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![]() | MT29F256G08CBCBBJ4-37 : b | - | ![]() | 3491 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT46H128M16LFB7-5 WT : B TR | - | ![]() | 6402 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-VFBGA | MT46H128M16 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 60-VFBGA (10x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 5 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT29F64G08ABEBBH6-12 : B TR | - | ![]() | 8892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 152-VBGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83MHz | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | |||
![]() | N25Q128A13TSF40G | - | ![]() | 6519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | N25Q128A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 108 MHz | 비 비 | 128mbit | 플래시 | 32m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
![]() | MT47H16M16BG-37E : B TR | - | ![]() | 7262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-FBGA | MT47H16M16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 500 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT44K32M36RB-083F : a | - | ![]() | 4061 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K32M36 | rldram 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 1.125gbit | 6.67 ns | 음주 | 32m x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | MT29F256G08AUAAAC5-ITZ : A TR | - | ![]() | 3942 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 52-VLGA | MT29F256G08 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT46V32M8P-6T IT : G TR | - | ![]() | 9051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT44K16M36RB-107E : b | 46.0350 | ![]() | 8109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-TBGA | MT44K16M36 | 음주 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,190 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 8 ns | 음주 | 16m x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | M29F400BT90N6T TR | - | ![]() | 5976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29F400 | 플래시 - 아니오 | 4.5V ~ 5.5V | 48-tsop | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 비 비 | 4mbit | 90 ns | 플래시 | 512k x 8, 256k x 16 | 평행한 | 90ns | |||
![]() | M29W320EB70ZE6E | - | ![]() | 6433 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | M29W320 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 비 비 | 32mbit | 70 ns | 플래시 | 4m x 8, 2m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | MT29F4G08BABWP-ET TR | - | ![]() | 1143 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||
N25Q512A83G1241F TR | - | ![]() | 4734 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | N25Q512A83 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 128m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
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![]() | M29W640GH70ZS6F TR | - | ![]() | 5607 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | M29W640 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | ||||
![]() | MT53D768M32D2DS-046 WT ES : a | - | ![]() | 3645 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D768 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | 쓸모없는 | 1,360 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 24gbit | 음주 | 768m x 32 | - | - | ||||||||||
![]() | MT53B4DBNQ-DC TR | - | ![]() | 8144 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 200-VFBGA | MT53B4 | sdram- 모바일 lpddr4 | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 음주 | ||||||||||
![]() | MT45W2MW16PAFA-85 WT | - | ![]() | 9752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 48-VFBGA | MT45W2MW16 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 48-VFBGA (6x8) | 다운로드 | rohs 비준수가 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 32mbit | 85 ns | psram | 2m x 16 | 평행한 | 85ns | |||
![]() | MT48LC16M4A2TG-75 : G TR | - | ![]() | 1622 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC16M4A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | rohs 비준수가 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 4 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT47H32M16NF-187E : H TR | - | ![]() | 5868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 350 ps | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
MT29F1G08ABAEAWP-AATX : E TR | 3.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F1G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | 평행한 | - | |||||
![]() | MT62F1536M32D4DS-026 AAT : B TR | 47.8950 | ![]() | 6055 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 557-MT62F1536M32D4DS-026AAT : BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53D512M32D2NP-046 AAT ES : D. | - | ![]() | 6648 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 512m x 32 | - | - | |||||
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES : D TR | - | ![]() | 6189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 432-VFBGA | MT53D1024 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | 432-VFBGA (15x15) | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 64gbit | 음주 | 1G X 64 | - | - | |||||
MT53E1G16D1FW-046 AAT : a | 15.9600 | ![]() | 6318 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4x | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | 다운로드 | 557-MT53E1G16D1FW-046AAT : a | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 3.5 ns | 음주 | 1g x 16 | 평행한 | 18ns | ||||||||
![]() | MT48LC16M16A2P-6A XIT : g | - | ![]() | 6287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,080 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | MT29F4G08ABBDAH4-IT : D TR | 5.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 플래시 - NAND | 1.7V ~ 1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 비 비 | 4gbit | 플래시 | 512m x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT53B512M64D8HR-053 WT ES : B TR | - | ![]() | 7482 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 512m x 64 | - | - | |||||
MT48LC8M16LFB4-8 IT : G TR | - | ![]() | 8094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48LC8M16 | sdram- 모바일 lpsdr | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 7 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | MT58L256L36DS-6 | 8.5300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | MT58L256L36 | sram- 동기 | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 다운로드 | rohs 비준수가 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 3.5 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고