SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
APT1221W Panasonic Electric Works APT1221W 2.0100
RFQ
ECAD 143 0.00000000 Panasonic Electric Works 적절한 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) APT1221 CUR, VDE 1 트라이크 4-DIP 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.49.8000 100 1.21V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 3.5MA 아니요 500V/µs 10MA 100µs (최대)
PS2711-1-V-F3-M-A Renesas Electronics America Inc PS2711-1-V-F3-MA -
RFQ
ECAD 7507 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2711 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1468-2 귀 99 8541.49.8000 3,500 40ma 4µs, 5µs 40V 1.15V 50 MA 3750vrms 100% @ 1ma 200% @ 1ma - 300MV
MOC206R1VM onsemi moc206r1vm -
RFQ
ECAD 2363 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC206 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 7.5µs, 5.7µs 400MV
TLP521-4XSM Isocom Components 2004 LTD TLP521-4XSM 1.8500
RFQ
ECAD 182 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 TLP521 DC 4 트랜지스터 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 25 - 4µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400MV
OPIA403BTR TT Electronics/Optek Technology opia403btr -
RFQ
ECAD 1333 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 4-SOP (2.54mm) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 50 MA 3750vrms 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
SFH691AT Vishay Semiconductor Opto Division sfh691at 1.1000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH691 AC, DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 3µs, 4µs 70V 1.15V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA 5µs, 3µs 300MV
MOC208M Fairchild Semiconductor MOC208M 0.1600
RFQ
ECAD 23 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 70V 1.15V 60 MA 2500VRMS 40% @ 10ma 125% @ 10ma 7.5µs, 5.7µs 400MV
PS2581AL2-F3-Q-A Renesas Electronics America Inc PS2581AL2-F3-QA -
RFQ
ECAD 6632 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2581 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1402-2 귀 99 8541.49.8000 2,000 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 300MV
HCNW4503#300 Broadcom Limited HCNW4503#300 5.6100
RFQ
ECAD 2537 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCNW4503 DC 1 트랜지스터 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 42 8ma - 20V 1.68V 25 MA 5000VRMS 15% @ 16ma - 1µs, 1µs (최대) -
TLP385(D4GH-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4GH-TR, e 0.5600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP385 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
CNY17F-2M-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17F-2M-V 1.0700
RFQ
ECAD 185 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY17F DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171779 귀 99 8541.49.8000 65 - 6µs, 8µs 80V 1.65V (() 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 10µs, 9µs 300MV
HCPL-0708-500E Broadcom Limited HCPL-0708-500E -
RFQ
ECAD 6132 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0708 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 키가 8 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 2 MA 15MBD 20ns, 25ns 1.5V 20MA 3750vrms 1/0 10kV/µs 60ns, 60ns
CNY171TM Fairchild Semiconductor CNY171TM 0.1900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3.5µs (최대) 70V 1.35V 60 MA 4170vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
OR-4N25S-TA1 Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-4N25S-TA1 0.5800
RFQ
ECAD 1614 0.00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1,000
FODM3053R2-NF098 onsemi FODM3053R2-NF098 1.9000
RFQ
ECAD 34 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 CUR, ur 1 트라이크 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 1.2V 60 MA 3750vrms 600 v 70 MA 300µA (() 아니요 1kv/µs 5MA -
TLP2168(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2168 (TP, F) -
RFQ
ECAD 2972 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLP2168 DC 2 오픈 오픈 2.7V ~ 5.5V 도 8- 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,500 25 MA 20MBD 30ns, 30ns 1.57V 25MA 2500VRMS 2/0 15kV/µs 60ns, 60ns
HCPL-0730 Broadcom Limited HCPL-0730 7.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0730 DC 2 달링턴 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 60ma - 7V 1.4V 12 MA 3750vrms 300% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma 5µs, 10µs 100MV
CNX39U3S onsemi CNX39U3 -
RFQ
ECAD 9543 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNX39 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNX39U3S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 30V 1.15V 100 MA 5300VRMS 60% @ 10ma 100% @ 10ma 20µs, 20µs 400MV
EL3H7(A)(TA)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (A) (TA) -VG 0.1563
RFQ
ECAD 7925 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) EL3H7 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 5,000 50ma 5µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
H11A5FVM onsemi H11A5FVM -
RFQ
ECAD 4158 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 7500VPK 30% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
HCPL0453R2 onsemi HCPL0453R2 3.0000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL0453 DC 1 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
HCPL-7720#300 Broadcom Limited HCPL-7720#300 -
RFQ
ECAD 9229 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 논리 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 10 MA 25MBD 9ns, 8ns - - 3750vrms 1/0 10kV/µs 40ns, 40ns
FOD8143SD onsemi FOD8143SD 0.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD814 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
MOC3061SR2VM onsemi MOC3061SR2VM 1.7900
RFQ
ECAD 5886 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC306 IEC/EN/DIN, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 MA 4170vrms 600 v 500µA (() 600V/µs 15MA -
PC900V0NIZX Sharp Microelectronics PC900V0NIZX -
RFQ
ECAD 9363 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 OPIC ™ 튜브 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 오픈 오픈 3V ~ 15V 6-SMD 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 425-1529-5 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA - 100ns, 50ns 1.1V 50ma 5000VRMS 1/0 - 6µs, 3µs
TCLT1014 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1014 0.8300
RFQ
ECAD 98 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TCLT1014 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
CNY17-3-560E Broadcom Limited CNY17-3-560E 0.2203
RFQ
ECAD 6184 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma 5µs, 5µs 70V 1.4V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 300MV
EL3H4(A)(EA)-G Everlight Electronics Co Ltd el3H4 (a) (ea) -g -
RFQ
ECAD 6302 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) EL3H4 AC, DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 - 6µs, 8µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
SFH615AA-X017 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AA-X017 -
RFQ
ECAD 1087 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH615 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma - 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 2µs, 25µs 400MV
PC4SD21NXZCF Sharp Microelectronics PC4SD21NXZCF -
RFQ
ECAD 4853 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD PC4SD21 CSA, ur 1 트라이크 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 1.2V 50 MA 5000VRMS 800 v 100 MA 3.5MA 500V/µs 5MA 50 대 (최대)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고