SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP385(BLL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(BLL-TPR,E 0.5500
보상요청
ECAD 5465 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP332(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP332(BV,F) -
보상요청
ECAD 2725 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP332 - 1(무제한) 264-TLP332(BVF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP291(V4GBTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(V4GBTP,SE 0.6000
보상요청
ECAD 5106 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP5752(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752(D4-TP,E 2.6500
보상요청
ECAD 758 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5752 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 2.5A, 2.5A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP2955(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955(TP1,F) -
보상요청
ECAD 4558 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 8-SMD 다운로드 264-TLP2955(TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5Mbps 1.55V 25mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP759(D4-MBS,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4-MBS,J,F) -
보상요청
ECAD 1349 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP759(D4-MBSJF) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP2962(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2962(F) 1.2700
보상요청
ECAD 9992 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP2962 DC 1 오픈 컬렉터 2.7V ~ 5.5V 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP2962F EAR99 8541.49.8000 50 50mA 15MBd 3ns, 12ns 1.55V 20mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 75ns, 75ns
TLP351(D4-TP1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351(D4-TP1,Z,F) -
보상요청
ECAD 5509 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP351 - 1(무제한) 264-TLP351(D4-TP1ZF)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP2761(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(TP,E) 1.1800
보상요청
ECAD 4378 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2761 그렇지, 그렇지 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 10mA 15MBd 3ns, 3ns 1.5V 10mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP109(IGM-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(IGM-TPL,E 1.2600
보상요청
ECAD 4130 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP109 DC 1 트랜지스터 6-SO, 5리드 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 8mA - 20V 1.64V 20mA 3750Vrms 25% @ 10mA 75% @ 10mA 450ns, 450ns -
TLP105(MBS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(MBS-TPL,F) -
보상요청
ECAD 5473 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 DC 1 푸시풀, 토템폴 4.5V ~ 20V 6-MFSOP, 5리드 다운로드 264-TLP105(MBS-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20mA 3750Vrms 1/0 10kV/μs 250ns, 250ns
TLP291(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(SE 0.5900
보상요청
ECAD 8438 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) TLP291(SE(T EAR99 8541.49.8000 175 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP2395(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2395(TPL,E -
보상요청
ECAD 6515 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2395 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 6-SO, 5리드 - 1(무제한) 264-TLP2395(TPLETR EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA 5Mbps 15ns, 12ns 1.5V 20mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP350(TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350(TP5,Z,F) -
보상요청
ECAD 2149 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP350 - 1(무제한) 264-TLP350(TP5ZF)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP291(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(TP,E) -
보상요청
ECAD 1575년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 4μs, 7μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA 7μs, 7μs 300mV
TLP512(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(F) -
보상요청
ECAD 7043 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP512 DC 1 트랜지스터 6- 딥 - RoHS 준수 1(무제한) TLP512F EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25mA 2500Vrms 15% @ 16mA - 800ns, 800ns(최대) -
TLP385(D4GR-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4GR-TL,E 0.5600
보상요청
ECAD 4079 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP700AF(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF(F) -
보상요청
ECAD 3214 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP700 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SDIP 갈매기 날개 다운로드 264-TLP700AF(F) EAR99 8541.49.8000 1 2A, 2A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 20kV/μs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP785(YH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(YH-LF6,F -
보상요청
ECAD 4217 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(YH-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785(Y-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(Y-TP6,F -
보상요청
ECAD 7939 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(Y-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP352(D4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352(D4,S) -
보상요청
ECAD 3732 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP352 - 1(무제한) 264-TLP352(D4S) EAR99 8541.49.8000 50
TLP127(V4-TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(V4-TPL,U,F) -
보상요청
ECAD 1254 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 갈매기 날개 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(V4-TPLUF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP3052A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3052A(TP1,F 1.4000
보상요청
ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(5리드), 걸윙 TLP3052 CQC, CU, UR 1 조치액 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.49.8000 1,500 1.15V 50mA 5000Vrms 600V 100mA 600μA(통상) 아니요 2kV/μs(통상) 10mA -
TLP630(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(F) -
보상요청
ECAD 6206 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP630 그렇지, 그렇지 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 다운로드 264-TLP630(F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
4N37(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N37(단,에프) -
보상요청
ECAD 1571 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) 4N37 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 - RoHS 준수 1(무제한) 4N37(짧은) EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 60mA 2500Vrms 100% @ 10mA - 3μs, 3μs 300mV
TLP185(GRL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GRL, SE -
보상요청
ECAD 5327 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP185 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP185(GRLSE EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP385(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-GB,E 0.5400
보상요청
ECAD 9333 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP385(D4-GBE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP160G(DMT7-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(DMT7-TPL,F -
보상요청
ECAD 7461 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP160 - 1(무제한) 264-TLP160G(DMT7-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP512(NEMIC-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(NEMIC-LF1,F -
보상요청
ECAD 7059 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP512 - 1(무제한) 264-TLP512(NEMIC-LF1F EAR99 8541.49.8000 50
TLP358(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358(F) -
보상요청
ECAD 7437 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 마지막 구매 - 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP358 DC 1 푸시풀, 토템폴 - 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 6A - - - 20mA 3750Vrms - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고