SIC
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집적회로(IC)(38)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 SIC 프로그래밍 가능 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 채널 유형 구동 구성 효율적으로 사용할 수 있음 마더보드의 형태 논리 전압 - VIL, VIH 소스 - 출력(소스, 싱크) /하강 시간(일반) 하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩)
2CG010BBC14N Tamura 2CG010BBC14N 73.2700
보상요청
 ECAD 8430 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 스루홀 기준기준 2CG010 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13V ~ 28V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 132-2CG010BBC14N EAR99 8543.90.8885 30 반응 다리 다리 2 IGBT, SiC MOSFET 1.65V, 3.85V 500ns, 500ns
2DM150806CM Tamura 2DM150806CM 118.0200
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 ECAD 101 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -30°C ~ 85°C(타) 스루홀 34-DIP 모듈, 31리드 2DM150806 - 문제가 발생하지 않았습니다 15V ~ 24V 0502 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8542.39.0001 25 반응 다리 다리 2 IGBT 0.8V, 2V - -
2DM150606CM Tamura 2DM150606CM -
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 ECAD 2529 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -30°C ~ 85°C(타) 스루홀 34-DIP 모듈, 31리드 2DM150606 - 문제가 발생하지 않았습니다 15V ~ 24V 0502 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8542.39.0001 25 반응 다리 다리 2 IGBT 0.8V, 2V - -
2PG010DDC11N Tamura 2PG010DDC11N 150.5200
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 ECAD 9397 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C 방역 기준기준 2PG010 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13V ~ 28V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 132-2PG010DDC11N EAR99 8543.70.9860 20 반응 다리 다리 2 IGBT 0.5V, 3.3V 500ns, 500ns
2DMB51507CC Tamura 2DMB51507CC -
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 ECAD 1858년 0.00000000 타무라 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C 스루홀 기준기준 2DMB51507 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 3V ~ 5.5V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 132-2DMB51507CC EAR99 8542.39.0001 120 반응 다리 다리 2 IGBT, SiC MOSFET - 5mA, - 500ns, 500ns
2CG010DBC11N Tamura 2CG010DBC11N 73.2700
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 ECAD 30 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C 스루홀 기준기준 2CG010 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13V ~ 28V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8543.70.9860 30 반응 다리 다리 2 IGBT 1.65V, 3.85V 500ns, 500ns
2EG01XCDN11N Tamura 2EG01XCDN11N 77.8500
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 ECAD 29 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C 방역 기준기준 2EG01 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13.5V ~ 26.4V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 132-2EG01XCDN11N EAR99 8543.70.9860 30 운동식 다리 다리 2 IGBT 0.5V, 3.3V - 500ns, 500ns 1700V
2EG01XCCN11N Tamura 2EG01XCCN11N 77.8500
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 ECAD 30 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C 방역 기준기준 2EG01 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13.5V ~ 26.4V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 132-2EG01XCCN11N EAR99 8543.70.9860 30 운동식 다리 다리 2 IGBT 0.5V, 3.3V - 500ns, 500ns 1700V
4DUC51016CFA2 Tamura 4DUC51016CFA2 157.9100
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 ECAD 60 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 방역 기준기준 4DUC51016 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13V ~ 28V 기준기준 - RoHS 준수 해당사항 없음 132-4DUC51016CFA2 EAR99 8543.70.9860 20 운동식 다리 다리 4 IGBT - - - 1200V
2DUC51008DXE1 Tamura 2DUC51008DXE1 77.8500
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 ECAD 87 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 방역 기준기준 2DUC51008 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13V ~ 28V 기준기준 - RoHS 준수 해당사항 없음 132-2DUC51008DXE1 EAR99 8542.39.0001 30 운동식 다리 다리 2 IGBT - - -
2DUD51008CFP3 Tamura 2DUD51008CFP3 -
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 ECAD 3132 0.00000000 타무라 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 방역 기준기준 2DUD51008 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13V ~ 28V 기준기준 - RoHS 준수 해당사항 없음 132-2DUD51008CFP3 EAR99 8542.39.0001 20 운동식 다리 다리 2 IGBT - - - 1200V
2DUD51008DXE1 Tamura 2DUD51008DXE1 -
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 ECAD 6088 0.00000000 타무라 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 방역 기준기준 2DUD51008 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13V ~ 28V 기준기준 - RoHS 준수 해당사항 없음 132-2DUD51008DXE1 EAR99 8542.39.0001 30 운동식 다리 다리 2 IGBT - - -
2DU150806CM Tamura 2DU150806CM -
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 ECAD 1394 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 2DU150806 문제가 발생하지 않았습니다 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 25
2DU150606CM Tamura 2DU150606CM -
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 ECAD 1813년 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 2DU150606 문제가 발생하지 않았습니다 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8542.39.0001 25
2CG010DBC12N Tamura 2CG010DBC12N 73.2700
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 ECAD 2579 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 스루홀 기준기준 2CG010 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13V ~ 28V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8543.70.9860 30 반응 다리 다리 2 IGBT, SiC MOSFET 1.65V, 3.85V 500ns, 500ns
