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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 채널 유형 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 절연전원 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP550(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(F) -
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ECAD 6265 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP550 DC 1 트랜지스터 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25mA 2500Vrms 10% @ 16mA - 300ns, 1μs -
TLP5771(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771(TP,E 2.3300
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5771 광커플링 CQC, cUR, UR, VDE 1 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 1A, 1A 1A 15ns, 8ns 1.65V 8mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP385(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(BLL,E 0.5500
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ECAD 1556년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP385(BLLE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP293-4(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(E 1.6300
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ECAD 4531 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP293 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP293-4(E(T EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP532(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(BL,F) -
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ECAD 8121 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP532 - 1(무제한) 264-TLP532(BLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(TP,SE 0.5100
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP290 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP331(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331(F) -
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ECAD 6386 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP331 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 8μs, 8μs 55V 1.15V 50mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP626(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(SANYD,F) -
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ECAD 1971년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 264-TLP626(SANYDF) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 8μs, 8μs 55V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TP,E 1.7900
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ECAD 1266 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 50% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4-C172,F) -
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ECAD 4589 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP734 DC 1 트랜지스터 6- 딥 - RoHS 준수 1(무제한) TLP734(D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1,500 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781(YH-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(YH-LF6,F) -
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ECAD 5929 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(YH-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP631(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(GB-LF1,F) -
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ECAD 9501 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP631 - 1(무제한) 264-TLP631(GB-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP626-4(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-4(HITOMK,F) -
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ECAD 8644 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) TLP626 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16- 딥 다운로드 264-TLP626-4(히톰KF) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 8μs, 8μs 55V 1.15V 50mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
DCL540D01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540D01(T,E 6.3000
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ECAD 7301 0.00000000 도시바 및 저장 DCL540x01 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) 범용 DCL540 자기소개 4 2.25V ~ 5.5V 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 1,500 150Mbps 단방향 0.9ns, 0.9ns 5000Vrms 4/0 100kV/μs 18.3ns, 18.3ns 2.8ns
TLP250(D4-MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4-MAT,F) -
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ECAD 5005 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250 - 1(무제한) 264-TLP250(D4-MATF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP733F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-C174,F) -
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ECAD 4345 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP733 - 1(무제한) 264-TLP733F(D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP388(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(D4GB-TL,E 0.7900
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ECAD 7358 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP388 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 350V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP290(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(GB-TP,E) -
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ECAD 9873 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP290 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 4μs, 7μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 400% @ 5mA 7μs, 7μs 300mV
TLP385(D4-BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-BLL,E 0.5500
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ECAD 5999 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP385(D4-BLLE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP5751H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751H(TP4,E 1.8500
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ECAD 8709 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5751 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 1A, 1A 1A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP5774(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774(E 2.4500
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ECAD 7814 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5774 광커플링 CQC, cUR, UR, VDE 1 6-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 1.2A, 1.2A 4A 15ns, 8ns 1.65V 8mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP2362(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362(V4-TPL,E 1.0500
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ECAD 9559 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C - - TLP2362 DC 1 오픈 컬렉터 2.7V ~ 5.5V - 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA 10MBd 30ns, 30ns 1.55V 25mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 100ns, 100ns
TLP161G(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G(U,C,F) -
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ECAD 8267 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP161G UR 1 조치액 6-MFSOP, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 150 1.15V 50mA 2500Vrms 400V 70mA 600μA(통상) 200V/μs 10mA -
TLP127(SONY-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(소니-TPL,F) -
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ECAD 5109 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(소니-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP630(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(GB,F) -
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ECAD 6307 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) TLP630 그렇지, 그렇지 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781F(D4GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRL-T7,F -
보상요청
ECAD 2410 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4GRL-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP293-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(LA-TR,E 1.6300
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ECAD 7543 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP293 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 50% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
4N36(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N36(단,에프) -
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ECAD 2266 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 6-DIP(0.300", 7.62mm) 4N36 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 6- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 60mA 2500Vrms 40% @ 10mA - 3μs, 3μs 300mV
TLP124(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPL,F) -
보상요청
ECAD 1975년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP124 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP124(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370(TPR,E 1.7700
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ECAD 1016 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2370 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 10mA 20Mbps 3ns, 2ns 1.5V 8mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고