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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
MOC3042SR2VM Fairchild Semiconductor MOC3042SR2VM -
RFQ
 ECAD 2747 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC304 IEC/EN/DIN, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 1.25V 60 MA 4170vrms 400 v 400µA (() 예 1kv/µs 10MA -
ACPL-021L-060E Broadcom Limited ACPL-021L-060E 1.0600
RFQ
 ECAD 5601 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ACPL-021 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 10 MA 5MBD 11ns, 11ns 1.5V 8ma 3750vrms 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
PC3H7AJ0000F SHARP/Socle Technology PC3H7AJ0000F -
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 2500VRMS 35% @ 1ma 70% @ 1ma - 200MV
VO615A-3X018T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-3X018T 0.5100
RFQ
 ECAD 5023 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 VO615 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
VOD206T Vishay Semiconductor Opto Division vod206t 1.0200
RFQ
 ECAD 4180 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) vod206 DC 2 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 5µs, 4µs 70V 1.2V 30 MA 4000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 5µs, 4µs 400MV
6N138#020 Broadcom Limited 6N138#020 -
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 6N138 DC 1 베이스와 베이스와 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 60ma - 7V 1.4V 20 MA 5000VRMS 300% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma 1.6µs, 10µs -
OPIA4N35DTUE TT Electronics/Optek Technology opia4n35dtue -
RFQ
 ECAD 3169 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 50ma 5µs, 4µs 60V 1.2V 50 MA 5000VRMS 60% @ 2MA 600% @ 2MA - 300MV
4N46#500 Broadcom Limited 4N46#500 -
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N46 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 60ma - 20V 1.4V 20 MA 3750vrms 200% @ 10ma 1000 @ 10ma 5µs, 150µs -
PS9924-Y-V-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS9924-YV-F3-AX 8.6600
RFQ
 ECAD 7258 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.543 ", 13.80mm 너비) PS9924 DC 1 오픈 오픈 2.7V ~ 5.5V 8-LSDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 25 MA 10Mbps 20ns, 5ns 1.56V 25MA 7500VRMS 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
ILQ615-2X007 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ615-2X007 3.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 ILQ615 DC 4 트랜지스터 16-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 25 50ma 2µs, 2µs 70V 1.15V 60 MA 5300VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs -
4N27300W onsemi 4N27300W -
RFQ
 ECAD 2010 년 년 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 4N27 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N27300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 10% @ 10ma - 2µs, 2µs 500MV
TCET1101G Vishay Semiconductor Opto Division TCET1101G 0.5500
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TCET1101 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
PS2561L-1 CEL PS2561L-1 -
RFQ
 ECAD 2291 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
PS2703-1-F3-L-A CEL PS2703-1-F3-LA -
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 30ma 10µs, 10µs 120V 1.1V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
CNY17F-4S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd CNY17F-4S1 (TA) 0.3354
RFQ
 ECAD 6644 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17F DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171746 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 6µs, 8µs 80V 1.65V (() 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 10µs, 9µs 300MV
PS9121-V-AX Renesas Electronics America Inc PS9121-V-AX 2.5987
RFQ
 ECAD 2028 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 대부분 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ PS9121 DC 1 오픈 오픈 2.7V ~ 3.6V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 20 25 MA 15Mbps 20ns, 5ns 1.65V 30ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
FOD2743CSDV onsemi FOD2743CSDV -
RFQ
 ECAD 2412 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD274 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 70V 1.07V 5000VRMS 50% @ 1ma 100% @ 1ma - 400MV
EL205-V Everlight Electronics Co Ltd EL205-V -
RFQ
 ECAD 2532 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) EL205 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 - 1.6µs, 2.2µs 80V 1.3V 60 MA 3750vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3µs, 3µs 400MV
EL3023S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL3023S1 (TA) 0.3646
RFQ
 ECAD 6804 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3023 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903230006 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 MA 5000VRMS 400 v 100 MA 250µA (() 아니요 100v/µs (유형) 5MA -
HCPL-5200#300 Broadcom Limited HCPL-5200#300 96.0933
RFQ
 ECAD 7212 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-CSMD, m 날개 HCPL-5200 DC 1 트라이 트라이 4.5V ~ 20V 8-SMD 갈매기 d 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 15 MA 5MBD 45ns, 10ns 1.3V 8ma 1500VDC 1/0 1kv/µs 350ns, 350ns
SFH615A-3X016-D Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-3X016-D -
RFQ
 ECAD 1382 0.00000000 Vishay to Opto Division SFH615A 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP - 영향을받지 영향을받지 751-SFH615A-3X016-D 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 14µs 70V 1.35V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 4.2µs, 23µs 400MV
MOC207VM onsemi MOC207VM 0.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC207 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 7.5µs, 5.7µs 400MV
CNY17-4X Isocom Components 2004 LTD CNY17-4X 0.5500
RFQ
 ECAD 5344 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 50ma 2µs, 2µs 70V 1.2V 60 MA 5300VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
MOC8108SD onsemi MOC8108SD -
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC810 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC8108SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.15V 100 MA 5300VRMS 250% @ 10ma 600% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
EL816(S1)(X)(TU)-V Everlight Electronics Co Ltd EL816 (S1) (X) (TU) -v -
RFQ
 ECAD 1700 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL816 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 200MV
CNY17-1X Isocom Components 2004 LTD CNY17-1X 0.5600
RFQ
 ECAD 993 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,040 50ma 2µs, 2µs 70V 1.2V 60 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
TLP759(D4KEBIMT1JF Toshiba Semiconductor and Storage tlp759 (d4kebimt1jf -
RFQ
 ECAD 7952 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 264-TLP759 (D4KEBIMT1JF 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
EL3011M-V Everlight Electronics Co Ltd EL3011M-V -
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) EL3011 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903110009 귀 99 8541.49.8000 65 1.18V 60 MA 5000VRMS 250 v 100 MA 250µA (() 아니요 100v/µs (유형) 10MA -
ISP825X Isocom Components 2004 LTD ISP825X 1.1500
RFQ
 ECAD 289 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ISP825 DC 2 달링턴 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 80ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 50 MA 5300VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
TLP109(IGM-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (IGM-TPR, e 1.9200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLP109 DC 1 트랜지스터 6-5 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 8ma - 20V 1.64V 20 MA 3750vrms 25% @ 10ma 75% @ 10ma 450ns, 450ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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