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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TP,SE 0.6100
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ECAD 6152 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP781F(GB-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GB-LF7,F) -
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ECAD 3093 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(GB-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
6N137F Toshiba Semiconductor and Storage 6N137F -
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ECAD 3245 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) 6N137 DC 1 오픈 컬렉터 4.5V ~ 5.5V 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 10MBd 30ns, 30ns 1.65V 20mA 2500Vrms 1/0 200V/μs, 500V/μs(통상) 75ns, 75ns
TLP292-4(V4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4-TP,E 1.7900
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ECAD 1944년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP250(INV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(INV,F) -
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ECAD 8862 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(INVF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP732(D4-GB-LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4-GB-LF4,F -
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ECAD 4214 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP732 - 1(무제한) 264-TLP732(D4-GB-LF4F EAR99 8541.49.8000 50
TLP350(D4-TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350(D4-TP5,Z,F) -
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ECAD 5070 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP350 - 1(무제한) 264-TLP350(D4-TP5ZF)TR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP731(D4-GB-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GB-TP1,F -
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ECAD 5890 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP731 - 1(무제한) 264-TLP731(D4-GB-TP1F EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP781(D4-GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GR-TP6,F -
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ECAD 8326 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4-GR-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP265J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(TPL,E 0.8200
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ECAD 5753 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP265 CQC, CU, UR 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50mA 3750Vrms 600V 70mA 1mA(통상) 아니요 500V/μs(통상) 10mA 20μs
TLP2767(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2767(E 2.5400
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ECAD 5138 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2767 그렇지, 그렇지 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 10mA 50MBd 2ns, 1ns 2.1V(최대) 15mA 5000Vrms 1/0 25kV/μs 20ns, 20ns
TLP385(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4GB-TR,E 0.5600
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ECAD 8208 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP759(D4MB3F4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4MB3F4,J,F -
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ECAD 6129 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP759 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP759(D4MB3F4JF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPR, SE 0.5900
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ECAD 3461 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP137(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(BV-TPR,F) -
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ECAD 5868 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP137 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6-MFSOP, 5리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP137(BV-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 200% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP185(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPR,SE 0.6000
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ECAD 2461 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP734(M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(남,여) -
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ECAD 1483 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP734 - 1(무제한) 264-TLP734(MF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP265J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4-TPR,E 0.8500
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP265 CQC, cUR, UR, VDE 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50mA 3750Vrms 600V 70mA 1mA(통상) 아니요 500V/μs(통상) 10mA 20μs
TLP624-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2(F) -
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ECAD 3253 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP624 DC 2 트랜지스터 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 8μs, 8μs 55V 1.15V 50mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP352(D4-HW-TP1,S Toshiba Semiconductor and Storage TLP352(D4-HW-TP1,S -
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ECAD 6819 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP352 - 1(무제한) 264-TLP352(D4-HW-TP1STR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP124(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPR,F) -
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ECAD 5563 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 갈매기 날개 TLP124 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP350F(Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350F(Z,F) -
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ECAD 8950 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP350 - 1(무제한) 264-TLP350F(ZF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP183(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(E 0.5100
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ECAD 103 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP385(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(BLL,E 0.5500
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ECAD 1556년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP385(BLLE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP185(GRH-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GRH-TL,SE 0.6000
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ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP2303(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303(E 0.8100
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ECAD 125 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2303 DC 1 트랜지스터 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 80mA - 18V - 20mA 3750Vrms 500% @ 5mA - - -
TLP383(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(D4GB-TL,E 0.6100
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ECAD 1349 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP383 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GRH-TPL,E 0.5600
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ECAD 8469 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP785(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-GR,F 0.6200
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ECAD 85 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 TLP785(D4-GRF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP350(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350(F) -
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ECAD 1716년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP350 광커플링 UR 1 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP350F EAR99 8541.49.8000 50 2A, 2A 2.5A 15ns, 8ns 1.6V 20mA 3750Vrms 15kV/μs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고