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![]() | MT62F1G32D2DS-023 AIT : c | 29.0250 | ![]() | 8414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 상자 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AIT : c | 1 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 32gbit | 음주 | 1g x 32 | 평행한 | - | ||||||||
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![]() | mtfc128gasaons-ait | 67.0200 | ![]() | 5169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q104 | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 153-TFBGA | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 557-MTFC128GASAONS-AIAT | 1 | 52MHz | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | M29W640FT70N6E | - | ![]() | 9882 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | M29W640 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 비 비 | 64mbit | 70 ns | 플래시 | 8m x 8, 4m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
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![]() | MT29F64G08AECABJ1-10Z : a | - | ![]() | 8239 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 132-VBGA | MT29F64G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100MHz | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MTFC256GASAONS-IT | 111.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 153-TFBGA | MTFC256 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | -791-MTFC256GASAONS-IT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 52MHz | 비 비 | 2tbit | 플래시 | 256g x 8 | UFS2.1 | - | ||
![]() | MT52L256M32D1PU-107 WT : B TR | - | ![]() | 6952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT52L256 | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.2V | - | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 256m x 32 | - | - | |||||||
![]() | MT62F512M128D8TE-031 XT : b | 68.0400 | ![]() | 7066 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | 활동적인 | - | 557-MT62F512M128D8TE-031XT : b | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | M58LT128KST8ZA6E | - | ![]() | 2815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-TBGA | M58LT128 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 64-TBGA (10x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52MHz | 비 비 | 128mbit | 85 ns | 플래시 | 8m x 16 | 평행한 | 85ns | |||
![]() | MTFC16GAKAEEF-O1 AIT | - | ![]() | 2231 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 169-TFBGA | MTFC16 | 플래시 - NAND | - | 169-TFBGA (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K | - | ![]() | 3010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | MT29VZZZAD9 | - | Rohs3 준수 | 557-MT29VZZZAD9FQFSM-046W.G9K | 쓸모없는 | 152 | ||||||||||||||||||
![]() | MT41K512M8DA-107 IT : P TR | 5.7000 | ![]() | 9214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT41K512M8 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | MT41K512M8DA-107IT : PTR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
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