2DU180506MR01 Tamura 2DU180506MR01 161.6000
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 ECAD 13 0.00000000 타무라 - 대부분 활동적인 -25°C ~ 85°C 방역 기준기준 2DU180506 - 문제가 발생하지 않았습니다 5V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8543.70.9860 20 반응 다리 다리 2 SiC MOSFET 0.8V, 8V 20mA, - 500ns, 500ns
2DU180206MR02 Tamura 2DU180206MR02 161.6000
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 ECAD 20 0.00000000 타무라 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 방역 기준기준 2DU180206 - 문제가 발생하지 않았습니다 5V 기준기준 - ROHS3 준수 해당사항 없음 132-2DU180206MR02 EAR99 8543.70.9860 20 반응 다리 다리 2 IGBT, SiC MOSFET - - 500ns, 500ns
2DM180206CM Tamura 2DM180206CM 118.0200
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 ECAD 77 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -30°C ~ 85°C(타) 스루홀 34-DIP 모듈, 31리드 2DM180206 - 문제가 발생하지 않았습니다 15V ~ 24V 0502 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8542.39.0001 25 반응 다리 다리 2 N채널 MOSFET 0.8V, 2V - -
2DU180206MR04 Tamura 2DU180206MR04 161.6000
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 ECAD 4 0.00000000 타무라 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 방역 기준기준 2DU180206 - 문제가 발생하지 않았습니다 5V 기준기준 - ROHS3 준수 해당사항 없음 132-2DU180206MR04 EAR99 8542.39.0001 20 반응 다리 다리 2 IGBT, SiC MOSFET - - 500ns, 500ns
2DU180506MR02 Tamura 2DU180506MR02 161.6000
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 ECAD 17 0.00000000 타무라 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C 방역 기준기준 2DU180506 - 문제가 발생하지 않았습니다 5V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 132-2DU180506MR02 EAR99 8473.30.1180 20 반응 다리 다리 2 SiC MOSFET 0.8V, 2V 20mA, - 500ns, 500ns
2DUC51008CXE1 Tamura 2DUC51008CXE1 77.8500
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 ECAD 113 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 방역 기준기준 2DUC51008 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13V ~ 28V 기준기준 - RoHS 준수 해당사항 없음 132-2DUC51008CXE1 EAR99 8542.39.0001 30 운동식 다리 다리 2 IGBT - - - 1200V
2CG010BBC11N Tamura 2CG010BBC11N 73.2700
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 ECAD 593 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 스루홀 기준기준 2CG010 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13V ~ 28V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 132-2CG010BBC11N EAR99 8543.90.8885 30 반응 다리 다리 2 IGBT, SiC MOSFET 1.65V, 3.85V 500ns, 500ns
2DU180206MR01 Tamura 2DU180206MR01 161.6000
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 ECAD 14 0.00000000 타무라 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C 방역 기준기준 2DU180206 - 문제가 발생하지 않았습니다 5V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 132-2DU180206MR01 EAR99 8504.90.7500 20 반응 다리 다리 2 SiC MOSFET 0.8V, 2V 20mA, - 500ns, 500ns
2DU180506MR03 Tamura 2DU180506MR03 161.6000
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 ECAD 11 0.00000000 타무라 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C 방역 기준기준 2DU180506 - 문제가 발생하지 않았습니다 5V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8542.39.0001 20 반응 다리 다리 2 SiC MOSFET 0.8V, 2V 20mA, - 500ns, 500ns
2DU180506MR04 Tamura 2DU180506MR04 161.6000
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 ECAD 40 0.00000000 타무라 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 방역 기준기준 2DU180506 - 문제가 발생하지 않았습니다 5V 기준기준 - ROHS3 준수 해당사항 없음 132-2DU180506MR04 EAR99 8543.70.9860 20 반응 다리 다리 2 IGBT, SiC MOSFET - - 500ns, 500ns
2CG010BBC13N Tamura 2CG010BBC13N 73.2700
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 ECAD 3683 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 스루홀 기준기준 2CG010 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13V ~ 28V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 132-2CG010BBC13N EAR99 8543.90.8885 30 반응 다리 다리 2 IGBT, SiC MOSFET 1.65V, 3.85V 500ns, 500ns
2DMB51008CC Tamura 2DMB51008CC -
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 ECAD 6980 0.00000000 타무라 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C 스루홀 기준기준 2DMB51008 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 3V ~ 5.5V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 132-2DMB51008CC EAR99 8542.39.0001 120 반응 다리 다리 2 IGBT, SiC MOSFET - 5mA, - 500ns, 500ns
2DMB80206CC Tamura 2DMB80206CC -
보상요청
 ECAD 9185 0.00000000 타무라 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C 스루홀 기준기준 2DMB80206 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 3V ~ 5.5V 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 132-2DMB80206CC EAR99 8542.39.0001 120 반응 다리 다리 2 IGBT, SiC MOSFET - 5mA, - 500ns, 500ns
4DUC51016CFA1 Tamura 4DUC51016CFA1 157.9100
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 ECAD 60 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 방역 기준기준 4DUC51016 비반전 문제가 발생하지 않았습니다 13V ~ 28V 기준기준 - RoHS 준수 해당사항 없음 132-4DUC51016CFA1 EAR99 8543.70.9860 20 운동식 다리 다리 4 IGBT - - - 1200V
2DM180506CM Tamura 2DM180506CM 118.0200
보상요청
 ECAD 96 0.00000000 타무라 - 쟁반 활동적인 -30°C ~ 85°C(타) 스루홀 34-DIP 모듈, 31리드 2DM180506 - 문제가 발생하지 않았습니다 15V ~ 24V 0502 다운로드 RoHS 준수 해당사항 없음 EAR99 8542.39.0001 25 반응 다리 다리 2 N채널 MOSFET 0.8V, 2V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
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