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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 전류 - 출력 피크 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 펄스 펄스 왜곡 왜곡 (최대) 전압 - 공급 출력 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을 등급 자격
TLP700H(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H (D4-MBSTP, f -
RFQ
 ECAD 7823 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) 광학 광학 링 CSA, CUL, UL, VDE 2 6-SDIP 다운로드 1 2A, 2A 2A 15µs, 8µs 1.55V 20 MA 5000VRMS 20kV/µs 500ns, 500ns 250ns 15V ~ 30V
TLP160G(SIEMTPRS,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (SIEMTPRS, f -
RFQ
 ECAD 9304 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP160G - 1 (무제한) 264-TLP160G (SIEMTPRSFTR 귀 99 8541.49.8000 3,000
TLP250HF(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF (D4-TP4, F) -
RFQ
 ECAD 6360 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 TLP250 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 10V ~ 30V 8-smd 다운로드 1 (무제한) 264-TLP250HF (D4-TP4F) TR 귀 99 8541.49.8000 1,500 2 a - 50ns, 50ns 1.57V 5MA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP700F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700F (TP, F) -
RFQ
 ECAD 9352 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) TLP700 광학 광학 링 - 1 6-Sdip Gull Wing 다운로드 264-TLP700F (TPF) 귀 99 8541.49.8000 1 - 2A - - 5000VRMS 15kV/µs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
TLP352F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F (D4-TP4, F) 1.9400
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 TLP352 광학 광학 링 CSA, CUL, UL, VDE 1 8-smd 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 2A, 2A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20 MA 3750vrms 20kV/µs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP701(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701 (TP, F) 1.7400
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) TLP701 광학 광학 링 컬, ul 1 6-Sdip Gull Wing 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 5A991G 8541.49.8000 1,500 400ma, 400ma 600ma 50ns, 50ns 1.55V 20 MA 5000VRMS 10kV/µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP5772H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (D4, e 2.4700
RFQ
 ECAD 7403 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP5772 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 10V ~ 30V 6- 형 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 125 - 56ns, 25ns 1.65V 8ma 5000VRMS 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP701(MBS-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701 (MBS-TP, F) -
RFQ
 ECAD 2243 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) TLP701 광학 광학 링 CSA, CUL, UL, VDE 1 6-Sdip Gull Wing 다운로드 264-TLP701 (MBS-TPF) 귀 99 8541.49.8000 1 600ma, 600ma 600ma 50ns, 50ns 1.55V 20 MA 5000VRMS 10kV/µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP512(NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (Nemic, F) -
RFQ
 ECAD 9991 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP512 - 1 (무제한) 264-TLP512 (nemicf) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP781(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 9988 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (D4F) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP5751(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751 (TP4, e 2.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP5751 광학 광학 링 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- 형 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 1a, 1a 1A 15ns, 8ns 1.55V 20 MA 5000VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP759(IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (IGM, J, F) -
RFQ
 ECAD 9198 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 264-TLP759 (IGMJF) 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.65V 25 MA 5000VRMS 25% @ 10ma 75% @ 10ma - -
TLP785(TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (TP6, f 0.1515
RFQ
 ECAD 4479 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C TLP785 DC 1 트랜지스터 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (TP6FTR 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP785(YH-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (YH-TP6, f -
RFQ
 ECAD 3725 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (YH-TP6FTR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP718F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F (TP, F) -
RFQ
 ECAD 2931 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) TLP718 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 6-Sdip Gull Wing 다운로드 264-TLP718F (TPF) 귀 99 8541.49.8000 1 5Mbps - - 3MA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP781(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp781 (bll, f) -
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP781 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (BLLF) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP785(BL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BL-TP6, f -
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (bl-tp6ftr 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP5752(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752 (e 2.5300
RFQ
 ECAD 1517 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP5752 광학 광학 링 CQC, CSA, CUL, UL 1 6- 형 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 125 2.5A, 2.5A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20 MA 5000VRMS 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP352(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (D4, F) 1.9900
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP352 광학 광학 링 CSA, CUL, UL, VDE 1 8-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 2A, 2A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20 MA 3750vrms 20kV/µs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP715F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F (D4-TP, F) -
RFQ
 ECAD 5117 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) TLP715 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 6-SDIP 다운로드 264-TLP715F (D4-TPF) 귀 99 8541.49.8000 1 25 MA 5Mbps 30ns, 30ns 1.6V 20MA 5000VRMS 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP512(MBS-SZ,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (MBS-SZ, F) -
RFQ
 ECAD 5207 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP512 - 1 (무제한) 264-TLP512 (MBS-SZF) 귀 99 8541.49.8000 50
TLP719F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (TP, F) -
RFQ
 ECAD 2967 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) TLP719 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SDIP - 264-TLP719F (TPF) 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP5705H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (TP, e 1.9100
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 15V ~ 30V 6- 형 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 - 37ns, 50ns 1.55V 20MA 5000VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLX9291A(GBTPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291A (GBTPL, f 3.1500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLX9291 DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 3µs, 5µs 80V 1.27V 30 MA 3750vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 5µs, 5µs 400MV 자동차 AEC-Q101
TLP3032(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3032 (S, C, F) -
RFQ
 ECAD 4051 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 TLP3032 Semko, ur 1 트라이크 6-DIP (컷), 5 리드 - rohs 준수 1 (무제한) TLP3032 (SCF) 귀 99 8541.49.8000 50 - 5000VRMS 250 v 100 MA - 예 - 10MA -
TLP759(D4-MBS,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-MBS, J, F) -
RFQ
 ECAD 1349 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 264-TLP759 (D4-MBSJF) 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP781(D4-BL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-BL-TP6, f -
RFQ
 ECAD 4649 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781 (D4-BL-TP6FTR 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
TLP385(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (YH, e 0.5500
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP385 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP385 (yhe 귀 99 8541.49.8000 125 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
TLP2348(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348 (V4-TPL, e 1.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLP2348 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 30V 6-5 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50 MA 10Mbps 3ns, 3ns 1.55V 15MA 3750vrms 1/0 30kV/µs 120ns, 120ns
TLP627M(D4-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (D4-TP1, e 0.9200
RFQ
 ECAD 1428 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD (0.300 ", 7.62mm) TLP627 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 150ma 60µs, 30µs 300V 1.25V 50 MA 5000VRMS 1000% @ 1ma - 110µs, 30µs 1.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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