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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP292-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4-GB,E 1.7900
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ECAD 6099 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP759(J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(J,F) -
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ECAD 5085 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP759 DC 1 트랜지스터 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 TLP759(JF) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - 200ns, 300ns -
TLP5772H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H(TP4,E 2.6900
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5772 DC 1 푸시풀, 토템폴 10V ~ 30V 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 - 56ns, 25ns 1.65V 8mA 5000Vrms 1/0 35kV/μs 150ns, 150ns
TLP2630(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630(LF1,F) -
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ECAD 7720 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP2630 - 1(무제한) 264-TLP2630(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP620-4(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(D4-LF1,F) -
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ECAD 1651년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 16-SMD TLP620 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SMD 다운로드 264-TLP620-4(D4-LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2μs, 3μs 55V 1.15V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2761(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(TP4,E -
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ECAD 7022 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2761 그렇지, 그렇지 1 2.7V ~ 5.5V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP2761(TP4E EAR99 8541.49.8000 1,000 10mA 15MBd 3ns, 3ns 1.5V 10mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP751(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751(LF2,F) -
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ECAD 5641 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP751 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 - RoHS 준수 해당사항 없음 TLP751(LF2F) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25mA 5000Vrms 10% @ 16mA - 200ns, 1μs -
TLP267J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J(TPL,E 0.9900
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ECAD 1432 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP267 CQC, CU, UR 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30mA 3750Vrms 600V 70mA 200μA(통상) 아니요 500V/μs(통상) 3mA 100μs
TLP781(D4BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4BLL-LF6,F -
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ECAD 7971 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP781 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP781(D4BLL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-TPL,E 0.5400
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP383(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(BL-TPL,E -
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ECAD 3367 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP383 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 1(무제한) 264-TLP383(BL-TPLETR EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP626-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-2(F) -
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ECAD 5043 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP626 그렇지, 그렇지 2 트랜지스터 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 8μs, 8μs 55V 1.15V 50mA 5000Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP631(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(LF5,F) -
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ECAD 2022년 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP631 - 1(무제한) 264-TLP631(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2761(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(LF4,E -
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ECAD 6051 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2761 그렇지, 그렇지 1 2.7V ~ 5.5V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP2761(LF4E EAR99 8541.49.8000 75 10mA 15MBd 3ns, 3ns 1.5V 10mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP2261(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2261(LF4,E 3.0200
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ECAD 8964 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2261 DC 2 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) TLP2261(LF4E EAR99 8541.49.8000 75 10mA 15MBd 3ns, 3ns 1.5V 10mA 5000Vrms 2/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP293-4(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4,E 1.6000
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ECAD 5859 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP293 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP759(D4-IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4-IGM,J,F) -
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ECAD 1741년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP759 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP759(D4-IGMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25mA 5000Vrms 25% @ 10mA 75% @ 10mA - -
TLP5774(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774(D4-TP,E 1.0055
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ECAD 4540 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5774 광커플링 CQC, cUR, UR, VDE 1 6-SO 다운로드 RoHS 준수 TLP5774(D4-TPE EAR99 8541.49.8000 1,500 1.2A, 1.2A 4A 15ns, 8ns 1.65V 8mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP292(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(GR-TPL,E 0.5600
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ECAD 2009년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP290(V4GBTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(V4GBTP,SE 0.5100
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ECAD 229 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP290 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP718F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F(D4-TP,F) -
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ECAD 8340 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.268", 6.80mm 너비) TLP718 DC 1 푸시풀, 토템폴 4.5V ~ 20V 6-SDIP 갈매기 날개 다운로드 264-TLP718F(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 5Mbps - - 3mA 5000Vrms 1/0 10kV/μs 250ns, 250ns
TLP121(GRH-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH-TPR,F) -
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ECAD 4690 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP121 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP121(GRH-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2366(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(TPL,E 1.4000
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ECAD 17 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2366 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 10mA 20MBd 15ns, 15ns 1.61V 25mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 40ns, 40ns
TLP785F(D4-BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-BLL,F -
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ECAD 7615 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4-BLLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP759(D4HITIM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4HITIM,J,F -
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ECAD 2380 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP759(D4HITIMJF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - - -
TLP2531(QCPL4532,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(QCPL4532,F -
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ECAD 4357 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP2531 DC 2 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 다운로드 264-TLP2531(QCPL4532F EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25mA 2500Vrms 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200ns, 300ns -
TLP532(HIT-BL-L1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(HIT-BL-L1,F -
보상요청
ECAD 5237 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP532 - 1(무제한) 264-TLP532(HIT-BL-L1F EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4BLL-F7,F -
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ECAD 3316 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4BLL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BLL-T7,F -
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ECAD 7721 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(BLL-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP293-4(4LGBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(4LGBTPE 1.6300
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ECAD 4797 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP293 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 100% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고