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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 승인 승인 | 채널 채널 | 출력 출력 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 전류 - 높음 출력, 낮음 | 현재 - 채널 / 출력 | 데이터 데이터 | 전류 - 출력 피크 | 상승 / 시간 낙하 (타이핑) | 전압- 최대 (출력) | 전압- v (vf) (타이핑) | 현재 -dc 포워드 (if) (max) | 전압 - 분리 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 현재 -홀드 (ih) | 입력 -11/사이드 2 | 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) | 전파 전파 tplh / tphl (max) | 펄스 펄스 왜곡 왜곡 (최대) | 전압 - 공급 출력 | 현재 현재 (전송비) | 현재 현재 (전송비) | 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) | vce 포화 (포화) | 제로 제로 회로 | DV/DT (Min) | 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) | 시간을 시간을 |
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![]() | TLP700H (TP, F) | - | ![]() | 9003 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) | 광학 광학 링 | CSA, CUL, UL, VDE | 2 | 6-SDIP | 다운로드 | 1 | 2A, 2A | 2A | 15µs, 8µs | 1.55V | 20 MA | 5000VRMS | 20kV/µs | 500ns, 500ns | 250ns | 15V ~ 30V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP715F (TP, F) | - | ![]() | 8866 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 100 ° C | 표면 표면 | 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) | TLP715 | DC | 1 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 4.5V ~ 20V | 6-SDIP | 다운로드 | 264-TLP715F (TPF) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 MA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.6V | 20MA | 5000VRMS | 1/0 | 10kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4-GRL-FD, f | - | ![]() | 2890 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 110 ° C | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | TLP781 | DC | 1 | 트랜지스터 | 4-DIP | 다운로드 | 1 (무제한) | 264-TLP781 (D4-GRL-FDF | 귀 99 | 8541.49.8000 | 100 | 50ma | 2µs, 3µs | 80V | 1.15V | 60 MA | 5000VRMS | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400MV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP550 (Y, F) | - | ![]() | 7449 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | * | 튜브 | 쓸모없는 | TLP550 | - | 1 (무제한) | 264-TLP550 (YF) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP350 (D4-TP1, Z, F) | - | ![]() | 7497 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | TLP350 | - | 1 (무제한) | 264-TLP350 (D4-TP1ZF) TR | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tlp9104a (Tooogtl, f | - | ![]() | 3431 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | 264-TLP9104A (TooOGTLF | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2066 (V4-TPL, F) | - | ![]() | 7211 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 100 ° C | 표면 표면 | 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ | DC | 1 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 3V ~ 3.6V | 6-MFSOP, 5 리드 | - | 264-TLP2066 (V4-TPLF) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 MA | 20Mbps | 5ns, 4ns | 1.6V | 25MA | 3750vrms | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||||
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![]() | TLP3906 (TPL, e | 1.9500 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ | TLP3906 | DC | 1 | 태양 태양 | 6-SOP | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 12µA | - | 7V | 1.65V | 30 MA | 3750vrms | - | - | 200µs, 300µs | - | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP714F (TP, F) | - | ![]() | 6424 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) | DC | 1 | 오픈 오픈 | 4.5V ~ 30V | 6-Sdip Gull Wing | 다운로드 | 264-TLP714F (TPF) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 MA | 1Mbps | - | 1.55V | 20MA | 5000VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 550ns, 400ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP385 (D4-TPR, e | 0.5600 | ![]() | 6071 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 110 ° C | 표면 표면 | 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ | TLP385 | DC | 1 | 트랜지스터 | 6-4 리드 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50ma | 2µs, 3µs | 80V | 1.25V | 50 MA | 5000VRMS | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 300MV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP352F (D4, F) | 1.7400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | TLP352 | 광학 광학 링 | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 8-DIP | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2.5A | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 MA | 3750vrms | 20kV/µs | 200ns, 200ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP3042 (TP1, S, C, F) | - | ![]() | 8806 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 100 ° C | 구멍을 구멍을 | 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 | TLP3042 | BSI, Semko, ur | 1 | 트라이크 | 6-DIP (컷), 5 리드 | 다운로드 | rohs 준수 | TLP3042 (TP1SCF) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 1.15V | 50 MA | 5000VRMS | 400 v | 100 MA | 600µA (() | 예 | 200V/µs | 10MA | - | ||||||||||||||||||||
