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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
TLP385(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (BL-TPR, e 0.5600
RFQ
 ECAD 9723 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP385 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
FOD4116S onsemi FOD4116S 5.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4116 CSA, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 MA 5000VRMS 600 v 500µA 예 10kV/µs 1.3ma 60µs
TLP627MF(D4-T4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (D4-T4, e 0.9200
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP627 DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma 60µs, 30µs 300V 1.25V 50 MA 5000VRMS 1000% @ 1ma - 110µs, 30µs 1.2V
HCPL-268K Broadcom Limited HCPL-268K 579.8714
RFQ
 ECAD 5320 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-268 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 35ns, 35ns 1.55V 20MA 1500VDC 2/0 1kv/µs 100ns, 100ns
H11AA1-X007T Vishay Semiconductor Opto Division H11AA1-X007T 1.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 h11 AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 60 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - - 400MV
APT1212AZ Panasonic Electric Works APT1212AZ 0.8162
RFQ
 ECAD 7547 0.00000000 Panasonic Electric Works 적절한 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 5-SMD,, 날개 APT1212 CUR, VDE 1 트라이크 6-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 -APT1212AZ-ND 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.21V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 3.5MA 예 500V/µs 10MA 100µs (최대)
ACPL-772L-300E Broadcom Limited ACPL-772L-300E 2.3791
RFQ
 ECAD 4919 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 ACPL-772 논리 1 푸시 푸시, 풀 기둥 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 10 MA 25MBD 9ns, 8ns - - 3750vrms 1/0 10kV/µs 40ns, 40ns
PS2703-1-V-A CEL PS2703-1-VA -
RFQ
 ECAD 4222 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 10µs, 10µs 120V 1.1V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
EL217(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL217 (TA) 0.5628
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) EL217 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C110000105 귀 99 8541.49.8000 2,000 - 1.6µs, 2.2µs 80V 1.3V 60 MA 3750vrms 100% @ 1ma - 3µs, 3µs 400MV
CPC1303GR IXYS Integrated Circuits Division CPC1303GR 1.7900
RFQ
 ECAD 490 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 CPC1303 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 - - 30V 1.2V 50 MA 5000VRMS 200% @ 200µa 2500% @ 200µa 2µs, 8µs 500MV
H11D1300 Fairchild Semiconductor H11D1300 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 300V 1.15V 80 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 400MV
PS2811-1-V-F3-A CEL PS2811-1-V-F3-A -
RFQ
 ECAD 7893 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 40ma 4µs, 5µs 40V 1.15V 50 MA 2500VRMS 100% @ 1ma 400% @ 1ma - 300MV
H11F3SM onsemi H11F3SM 4.3500
RFQ
 ECAD 1970 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11F DC 1 MOSFET 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 - - 15V 1.3V 60 MA 4170vrms - - 45µs, 45µs (최대) -
VOT8123AD Vishay Semiconductor Opto Division Vot8123ad 1.1600
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) Vot8123 CQC, CUL, UL, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 751-VOT8123AD 귀 99 8541.49.8000 2,000 1.2V 50 MA 5000VRMS 800 v 100 MA 400µA (() 아니요 1kv/µs 10MA -
4N47A TT Electronics/Optek Technology 4N47A -
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 To-78-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 20µs, 20µs 40V 1.5V (최대) 40 MA 1000VDC 50% @ 1ma - - 300MV
HCPL-6750 Broadcom Limited HCPL-6750 137.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16- 플랫 팩 HCPL-6750 DC 4 달링턴 16- 플랫 팩 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 8µs 110MV
LTV-847S-BC Lite-On Inc. LTV-847S-BC 0.4228
RFQ
 ECAD 8868 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-8X7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 LTV-847 DC 4 트랜지스터 16-smd 다운로드 Rohs3 준수 160-LTV-847S-BCTR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
TLP759(D4IM-F5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4IM-F5, J, f -
RFQ
 ECAD 2025 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP759 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 264-TLP759 (D4IM-F5JF 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - - 1.65V 25 MA 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
H11A4S1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd H11A4S1 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11A4 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171147 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 10% @ 10ma - 3µs, 3µs 400MV
TLP2312(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (TPR, e 1.7100
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLP2312 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.2V ~ 5.5V 6-5 리드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 8 MA 5Mbps 2.2ns, 1.6ns 1.53V 8ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
PS2761B-1-V-F3-K-A Renesas Electronics America Inc PS2761B-1-V-F3-KA 0.5678
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2761 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 40ma 4µs, 5µs 70V 1.1V 25 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
SFH6106-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-3 0.8800
RFQ
 ECAD 4555 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH6106 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 2µs 70V 1.25V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
HCPL0700R2V onsemi HCPL0700R2V -
RFQ
 ECAD 7520 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL07 DC 1 베이스와 베이스와 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 60ma - 7V 1.25V 20 MA 2500VRMS 300% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma 1µs, 7µs -
HCPL-2502-500E Broadcom Limited HCPL-2502-500E 3.0200
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-2502 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.5V 25 MA 3750vrms 15% @ 16ma 22% @ 16MA 200ns, 600ns -
6N137 Isocom Components 2004 LTD 6N137 1.1100
RFQ
 ECAD 380 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 오픈 오픈 7V 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 6N137IS 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10Mbps 40ns, 10ns 1.4V 50ma 5000VRMS 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
TIL190-2 Texas Instruments TIL190-2 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 567
FOD4118 Fairchild Semiconductor FOD4118 2.6500
RFQ
 ECAD 316 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD411 CSA, UL 1 트라이크 6-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 123 1.25V 30 MA 5000VRMS 800 v 500µA 예 10kV/µs 1.3ma 60µs
SFH6943A-2T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6943A-2T -
RFQ
 ECAD 4576 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 SOT-223-10 SFH6943 DC 4 트랜지스터 10-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 10MA 3µs, 3.1µs 70V 1.25V 3 MA 1768vrms 63% @ 1ma 200% @ 1ma 2.6µs, 2.8µs -
TLP512(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP512 - 1 (무제한) 264-TLP512 (TP1F) TR 귀 99 8541.49.8000 1,500
TLP2261(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2261 (TP4, e 1.2038
RFQ
 ECAD 5468 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TLP2261 DC 2 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 도 8- 다운로드 rohs 준수 TLP2261 (TP4E 귀 99 8541.49.8000 1,500 10 MA 15MBD 3ns, 3ns 1.5V 10MA 5000VRMS 2/0 20kV/µs 80ns, 80ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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