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아이솔레이터(2050)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간
TLP127(NS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(NS-TPL,F) -
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 ECAD 2554 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP127 DC 1 달링턴 6-MFSOP, 4리드 - 1(무제한) 264-TLP127(NS-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 50mA 2500Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP2166A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2166A(TP,F) -
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 ECAD 6199 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TLP2166 DC 2 푸시풀, 토템폴 3V ~ 3.63V 8-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 10mA 15MBd 5ns, 5ns 1.65V 15mA 2500Vrms 2/0 15kV/μs 75ns, 75ns
TLP759(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4,J,F) -
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 ECAD 5993 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP759 DC 1 트랜지스터 8- 딥 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 TLP759(D4JF) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1.65V 25mA 5000Vrms 20% @ 16mA - 200ns, 300ns -
TLP250H(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(LF5,F) -
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 ECAD 2930 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 8-SMD, 갈매기 날개 TLP250 DC 1 푸시풀, 토템폴 10V ~ 30V 8-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP250H(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50 2A - 50ns, 50ns 1.57V 20mA 3750Vrms 1/0 40kV/μs 500ns, 500ns
TLP531(HIT-BL-T1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(HIT-BL-T1,F -
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 ECAD 3100 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP531 - 1(무제한) 264-TLP531(HIT-BL-T1F EAR99 8541.49.8000 50
TLX9185(KBDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(KBDGBTLF(O -
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 ECAD 8129 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLX9185 DC 1 트랜지스터 6-SOP - 264-TLX9185(KBDGBTLF(O EAR99 8541.49.8000 1 50mA 3μs, 5μs 80V 1.27V 30mA 3750Vrms 20% @ 5mA 600% @ 5mA 5μs, 5μs 400mV
TLP250F(D4INV-T4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F(D4INV-T4,F -
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 ECAD 4814 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP250F - 1(무제한) 264-TLP250F(D4INV-T4FTR EAR99 8541.49.8000 1,500
TLP9104A(NCN-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(NCN-TL,F) -
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 ECAD 1211 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 264-TLP9104A(NCN-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP5751H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751H(D4LF4,E 1.8500
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 ECAD 6114 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5751 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 1A, 1A 1A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP182(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(GR-TPL,E 0.5200
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 ECAD 4529 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP182 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP627-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2(D4,F) -
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 ECAD 6591 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP627 - 1(무제한) 264-TLP627-2(D4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP155E(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E(E) -
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 ECAD 3395 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP155 DC 1 푸시풀, 토템폴 10V ~ 30V 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 - 35ns, 15ns 1.55V 20mA 3750Vrms 1/0 15kV/μs 170ns, 170ns
TLP385(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GR-TPL,E 0.5600
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 ECAD 1320 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP385 DC 1 트랜지스터 6-SO, 4리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BLL-T7,F -
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 ECAD 7721 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(BLL-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP292(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(TPL,E 0.5700
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 ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP628M(LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(LF1,E 0.9100
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 ECAD 2527 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 4-SMD(0.300", 7.62mm) TLP628 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 5.5μs, 10μs 350V 1.25V 50mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10μs, 10μs 400mV
TLP124(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPL,F) -
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 ECAD 1975년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP124 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 - RoHS 준수 1(무제한) TLP124(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 8μs, 8μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10μs, 8μs 400mV
TLP183(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB,E 0.5000
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 ECAD 1400 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP183(GBE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP184(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(BL-TPL,SE 0.5100
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 ECAD 6089 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP184 그렇지, 그렇지 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP785(GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GR-TP6,F 0.1515
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 ECAD 7283 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C TLP785 DC 1 트랜지스터 다운로드 1(무제한) 264-TLP785(GR-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 4,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TP,SE 0.6100
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 ECAD 6152 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP291 DC 1 트랜지스터 4-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,500 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP9148J(PSD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J(PSD-TL,F) -
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 ECAD 2942 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 264-TLP9148J(PSD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP292-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4GBTRE 1.7900
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 ECAD 2512 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP292 그렇지, 그렇지 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP293-4(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4,E 1.6000
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 ECAD 5859 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP293 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP187(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187(TPL,E 1.0300
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 ECAD 3033 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP187 DC 1 달링턴 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 150mA 40μs, 15μs 300V 1.25V 50mA 3750Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP2710(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710(TP,E 1.6000
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 ECAD 3111 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2710 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 10mA 5MBd 11ns, 13ns 1.9V(최대) 8mA 5000Vrms 1/0 25kV/μs 250ns, 250ns
TLP183(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GR,E 0.5100
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 ECAD 2219 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP183(GRE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP5752(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752(TP4,E 2.5800
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 ECAD 3996 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5752 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 2.5A, 2.5A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP785F(D4GHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GHF7,F -
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 ECAD 7137 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4GHF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP525GF Toshiba Semiconductor and Storage TLP525GF 1.1600
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 ECAD 29 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP525 UR 1 조치액 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP525G(F) EAR99 8541.49.8000 100 1.15V 50mA 2500Vrms 400V 100mA 200μA(통상) 아니요 200V/μs 10mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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