 2.2ns, 1.6ns 1.53V 8mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 75ns, 75ns
TLP2768(D4MBSTP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768(D4MBSTP,F) -
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ECAD 3853 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) DC 1 오픈 컬렉터, 쇼트키 클램핑 2.7V ~ 5.5V 6-SDIP 갈매기 날개 다운로드 264-TLP2768(D4MBSTPF) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 20MBd 30ns, 30ns 1.55V 25mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
TLP2118(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2118(F) -
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ECAD 4960 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP2118 - 1(무제한) 264-TLP2118(F) EAR99 8541.49.8000 100
TLP268J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J(E 1.0100
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ECAD 7458 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP268 CQC, CU, UR 1 조치액 6-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 1.27V 30mA 3750Vrms 600V 70mA 200μA(통상) 500V/μs(통상) 3mA 100μs
TLP570(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570(MBS,F) -
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ECAD 7499 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP570 - 1(무제한) 264-TLP570(MBSF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP116A(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP116A(E 1.5100
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ECAD 61 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP116 DC 1 푸시풀, 토템폴 4.5V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 5A991 8541.49.8000 125 10mA 20MBd 15ns, 15ns 1.58V 20mA 3750Vrms 1/0 10kV/μs 60ns, 60ns
TLP131(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(GR-TPL,F) -
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ECAD 3379 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP131 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6-MFSOP, 5리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP131(GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP250(D4INV-LF5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4INV-LF5,F -
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ECAD 7593 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(D4INV-LF5F EAR99 8541.49.8000 50
TLP281-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP281-4(GB-TP,J,F -
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ECAD 7222 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 16-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TLP281 DC 4 트랜지스터 16-SOP 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 2500Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2703(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2703(E 1.4600
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ECAD 1968년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2703 DC 1 달링턴 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP2703(E(티 EAR99 8541.49.8000 125 80mA - 18V 1.47V 20mA 5000Vrms 500μA에서 900% 500μA에서 8000% 330ns, 2.5μs -
TLP512(NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(NEMIC,F) -
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ECAD 9991 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP512 - 1(무제한) 264-TLP512(네미프) EAR99 8541.49.8000 50
TLP627-2(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2(HITOMK,F) -
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ECAD 6037 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP627 - 1(무제한) 264-TLP627-2(히톰KF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP754F(LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F(LF4,F) -
보상요청
ECAD 9479 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 DC 1 오픈 컬렉터 4.5V ~ 30V 8-SMD 다운로드 264-TLP754F(LF4,F) EAR99 8541.49.8000 1 15mA 1Mbps - 1.55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 550ns, 400ns
4N30(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N30(쇼트,에프) -
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ECAD 6210 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) 4N30 DC 1 잎이 있는 달링턴 6- 딥 - RoHS 준수 1(무제한) 4N30(단축) EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 80mA 2500Vrms - - 5μs, 40μs(최대) 1V
TLP291(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(TP,SE 0.6000
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ECAD 1495 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP292-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(GB-TP,E 1.8100
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ECAD 8927 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고