SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 출력/채널 데이터 속도 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP161J(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(TPL,U,C,F) -
보상요청
ECAD 2113 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP161 - 1(무제한) 264-TLP161J(TPLUCF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP290(GB-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(GB-TP,SE 0.5100
보상요청
ECAD 7115 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP290 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP781(GRH-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(GRH-TP6,F) -
보상요청
ECAD 7605 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(GRH-TP6F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2761(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(E 1.1800
보상요청
ECAD 4693 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2761 그렇지, 그렇지 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 10mA 15MBd 3ns, 3ns 1.5V 10mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP2719(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719(D4,E 1.7200
보상요청
ECAD 6737 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2719 DC 1 오픈 컬렉터 4.5V ~ 20V 6-SO 다운로드 1(무제한) 264-TLP2719(D4E EAR99 8541.49.8000 125 8mA 1MBd - 1.6V 25mA 5000Vrms 1/0 10kV/μs 800ns, 800ns
TLP5772(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772(E 2.3800
보상요청
ECAD 9395 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5772 DC 1 푸시풀, 토템폴 10V ~ 30V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 - 15ns, 8ns 1.65V 8mA 5000Vrms 1/0 35kV/μs 150ns, 150ns
TLP293-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4-LA,E 1.6300
보상요청
ECAD 9037 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP293 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 50% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
TLP385(D4GH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4GH-TL,E 0.5400
보상요청
ECAD 4173 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP732F(D4-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732F(D4-BL,F) -
보상요청
ECAD 6804 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP732 - 1(무제한) 264-TLP732F(D4-BLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(TELS-T6,F -
보상요청
ECAD 8450 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(TELS-T6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2719(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719(TP4,E 1.7500
보상요청
ECAD 945 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2719 DC 1 오픈 컬렉터 4.5V ~ 20V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 8mA 1MBd - 1.6V 25mA 5000Vrms 1/0 10kV/μs 800ns, 800ns
TLP291(GRL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GRL-TP, SE 0.6000
보상요청
ECAD 1690년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP627M(D4-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(D4-TP1,E 0.9200
보상요청
ECAD 1428 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD(0.300", 7.62mm) TLP627 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 150mA 60μs, 30μs 300V 1.25V 50mA 5000Vrms 1000% @ 1mA - 110μs, 30μs 1.2V
TLP292-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LGBTR,E 1.7900
보상요청
ECAD 7026 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 100% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
TLP785(GB-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GB-TP6,F 0.6400
보상요청
ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.49.8000 4,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP184(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(Y-TPL, SE 0.4900
보상요청
ECAD 7881 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP184 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP137(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(F) -
보상요청
ECAD 8722 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP137 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6-MFSOP, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 150 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP631(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(F) -
보상요청
ECAD 1006 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP631 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2958(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958(TP1,F) -
보상요청
ECAD 7098 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP2958 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 8-SMD 다운로드 264-TLP2958(TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5Mbps 15ns, 10ns 1.55V 25mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP2358(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2358(E) 1.0200
보상요청
ECAD 53 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2358 DC 1 푸시풀, 토템폴 3V ~ 20V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 25mA - 15ns, 12ns 1.55V 20mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
TLP718(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718(TP,F) -
보상요청
ECAD 9914 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP718 DC 1 푸시풀, 토템폴 4.5V ~ 20V 6-SDIP 갈매기 날개 다운로드 264-TLP718(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5Mbps 30ns, 30ns 1.6V 20mA 5000Vrms 1/0 10kV/μs 250ns, 250ns
TLP785F(D4B-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4B-T7,F -
보상요청
ECAD 2374 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4B-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP3043(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3043(S,C,F) -
보상요청
ECAD 3306 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm), 5리드 TLP3043 BSI, SEMKO, UR 1 조치액 6-DIP(컷), 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50mA 5000Vrms 400V 100mA 600μA(통상) 200V/μs 5mA -
TLP293-4(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(TPR,E 1.6000
보상요청
ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP293 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP124(TPL-PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPL-PP,F) -
보상요청
ECAD 5763 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP124 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP124(TPL-PPF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 3750Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP332(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP332(F) -
보상요청
ECAD 5578 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP332 DC 1 트랜지스터 6- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 8μs, 8μs 55V 1.15V 50mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP127(OME-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(OME-TPR,F) -
보상요청
ECAD 4020 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(OME-TPRF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP160J(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(TPL,U,C,F) -
보상요청
ECAD 9471 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP160 - 1(무제한) 264-TLP160J(TPLUCF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP781(D4-BL-SD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-BL-SD,F) -
보상요청
ECAD 9452 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4-BL-SDF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP759(LF1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(LF1,J,F) -
보상요청
ECAD 6163 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP759 DC 1 트랜지스터 8-SMD 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 TLP759(LF1JF) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - 200ns, 300ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고