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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | sic 프로그램 가능 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 채널 채널 | 구동 구동 | 드라이버 드라이버 | 게이트 게이트 | 논리 논리 - vil, vih | 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) | 상승 / 시간 낙하 (타이핑) | 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) |
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![]() | 2DMB51008CC | - | ![]() | 6980 | 0.00000000 | 타무라 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 구멍을 구멍을 | 기준 기준 | 2DMB51008 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 3V ~ 5.5V | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 132-2DMB51008CC | 귀 99 | 8542.39.0001 | 120 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | IGBT, SIC MOSFET | - | 5MA, - | 500ns, 500ns | |||
![]() | 2DUD51008CXE1 | - | ![]() | 5542 | 0.00000000 | 타무라 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 2DUD51008 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 13V ~ 28V | 기준 기준 | - | rohs 준수 | 적용 적용 수 할 | 132-2DUD51008CXE1 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 30 | 동기 | 하프 하프 | 2 | IGBT | - | - | - | |||
![]() | 4DUC51016CFA1 | 157.9100 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 타무라 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 4DUC51016 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 13V ~ 28V | 기준 기준 | - | rohs 준수 | 적용 적용 수 할 | 132-4DUC51016CFA1 | 귀 99 | 8543.70.9860 | 20 | 동기 | 하프 하프 | 4 | IGBT | - | - | - | 1200 v | ||
![]() | 2DMB80206CC | - | ![]() | 9185 | 0.00000000 | 타무라 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 구멍을 구멍을 | 기준 기준 | 2DMB80206 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 3V ~ 5.5V | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 132-2DMB80206CC | 귀 99 | 8542.39.0001 | 120 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | IGBT, SIC MOSFET | - | 5MA, - | 500ns, 500ns | |||
![]() | 2DMB80407CC | - | ![]() | 5468 | 0.00000000 | 타무라 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 구멍을 구멍을 | 기준 기준 | 2DMB80407 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 3V ~ 5.5V | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 132-2DMB80407CC | 귀 99 | 8542.39.0001 | 120 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | IGBT, SIC MOSFET | - | 5MA, - | 500ns, 500ns | |||
2DM180506CM | 118.0200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 타무라 | - | 쟁반 | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 34-DIP 모듈, 31 리드 | 2DM180506 | - | 확인되지 확인되지 | 15V ~ 24V | 0502 | 다운로드 | rohs 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | N- 채널 MOSFET | 0.8V, 2V | - | - | |||||
![]() | 2du180506cm | - | ![]() | 4472 | 0.00000000 | 타무라 | - | 쟁반 | 활동적인 | 2DU180506 | 확인되지 확인되지 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 25 | |||||||||||||||||
![]() | 2QG020DDC11N | 174.6000 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 타무라 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 2QG020 | 비 비 | 확인되지 확인되지 | 13V ~ 28V | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 132-2QG020DDC11N | 귀 99 | 8543.70.9860 | 20 | 독립적인 | 하프 하프 | 2 | IGBT | 500ns, 500ns |
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