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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
FOD852300W Fairchild Semiconductor FOD852300W -
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 150ma 100µs, 20µs 300V 1.2V 50 MA 5000VRMS 1000% @ 1ma 15000% @ 1ma - 1.2V
PS2535-1-V-A Renesas Electronics America Inc PS2535-1-VA 1.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) PS2535 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-PS2535-1-VA 귀 99 8541.49.8000 100 120ma 18µs, 5µs 350V 1.2V 50 MA 5000VRMS 400% @ 1ma 5500% @ 1ma - 1V
EL3H7(B)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (b) -g 0.6500
RFQ
 ECAD 8418 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) EL3H7 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903H70001 귀 99 8541.49.8000 150 50ma 5µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
VO615A-5X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-5X016 0.1167
RFQ
 ECAD 8213 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) VO615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.43V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 150% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
CNY17F-4X007 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-4X007 0.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
TLP292-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4LGB, e 1.7900
RFQ
 ECAD 2917 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP292 AC, DC 4 트랜지스터 16- 형의 행위 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 500µa 600% @ 500µa 3µs, 3µs 300MV
4N24 TT Electronics/Optek Technology 4N24 32.3402
RFQ
 ECAD 2291 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 To-78-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 250 50ma 20µs, 20µs 35V 1.3V (최대) 40 MA 1000VDC 100% @ 10ma - - 300MV
FODM121AV onsemi FODM121AV 0.2104
RFQ
 ECAD 8450 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 400MV
PS2581L2-A Renesas Electronics America Inc PS2581L2-A 0.9400
RFQ
 ECAD 9863 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2581 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1407 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
6N135S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd 6N135S1 (TB) -
RFQ
 ECAD 9810 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C170000008 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 5000VRMS 7% @ 16ma 50% @ 16ma 350ns, 500ns -
FOD814SD onsemi FOD814SD 0.8900
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD814 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 20% @ 1ma 300% @ 1ma - 200MV
PS2701-1-F3-M-A CEL PS2701-1-F3-MA -
RFQ
 ECAD 6138 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 80ma 3µs, 5µs 40V 1.1V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA - 300MV
EL817(B)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL817 (b) -vg 0.1991
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) EL817 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
5962-8981001YA Broadcom Limited 5962-8981001YA 102.4866
RFQ
 ECAD 3536 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-SMD 엉덩이 d 5962-8981001 DC 1 달링턴 8-DIP 조인트 엉덩이 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 8µs 110MV
FOD8523S Fairchild Semiconductor FOD8523S 1.0000
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 150ma 100µs, 20µs 300V 1.2V 50 MA 5000VRMS 1000% @ 1ma 15000% @ 1ma - 1.2V
PS2561L-2-V CEL PS2561L-2-V -
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 45 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
H11A53SD onsemi H11A53SD -
RFQ
 ECAD 5993 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11A53SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 MA 5300VRMS 30% @ 10ma - 2µs, 2µs 400MV
FOD817BS Fairchild Semiconductor FOD817BS 0.1300
RFQ
 ECAD 3862 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 귀 99 8541.49.8000 300 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
TLP785(D4-YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-YH, f -
RFQ
 ECAD 5168 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP785 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP785 (D4-YHF 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 150% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
H11B1 Vishay Semiconductor Opto Division H11B1 -
RFQ
 ECAD 2723 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) h11 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 100ma - 25V 1.1V 60 MA 5300VRMS 500% @ 1ma - 5µs, 30µs 1V
H11A3M-V Everlight Electronics Co Ltd H11A3M-V -
RFQ
 ECAD 4895 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) H11A3 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171131 귀 99 8541.49.8000 65 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 20% @ 10ma - 3µs, 3µs 400MV
4N25 Everlight Electronics Co Ltd 4N25 0.3184
RFQ
 ECAD 7485 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 65 - - 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 20% @ 10ma - 3µs, 3µs 500MV
PS8302L2-V-E3-AX Renesas Electronics America Inc PS8302L2-V-E3-AX 4.2000
RFQ
 ECAD 8556 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) PS8302 DC 1 트랜지스터 6-Sdip Gull Wing 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 8ma - 35V 1.6V 25 MA 5000VRMS 15% @ 16ma - - -
PVI5033RS Infineon Technologies PVI5033RS -
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 인피온 인피온 PVI 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 PVI5033 DC 2 태양 태양 8-smd 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 *PVI5033RS 귀 99 8541.49.8000 50 5µA - 10V - 40 MA 3750vrms - - 2.5ms, 500µs (최대) -
H11A3S Lite-On Inc. H11A3S -
RFQ
 ECAD 9351 0.00000000 Lite-On Inc. h11ax 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) H11A3SLT 귀 99 8541.49.8000 65 150ma 2.8µs, 4.5µs 30V 1.2V 60 MA 5000VRMS 20% @ 10ma - - 400MV
TLP388(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388 (D4GB-TR, e 0.7800
RFQ
 ECAD 7489 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP388 DC 1 트랜지스터 6-4 리드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 350V 1.25V 50 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
FODM2701BV onsemi FODM2701BV -
RFQ
 ECAD 7936 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM27 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 80ma 3µs, 3µs 40V 1.4V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
H11AV1AVM onsemi h11av1avm 0.9800
RFQ
 ECAD 901 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) h11av DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 - - 70V 1.18V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma 300% @ 10ma 15µs, 15µs (최대) 400MV
5962-9085401KPA Broadcom Limited 5962-9085401KPA 565.2386
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 5962-9085401 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.55V 20 MA 1500VDC 9% @ 16ma - 400ns, 1µs -
6N139SDVM Fairchild Semiconductor 6N139SDVM 0.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 귀 99 8541.49.8000 435 60ma - 18V 1.3V 20 MA 5000VRMS 500% @ 1.6ma - 240ns, 1.3µs -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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