![]() | tlp781f (d4-fungb, f | - | ![]() | 2520 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 110 ° C | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) | TLP781F | DC | 1 | 트랜지스터 | 4-DIP | 다운로드 | 1 (무제한) | 264-TLP781F (D4-Fungbf | 귀 99 | 8541.49.8000 | 100 | 50ma | 2µs, 3µs | 80V | 1.15V | 60 MA | 5000VRMS | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400MV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F (y, f | - | ![]() | 5182 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 110 ° C | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) | TLP785 | DC | 1 | 트랜지스터 | 4-DIP | 다운로드 | 1 (무제한) | 264-TLP785F (YF | 귀 99 | 8541.49.8000 | 100 | 50ma | 2µs, 3µs | 80V | 1.15V | 60 MA | 5000VRMS | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400MV | ||||||||||||||||||||
TLP2395 (tpl, e | - | ![]() | 6515 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 | TLP2395 | DC | 1 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 3V ~ 20V | 6-5 리드 | - | 1 (무제한) | 264-TLP2395 (tpletr | 귀 99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 25 MA | 5Mbps | 15ns, 12ns | 1.5V | 20MA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP620F-2 (D4, F) | - | ![]() | 9366 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 100 ° C | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | - | 2 | 트랜지스터 | 8-DIP | - | 264-TLP620F-2 (D4F) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1 | 50ma | - | 55V | - | 60 MA | 5000VRMS | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F (Y-LF7, f | - | ![]() | 7022 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 110 ° C | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | TLP785 | DC | 1 | 트랜지스터 | 4-SMD | 다운로드 | 1 (무제한) | 264-TLP785F (Y-LF7F | 귀 99 | 8541.49.8000 | 100 | 50ma | 2µs, 3µs | 80V | 1.15V | 60 MA | 5000VRMS | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400MV | ||||||||||||||||||||
TLP5772H (D4-TP, e | 2.4900 | ![]() | 6696 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | TLP5772 | DC | 1 | 푸시 푸시, 풀 기둥 | 15V ~ 30V | 6- 형 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1,500 | - | 56ns, 25ns | 1.55V | 8ma | 5000VRMS | 1/0 | 35kV/µs | 150ns, 150ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP523-2 (F) | - | ![]() | 2397 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | * | 튜브 | 쓸모없는 | TLP523 | - | 1 (무제한) | 264-TLP523-2 (F) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2451A (F) | - | ![]() | 4826 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TLP2451 | 광학 광학 링 | CSA, CUL, UL | 1 | 도 8- | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | TLP2451AF | 귀 99 | 8541.49.8000 | 100 | 400ma, 400ma | 600ma | 50ns, 50ns | 1.55V | 25 MA | 3750vrms | 20kV/µs | 500ns, 500ns | 350ns | 10V ~ 30V | |||||||||||||||||||
![]() | TLP700F (ABB-TP, F) | - | ![]() | 3397 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 100 ° C | 표면 표면 | 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) | TLP700 | 광학 광학 링 | - | 1 | 6-Sdip Gull Wing | 다운로드 | 264-TLP700F (ABB-TPF) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 2A | - | - | 5000VRMS | 15kV/µs | 500ns, 500ns | - | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP250 (TP5, F) | - | ![]() | 3920 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | TLP250 | - | 1 (무제한) | 264-TLP250 (TP5F) TR | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F (BL-TP7, f | - | ![]() | 8055 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 110 ° C | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | TLP785 | DC | 1 | 트랜지스터 | 4-SMD | 다운로드 | 1 (무제한) | 264-TLP785F (bl-tp7ftr | 귀 99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50ma | 2µs, 3µs | 80V | 1.15V | 60 MA | 5000VRMS | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 3µs | 400MV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP732 (GRH-LF2, F) | - | ![]() | 2242 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | * | 튜브 | 쓸모없는 | TLP732 | - | 1 (무제한) | 264-TLP732 (GRH-LF2F) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP352 (TP1, F) | 1.9900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8-smd,, 날개 | TLP352 | 광학 광학 링 | CSA, CUL, UL | 1 | 8-smd | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 2A, 2A | 2.5A | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 MA | 3750vrms | 20kV/µs | 200ns, 200ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||
TLP151A (E) | 1.5900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 110 ° C | 표면 표면 | 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 | TLP151 | 광학 광학 링 | 컬, ul | 1 | 6-5 리드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 125 | 400ma, 400ma | 600ma | 50ns, 50ns | 1.55V | 25 MA | 3750vrms | 20kV/µs | 500ns, 500ns | 350ns | 10V ~ 30V | |||||||||||||||||||||
TLP5214A (TP, e | 7.6200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 110 ° C | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | TLP5214 | 광학 광학 링 | 1 | 16- 형의 행위 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 3A, 3A | 4a | 32ns, 18ns | 1.7V (최대) | 25 MA | 5000VRMS | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP705A (TP, F) | - | ![]() | 2357 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 100 ° C | 표면 표면 | 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) | TLP705 | 광학 광학 링 | CUR, ur, vde | 1 | 6-SDIP | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 400ma, 400ma | 600ma | 35ns, 15ns | 1.57V | 25 MA | 5000VRMS | 20kV/µs | 200ns, 200ns | 50ns | 10V ~ 30V |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고