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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
SFH655A-X009T Vishay Semiconductor Opto Division SFH655A-X009T -
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH655 DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 125MA 14µs, 14µs 55V 1.15V 60 MA 5300VRMS 600% @ 1ma - 16µs, 15µs 1V
SFH618A-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-3X001 1.0800
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH618 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3.5µs, 5µs 55V 1.1V 60 MA 5300VRMS 100% @ 1ma 200% @ 1ma 6µs, 5.5µs 400MV
PC817X3NSZ0F SHARP/Socle Technology PC817X3NSZ0F -
RFQ
 ECAD 1462 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
H11G2SM onsemi H11G2SM 1.0100
RFQ
 ECAD 3478 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11g2 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 - - 80V 1.3V 60 MA 4170vrms 1000 @ 10ma - 5µs, 100µs 1V
LDA100STR IXYS Integrated Circuits Division lda100str 1.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 LDA100 AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 1 MA 3750vrms 33% @ 1ma - 7µs, 20µs 500MV
HCPL-5730#300 Broadcom Limited HCPL-5730#300 102.9208
RFQ
 ECAD 3080 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-CSMD, m 날개 HCPL-5730 DC 2 달링턴 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma - 20V 1.4V 10 MA 1500VDC 200% @ 5mA - 2µs, 8µs 110MV
CNY172FM onsemi CNY172FM -
RFQ
 ECAD 1223 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY172 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CNY172FM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1µs, 2µs 70V 1.35V 60 MA 7500VPK 63% @ 10ma 125% @ 10ma 2µs, 3µs 400MV
MOC212M onsemi MOC212M 0.7300
RFQ
 ECAD 8165 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOC212 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 150ma 3.2µs, 4.7µs 30V 1.15V 60 MA 2500VRMS 50% @ 10ma - 7.5µs, 5.7µs 400MV
SFH6136-X019 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6136-X019 -
RFQ
 ECAD 6830 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 SFH6136 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 8ma - 25V 1.6V 25 MA 5300VRMS 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
SFH617A-3X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-3X017T 1.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH617 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.35V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
TLP292-4(LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LGB, e 1.7900
RFQ
 ECAD 6005 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP292 AC, DC 4 트랜지스터 16- 형의 행위 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 500µa 600% @ 500µa 3µs, 3µs 300MV
TLP290-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4 (TP, e 1.6300
RFQ
 ECAD 1378 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP290 AC, DC 4 트랜지스터 16- 형의 행위 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 2500VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
SFH6186-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6186-3 0.9200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH6186 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3.5µs, 5µs 55V 1.1V 60 MA 5300VRMS 100% @ 1ma 200% @ 1ma 6µs, 5.5µs 400MV
CNY17-1-360E Broadcom Limited CNY17-1-360E 0.2203
RFQ
 ECAD 9998 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 150ma 5µs, 5µs 70V 1.4V 60 MA 5000VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma - 300MV
6N135S onsemi 6N135S -
RFQ
 ECAD 3353 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 6N135 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 6N135S-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.45V 25 MA 2500VRMS 7% @ 16ma 50% @ 16ma 450ns, 500ns -
FODM121C onsemi FODM121C 0.7100
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1990-FODM121C 귀 99 8541.49.8000 100 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400MV
H11A1 Vishay Semiconductor Opto Division H11A1 0.8500
RFQ
 ECAD 5584 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) h11 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 50ma - 70V 1.1V 60 MA 5300VRMS 50% @ 10ma - 3µs, 3µs 400MV
SL55003SD onsemi SL55003SD -
RFQ
 ECAD 9992 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 SL55 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SL55003SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 30V 1.23V 100 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 300% @ 10ma 20µs, 50µs (최대) 400MV
HCPL-2502-300E Broadcom Limited HCPL-2502-300E 1.1384
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-2502 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.5V 25 MA 3750vrms 15% @ 16ma 22% @ 16MA 200ns, 600ns -
H11A817B3S Fairchild Semiconductor H11A817B3S -
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2.4µs, 2.4µs 70V 1.2V 50 MA 5300VRMS 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200MV
PS2561BL-1-Q-A Renesas Electronics America Inc PS2561BL-1-QA -
RFQ
 ECAD 2167 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2561 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1309 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 40 MA 5000VRMS 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 300MV
ILQ621GB-X017 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ621GB-X017 -
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 ILQ621 DC 4 트랜지스터 16-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.15V 60 MA 5300VRMS 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 2.3µs 400MV
HMA121CR1V onsemi HMA121CR1V -
RFQ
 ECAD 4291 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400MV
PS2501AL-1-L-A CEL PS2501AL-1-LA -
RFQ
 ECAD 3527 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2501 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
HMA121 onsemi HMA121 -
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HMA121 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 80ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400MV
PS2701-1-F3-P-A Renesas Electronics America Inc PS2701-1-F3-PA -
RFQ
 ECAD 8821 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2701 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 559-1415-2 귀 99 8541.49.8000 3,500 80ma 3µs, 5µs 40V 1.1V 50 MA 3750vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA - 300MV
4N38 onsemi 4N38 -
RFQ
 ECAD 2822 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N38 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 100ma - 80V 1.15V 80 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 1V
ACPL-827-300E Broadcom Limited ACPL-827-300E 1.0600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 ACPL-827 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
TLP2409(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2409 (F) -
RFQ
 ECAD 1952 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLP2409 DC 1 트랜지스터 도 8- 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TLP2409F 귀 99 8541.49.8000 100 16MA - 20V 1.57V 25 MA 3750vrms 20% @ 16ma - 800ns, 800ns (최대) -
CNY17F-4S(TB) Everlight Electronics Co Ltd CNY17F-4S (TB) -
RFQ
 ECAD 6606 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17F DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171731 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 6µs, 8µs 80V 1.65V (() 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 10µs, 9µs 300MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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