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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 인증기관 채널 수 출력으로 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 인텐음, 미음 현재 - 출력/채널 데이터 속도 현재 - 출력 /하강 시간(일반) 전압 - 출력(최대) 전압 - 순방향(Vf)(일반) 현재 - DC 순방향(If)(최대) 전압 - 절연 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 현재 - 보유(Ih) 입력 - 측면 1/측면 2 과도하게 편집(최소) tpLH/tpHL(최대) 범위 조정(최대) 전압 - 출력 공급 긴급 전송(최소) 스트림 처리(최대) 전원기/끄기 시간(일반) Vce 채도(최대) 소수의 크로싱 회로 정적 dV/dt(최소) LED가(Ift)(최대) 플레이짐 시간 등급 적격
TLP627(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627(F) -
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ECAD 3713 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP627 DC 1 달링턴 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 100 150mA 40μs, 15μs 300V 1.15V 60mA 5000Vrms 1000% @ 1mA - 50μs, 15μs 1.2V
TLP5752(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752(TP4,E 2.5800
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ECAD 3996 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5752 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 2.5A, 2.5A 2.5A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP785F(D4GHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GHF7,F -
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ECAD 7137 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(D4GHF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP525GF Toshiba Semiconductor and Storage TLP525GF 1.1600
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ECAD 29 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) TLP525 UR 1 조치액 4- 딥 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP525G(F) EAR99 8541.49.8000 100 1.15V 50mA 2500Vrms 400V 100mA 200μA(통상) 아니요 200V/μs 10mA -
TLP183(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(TPL,E 0.5100
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ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP293-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(LA-TR,E 1.6300
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ECAD 7543 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 16-SOIC(0.179", 4.55mm 폭) TLP293 DC 4 트랜지스터 16-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 500μA에서 50% 500μA에서 600% 3μs, 3μs 300mV
TLP108(V4-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108(V4-TPL,F) -
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ECAD 5440 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP108 DC 1 푸시풀, 토템폴 4.5V ~ 20V 6-MFSOP, 5리드 다운로드 264-TLP108(V4-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20mA 3750Vrms 1/0 10kV/μs 250ns, 250ns
TLP2770(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(TP,E 2.2400
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ECAD 11 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2770 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 10mA 20MBd 1.3ns, 1ns 1.5V 8mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
TLP267J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J(TPL,E 0.9900
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ECAD 1432 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP267 CQC, CU, UR 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30mA 3750Vrms 600V 70mA 200μA(통상) 아니요 500V/μs(통상) 3mA 100μs
TLX9905(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9905(TPL,F 4.0500
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLX9905 DC 1 태양광 6-SOP 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 - - 7V 1.65V 30mA 3750Vrms - - 300μs, 1ms - 자동차 AEC-Q101
TLP781F(D4-Y-FD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-Y-FD,F) -
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ECAD 5912 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 스루홀 4-DIP(0.400", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4- 딥 다운로드 1(무제한) 264-TLP781F(D4-Y-FDF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP5702H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(TP,E 1.7100
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ECAD 7878 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5702 DC 1 푸시풀, 토템폴 15V ~ 30V 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 1,500 - 37ns, 50ns 1.55V 20mA 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200ns, 200ns
TLP185(GRL-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GRL-TL,SE 0.6000
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ECAD 4835 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP185 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP183(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(E 0.5100
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ECAD 103 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP183 DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80V 1.25V 50mA 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 300mV
TLP2370(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370(TPL,E 1.7700
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ECAD 2071 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2370 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 10mA 20Mbps 3ns, 2ns 1.5V 8mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60ns, 60ns
TLP5754H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754H(LF4,E 2.0800
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ECAD 9494 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP5754 광커플링 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 4A, 4A 4A 15ns, 8ns 1.55V 20mA 5000Vrms 35kV/μs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP2761(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(TP4,E -
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ECAD 7022 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TLP2761 그렇지, 그렇지 1 2.7V ~ 5.5V 6-SO 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TLP2761(TP4E EAR99 8541.49.8000 1,000 10mA 15MBd 3ns, 3ns 1.5V 10mA 5000Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP266J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4T7TR,E 0.9300
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ECAD 2986 0.00000000 도시바 및 저장 TLP 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 4 리드 TLP266 1 조치액 6-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30mA 3750Vrms 600V 70mA 600μA(통상) 200V/μs 10mA 30μs
TLP785F(Y-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(Y-TP7,F -
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ECAD 6359 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1(무제한) 264-TLP785F(Y-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP2363(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363(TPR,E 1.0200
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ECAD 7215 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2363 DC 1 오픈 컬렉터 2.7V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 25mA 10Mbps 23ns, 7ns 1.5V 25mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TLP750(D4SHR-OT4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4SHR-OT4,F -
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ECAD 6109 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP750 - 1(무제한) 264-TLP750(D4SHR-OT4F EAR99 8541.49.8000 50
TLP2303(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303(E 0.8100
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ECAD 125 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2303 DC 1 트랜지스터 6-SO, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 125 80mA - 18V - 20mA 3750Vrms 500% @ 5mA - - -
TLP9118(ND2-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118(ND2-TL,F) -
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ECAD 9132 0.00000000 도시바 및 저장 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 264-TLP9118(ND2-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP2312(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312(V4-TPL,E 1.7100
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ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C 표면 실장 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭), 5리드 TLP2312 DC 1 푸시풀, 토템폴 2.2V ~ 5.5V 6-SO, 5리드 다운로드 1(무제한) 264-TLP2312(V4-TPLETR EAR99 8541.49.8000 3,000 8mA 5Mbps 2.2ns, 1.6ns 1.53V 8mA 3750Vrms 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
4N35(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35(쇼트-LF5,F) -
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ECAD 1515 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 4N35 - 1(무제한) 264-4N35(쇼트-LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP181(GR,T) Toshiba Semiconductor and Storage TLP181(GR,T) -
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ECAD 1568년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 110°C 표면 실장 6-SMD(4리드), 걸윙 TLP181 DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4리드 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785(GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GB-LF6,F 0.6400
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ECAD 79 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 110°C 표면 실장 4-SMD, 걸윙 TLP785 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 TLP785(GB-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 60mA 5000Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP651(O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP651(O,F) -
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ECAD 4853 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 100°C 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) TLP651 DC 1 껌이 있는 트랜지스터 8- 딥 - RoHS 준수 해당사항 없음 TLP651(OF) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25mA 5000Vrms 19% @ 16mA - 300ns, 500ns -
TLP130(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP130(GB-TPR,F) -
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ECAD 9661 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 100°C 표면 실장 6-SOIC(0.173", 4.40mm 폭), 5리드 TLP130 그렇지, 그렇지 1 껌이 있는 트랜지스터 6-MFSOP, 5리드 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.49.8000 3,000 50mA 2μs, 3μs 80V 1.15V 50mA 3750Vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3μs, 3μs 400mV
TLP160G(T7-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(T7-TPR,U,F -
보상요청
ECAD 6615 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 TLP160G - 1(무제한) 264-TLP160G(T7-TPRUFTR EAR99 8541.49.8000 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고