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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
PS2701A-1Y-F3-A CEL PS2701A-1Y-F3-A -
RFQ
 ECAD 1517 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 30ma 5µs, 7µs 70V 1.2V 30 MA 3750vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
4N36SVM onsemi 4N36SVM -
RFQ
 ECAD 2655 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N36 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N36SVM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma - 2µs, 2µs 300MV
CNY17F-4M Lite-On Inc. CNY17F-4M -
RFQ
 ECAD 3345 0.00000000 Lite-On Inc. CNY17F 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) CNY17 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) CNY17f4m 귀 99 8541.49.8000 65 150ma 5µs, 5µs 70V 1.45V 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 300MV
ILQ621GB Vishay Semiconductor Opto Division ILQ621GB 3.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ILQ621 DC 4 트랜지스터 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 25 50ma 2µs, 2µs 70V 1.15V 60 MA 5300VRMS 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 2.3µs 400MV
HMA121CR2 onsemi HMA121CR2 -
RFQ
 ECAD 9764 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400MV
TLP291(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (SE 0.5900
RFQ
 ECAD 8438 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP291 DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) tlp291 (se (t 귀 99 8541.49.8000 175 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
ACPL-M51L-000E Broadcom Limited ACPL-M51L-000E 2.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Broadcom Limited - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ ACPL-M51 DC 1 트랜지스터 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 8ma - 24V 1.5V 20 MA 3750vrms 80% @ 3ma 200% @ 3ma 300ns, 330ns -
PC817X3NSZ1B SHARP/Socle Technology PC817X3NSZ1B 0.2148
RFQ
 ECAD 8852 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) PC817X3 DC 1 트랜지스터 4-DIP - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA - - - - 200MV
HCPL-4534#500 Broadcom Limited HCPL-4534#500 5.0808
RFQ
 ECAD 6754 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-4534 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.5V 25 MA 3750vrms 15% @ 16ma 50% @ 16ma 200ns, 600ns -
EL3042-V Everlight Electronics Co Ltd EL3042-V -
RFQ
 ECAD 9615 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) EL3042 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903420008 귀 99 8541.49.8000 65 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 400 v 100 MA 280µA (() 예 1kv/µs 10MA -
HCPL0531R2 onsemi HCPL0531R2 4.7800
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL0531 DC 2 트랜지스터 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 300ns -
HCPL-0600#500 Broadcom Limited HCPL-0600#500 1.5720
RFQ
 ECAD 7656 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0600 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 516-1071-2 귀 99 8541.49.8000 1,500 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.5V 20MA 3750vrms 1/0 5kV/µs 100ns, 100ns
HCPL-061N-060E Broadcom Limited HCPL-061N-060E 1.6870
RFQ
 ECAD 7967 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-061 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50 MA 10MBD 42ns, 12ns 1.3V 10MA 3750vrms 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
H11AA2300 onsemi H11AA2300 -
RFQ
 ECAD 8842 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11a AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11AA2300-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 100 MA 5300VRMS 10% @ 10ma - - 400MV
EL3H7(B)(TA)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (B) (TA) -VG 0.5600
RFQ
 ECAD 824 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) EL3H7 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 5,000 50ma 5µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
FOD2743BSDV onsemi FOD2743BSDV 2.1000
RFQ
 ECAD 711 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 FOD2743 DC 1 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 70V 1.07V 5000VRMS 50% @ 1ma 100% @ 1ma - 400MV
EL1018(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL1018 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL1018 DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.45V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA 4µs, 3µs 300MV
H11G3300W onsemi H11G3300W -
RFQ
 ECAD 7124 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11g DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11G3300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.3V 60 MA 5300VRMS 200% @ 1ma - 5µs, 100µs 1.2V
SL5511300W onsemi SL5511300W -
RFQ
 ECAD 3303 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) SL5511 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SL5511300W-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 30V 1.23V 100 MA 5300VRMS 25% @ 2MA - 20µs, 50µs (최대) 400MV
8234600000 Weidmüller 8234600000 -
RFQ
 ECAD 2711 0.00000000 Weidmüller - 대부분 쓸모없는 -25 ° C ~ 60 ° C DIN 레일 기준 기준 AC, DC 1 트랜지스터 - - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 100ma - 48V - - - - 5ms, 18ms -
MOC3073SR2M onsemi MOC3073SR2M 1.7700
RFQ
 ECAD 3042 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC307 ul 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 MA 4170vrms 800 v 540µA (µ) 아니요 1kv/µs 6MA -
PS2565L-1-F3-A CEL PS2565L-1-F3-A -
RFQ
 ECAD 6334 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
4N37(SHORT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N37 (Short-TP5, F) -
RFQ
 ECAD 9038 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 4N37 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD - rohs 준수 1 (무제한) 4N37 ((TP5F) 귀 99 8541.49.8000 1,500 100ma - 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 100% @ 10ma - 3µs, 3µs 300MV
4N26S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd 4N26S1 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 4955 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907172611 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 20% @ 10ma - 3µs, 3µs 500MV
HCPL0700 onsemi HCPL0700 2.7900
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL07 DC 1 베이스와 베이스와 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 60ma - 7V 1.25V 20 MA 2500VRMS 300% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma 1µs, 7µs -
EL3023M Everlight Electronics Co Ltd EL3023M -
RFQ
 ECAD 3950 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) EL3023 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903230001 귀 99 8541.49.8000 65 1.18V 60 MA 5000VRMS 400 v 100 MA 250µA (() 아니요 100v/µs (유형) 5MA -
MOC3031FR2VM onsemi MOC3031FR2VM -
RFQ
 ECAD 4094 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC303 - 1 트라이크 6-SMD - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3031FR2VM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 60 MA 7500VPK 250 v 400µA (() 예 - 15MA -
PS2502L-4-A CEL PS2502L-4-A -
RFQ
 ECAD 6653 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 DC 4 달링턴 16-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 PS2502L4A 귀 99 8541.49.8000 20 160ma 100µs, 100µs 40V 1.17V 80 MA 5000VRMS 200% @ 1ma - - 1V
IL2 Vishay Semiconductor Opto Division IL2 -
RFQ
 ECAD 6235 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) IL2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2.6µs, 2.2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1.2µs, 2.3µs 250MV (()
VO615A-4X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-4X007T 0.5000
RFQ
 ECAD 895 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 VO615 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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