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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
CNC7S101Y Panasonic Electronic Components CNC7S101Y -
RFQ
 ECAD 3167 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 대부분 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNC7S101 AC, DC 1 트랜지스터 4-dil 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 80V 1.35V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
CNY17-1X Isocom Components 2004 LTD CNY17-1X 0.5600
RFQ
 ECAD 993 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,040 50ma 2µs, 2µs 70V 1.2V 60 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
TLP759(D4KEBIMT1JF Toshiba Semiconductor and Storage tlp759 (d4kebimt1jf -
RFQ
 ECAD 7952 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 264-TLP759 (D4KEBIMT1JF 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
VO615A-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-X006 0.1190
RFQ
 ECAD 4613 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) VO615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
HCPL-070L-560 Broadcom Limited HCPL-070L-560 -
RFQ
 ECAD 2039 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 달링턴 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 60ma - 7V 1.5V 20 MA 3750vrms 300% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma 25µs, 50µs -
PS2561DL2-1Y-V-E3-A Renesas Electronics America Inc PS2561DL2-1Y-V-E3-A 1.0000
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.2V 40 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
TLP627MF(LF2,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (LF2, e -
RFQ
 ECAD 9308 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP627 DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP627MF (LF2E 귀 99 8541.49.8000 50 150ma 60µs, 30µs 300V 1.25V 50 MA 5000VRMS 1000% @ 1ma - 110µs, 30µs 1.2V
HCPL-5730#100 Broadcom Limited HCPL-5730#100 104.8137
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-SMD 엉덩이 d HCPL-5730 DC 2 달링턴 8-SMD 엉덩이 d 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 8µs 110MV
TLP785(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (Gr, F) 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
LTV-8241 Lite-On Inc. LTV-8241 0.4190
RFQ
 ECAD 3133 0.00000000 Lite-On Inc. - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) LTV-824 AC, DC 2 달링턴 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 80ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
FOD817C300 Fairchild Semiconductor FOD817C300 -
RFQ
 ECAD 7794 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
LOC112PTR IXYS Integrated Circuits Division loc112ptr 1.3374
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-smd,, 날개 loc112 DC 1 태양 태양, 광 8- 플랫 팩 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - - - 100 MA 3750vrms 0.73% @ 2ma ~ 10ma 1.07% @ 2ma ~ 10ma - -
HCPL-2300#500 Broadcom Limited HCPL-2300#500 5.2552
RFQ
 ECAD 3954 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-2300 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.75V ~ 5.25V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 25 MA 5MBD 40ns, 20ns 1.3V 5MA (유형) 3750vrms 1/0 100V/µs 160ns, 200ns
VO4254D-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4254D-X007T -
RFQ
 ECAD 7307 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 VO4254 CUR, fimko, ur 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 5300VRMS 400 v 300 MA - 아니요 5kV/µs 1.6MA -
PS2561-1-V-A CEL PS2561-1-VA -
RFQ
 ECAD 1901 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
PS2561-1-V-W-A CEL PS2561-1-VWA -
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 300MV
ILQ615-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ615-3X001 -
RFQ
 ECAD 8866 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ILQ615 DC 4 트랜지스터 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.15V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs -
HCPL-M456-500E Broadcom Limited HCPL-M456-500E 3.1100
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ HCPL-M456 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 30V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 15 MA - - 1.5V 25MA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
FOD4218S Fairchild Semiconductor FOD4218S -
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4218 Cul, Fimko, ul 1 트라이크 6-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 1.28V 30 MA 5000VRMS 800 v 500µA 아니요 10kV/µs 1.3ma 60µs
H11C43SD onsemi H11C43SD -
RFQ
 ECAD 4056 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11C ur, vde 1 Scr 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11C43SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 MA 5300VRMS 400 v 300 MA - 아니요 500V/µs 20MA -
CNY17F-3X006 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3X006 0.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY17 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
H11L1S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd H11L1S (TB) -V -
RFQ
 ECAD 5058 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11L1 DC 1 오픈 오픈 3V ~ 16V 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 1MHz 100ns, 100ns 1.15V 60ma 5000VRMS 1/0 - 4µs, 4µs
VO615A-8X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-8X006 0.1190
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) VO615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
PS2702-1-K-A CEL PS2702-1-KA -
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 200ma 200µs, 200µs 40V 1.1V 50 MA 3750vrms 2000% @ 1ma - - 1V
H11G33SD onsemi H11G33SD -
RFQ
 ECAD 8765 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11g DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11G33SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.3V 60 MA 5300VRMS 200% @ 1ma - 5µs, 100µs 1.2V
PC81712NSZ1H Sharp Microelectronics PC81712NSZ1H -
RFQ
 ECAD 1048 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C - - DC 1 트랜지스터 - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 10 MA 5000VRMS - - - 200MV
CNY17F-3X009 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3X009 0.7100
RFQ
 ECAD 370 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
JANTXV4N23U TT Electronics/Optek Technology jantxv4n23u -
RFQ
 ECAD 7424 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-LCC DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-LCC (4.32x6.22) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 6MA 15µs, 15µs (최대) 35V 1.3V (최대) 50 MA 1000VDC 60% @ 10ma - - 300MV
530-03-1-10 Standex-Meder Electronics 530-03-1-10 -
RFQ
 ECAD 4611 0.00000000 Standex-meder er 장치 장치 530-03 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 4-DIP 모듈 DC 1 트랜지스터 - - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 374-530-03-1-10 귀 99 8541.49.8000 100 15MA - 32V - 10000vrms - - - -
VOT8026AD-V Vishay Semiconductor Opto Division Vot8026ad-v 1.2500
RFQ
 ECAD 5535 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) Vot8026 CQC, CUL, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 1.2V 50 MA 5300VRMS 800 v 100 MA 400µA (() 예 1kv/µs 5MA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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