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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
PC354MTJ000F Sharp Microelectronics PC354MTJ000F -
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- 모니 플랫 AC, DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 - 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 750 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms - - - 200MV
HCPL-193K#200 Broadcom Limited HCPL-193K#200 686.8600
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-193 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 16-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 MA 10Mbps 30ns, 24ns - 60ma 1500VDC 2/0 1kv/µs 100ns, 100ns
ACPL-847-360E Broadcom Limited ACPL-847-360E 0.6802
RFQ
 ECAD 5667 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 ACPL-847 DC 4 트랜지스터 16-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 25 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
TLP185(GRH,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GRH, SE -
RFQ
 ECAD 3142 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP185 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP185 (GRHSE 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
ACPL-6750L Broadcom Limited ACPL-6750L 140.4650
RFQ
 ECAD 9812 0.00000000 Broadcom Limited - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-SMD 엉덩이 d ACPL-6750 DC 1 달링턴 8-DIP 조인트 엉덩이 다운로드 Rohs3 준수 516-ACPL-6750L 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 6µs 110MV
TLP731(D4GRL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp731 (d4grl-lf2, f -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP731 - 1 (무제한) 264-TLP731 (D4GRL-LF2F 귀 99 8541.49.8000 50
ISP817SM Isocom Components 2004 LTD ISP817SM 0.1583
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 ECAD 3758 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd ISP817 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 58-ISP817SM 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 4µs 80V 1.2V 50 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
VOS618A-3X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOS618A-3X001T 0.6300
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) VOS618 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 5µs, 7µs 80V 1.1V 50 MA 3750vrms 100% @ 1ma 200% @ 1ma 5µs, 8µs 400MV
TLP620-4(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4-LF2, F) -
RFQ
 ECAD 5028 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP620 AC, DC 4 트랜지스터 16-DIP 다운로드 264-TLP620-4 (D4-LF2F) 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 2µs, 3µs 55V 1.15V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
HCPL4503TSVM onsemi HCPL4503TSVM 3.2600
RFQ
 ECAD 4036 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL4503 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 250ns, 260ns -
K3010P Vishay Semiconductor Opto Division K3010p 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) K3010 BSI, CQC, UR, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 1.25V 80 MA 5300VRMS 250 v 100 MA 100µa (타이핑) 아니요 10kv/µs (타이핑) 15MA -
PS2802-1-V-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2802-1-V-F3-A 1.5200
RFQ
 ECAD 7643 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) PS2802 DC 1 달링턴 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 90ma 200µs, 200µs 40V 1.1V 50 MA 2500VRMS 200% @ 1ma - - 1V
RV1S9060ACCSP-10YV#SC0 Renesas Electronics America Inc RV1S9060ACCSP-10YV#SC0 5.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 조각 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 5 개의 리드 RV1S9060 - 1 CMOS 6V 5-LSO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -1161-RV1S9060ACCSP-10YV#SC0 귀 99 8541.49.8000 20 10 MA 15Mbps 5ns, 5ns 1.55V 6MA 5000VRMS 1/0 50kV/µs 60ns, 60ns
PS2561DL-1Y-H-A Renesas ps2561dl-1y-ha -
RFQ
 ECAD 7376 0.00000000 Renesas NEPOC 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD - 2156-PS2561DL-1Y-HA 1 50ma 3µs, 5µs 80V 1.2V 40 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
4N35M Fairchild Semiconductor 4N35m -
RFQ
 ECAD 1922 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma - 10µs, 9µs 300MV
HCPL-4506-500E Broadcom Limited HCPL-4506-500E 3.0200
RFQ
 ECAD 5144 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-4506 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 30V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 15 MA - - 1.5V 25MA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
TLP160J(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp160j (tpl, u, c, f) -
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP160 - 1 (무제한) 264-TLP160J (TPLUCF) TR 귀 99 8541.49.8000 3,000
FOD817C300W onsemi FOD817C300W 0.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD817 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2156-FOD817C300W-488 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
IL4117 Vishay Semiconductor Opto Division IL4117 -
RFQ
 ECAD 3923 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) IL4117 BSI, CSA, CUR, FIMKO, ur 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 1.3V 60 MA 5300VRMS 700 v 300 MA 200µA 예 10kV/µs 1.3ma 35µs
ACFL-6211T-000E Broadcom Limited ACFL-6211T-000E 7.7700
RFQ
 ECAD 377 0.00000000 Broadcom Limited 자동차, AEC-Q100, R²Coupler ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 12-BSOP (0.295 ", 7.50mm 너비) ACFL-6211 DC 2 푸시 푸시, 풀 기둥 3V ~ 5.5V 도 12- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 80 10 MA 15MBD 10ns, 10ns 1.5V 20MA 5000VRMS 1/1 15kV/µs 35ns, 35ns
PS2701A-1-V-F3-P-A CEL PS2701A-1-V-F3-PA -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PS2701A-1-V-F3-P-ATR 귀 99 8541.49.8000 3,500 30ma 5µs, 7µs 70V 1.2V 30 MA 3750vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
140106146000 Würth Elektronik 140106146000 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Würth Elektronik WL-OCPT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-LSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 5µs, 6µs 80V 1.24V 60 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
RV1S9161ACCSP-100C#SC0 Renesas Electronics America Inc RV1S9161ACCSP-100C#SC0 6.0600
RFQ
 ECAD 4744 0.00000000 Renesas Electronics America Inc RV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ RV1S9161 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 30V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 20 25 MA 15Mbps - 1.54V 20MA 3750vrms 1/0 100kv/µs 60ns, 60ns
H11L2TVM Fairchild Semiconductor H11L2TVM 0.5200
RFQ
 ECAD 605 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 오픈 오픈 3V ~ 15V 6-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 605 50 MA 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30ma 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
HCPL-3760#500 Broadcom Limited HCPL-3760#500 5.8298
RFQ
 ECAD 8453 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-3760 AC, DC 1 달링턴 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 30ma 14µs, 0.4µs 20V - 3750vrms - - 4.5µs, 8µs -
HCPL-0721#060 Broadcom Limited HCPL-0721#060 -
RFQ
 ECAD 8729 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 논리 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 키가 8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 10 MA 25MBD 9ns, 8ns - - 3750vrms 1/0 10kV/µs 40ns, 40ns
PC452TJ0000F Sharp Microelectronics PC452TJ0000F -
RFQ
 ECAD 6778 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 750 150ma 100µs, 20µs 350V 1.2V 50 MA 3750vrms 1000% @ 1ma - - 1.2V
140817142200 Würth Elektronik 140817142200 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Würth Elektronik WL-OCPT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-DIP-S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 50ma 3µs, 4µs 35V 1.24V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
6N135S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd 6N135S (TA) -V 0.4778
RFQ
 ECAD 9890 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C170000030 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 7% @ 16ma 50% @ 16ma 350ns, 500ns -
EL814S(A)(TD)-V Everlight Electronics Co Ltd EL814S (A) (TD) -V -
RFQ
 ECAD 6567 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL814 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,500 - 7µs, 11µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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