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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT53B2DANL-DC Micron Technology Inc. MT53B2DANL-DC -
RFQ
 ECAD 6571 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 - - sdram- 모바일 lpddr4 - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 960 휘발성 휘발성 음주
MT45W1MW16BDGB-708 AT TR Micron Technology Inc. TR w MT45W1MW16BDGB-708 -
RFQ
 ECAD 7934 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA MT45W1MW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns psram 1m x 16 평행한 70ns
MT29F16G08CBACBWP-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACBWP-12 : C TR -
RFQ
 ECAD 5421 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
M50FW080K5TG TR Micron Technology Inc. M50FW080K5TG TR -
RFQ
 ECAD 1056 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LCC (J-Lead) M50FW080 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 750 33MHz 비 비 8mbit 250 ns 플래시 1m x 8 평행한 -
RC48F4400P0VB0E4 Micron Technology Inc. RC48F4400P0VB0E4 -
RFQ
 ECAD 8802 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA RC48F4400 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 144 52MHz 비 비 512mbit 100 ns 플래시 32m x 16 평행한 100ns
NAND02GW3B2DZA6E Micron Technology Inc. NAND02GW3B2DZA6E -
RFQ
 ECAD 2107 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-TFBGA NAND02G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9.5x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -Nand02gw3b2dza6e 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 2gbit 25 ns 플래시 256m x 8 평행한 25ns
MT49H16M36BM-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-25 : b -
RFQ
 ECAD 1757 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H16M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-µBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0032 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 16m x 36 평행한 -
MT29F256G08CJAABWP-12:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAABWP-12 : a -
RFQ
 ECAD 5553 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-37 : b -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
M25PX64SOVZM6TP TR Micron Technology Inc. M25PX64SOVZM6TP TR -
RFQ
 ECAD 2377 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA M25PX64 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 75MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT40A512M8RH-075E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E IT : B TR -
RFQ
 ECAD 3452 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A512M8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 512m x 8 평행한 -
MTFC32GAPALBH-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GAPALBH-AAT -
RFQ
 ECAD 2868 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC32G 플래시 - NAND - 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT40A512M16Z11BWC1 Micron Technology Inc. MT40A512M16Z11BWC1 9.0100
RFQ
 ECAD 4406 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 - 표면 표면 주사위 MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 웨이퍼 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 평행한 -
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-ite : G TR 2.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F2G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
PC28F128G18FF TR Micron Technology Inc. PC28F128G18FF TR -
RFQ
 ECAD 7926 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 64-TBGA PC28F128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 64-EASYBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 128mbit 96 ns 플래시 8m x 16 평행한 96ns
MT46V128M4P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V128M4P-6T : f -
RFQ
 ECAD 7395 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MTFC16GAPALBH-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAPALBH-AAT TR 19.2750
RFQ
 ECAD 1720 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-TFBGA MTFC16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.9V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
MT53E128M32D2FW-046 AUT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AUT : a 8.7450
RFQ
 ECAD 9329 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E128M32D2FW-046AUT : a 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 128m x 32 평행한 18ns
MT46V32M16P-5B AIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B AIT : J TR -
RFQ
 ECAD 6918 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT48LC4M16A2TG-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-75 IT : G TR -
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
NAND128W3A0BN6E Micron Technology Inc. NAND128W3A0BN6E -
RFQ
 ECAD 4710 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) NAND128 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 50 ns 플래시 16m x 8 평행한 50ns
M25PX16-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M25PX16-VMW6TG TR -
RFQ
 ECAD 8787 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M25PX16 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8- w 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F128G08CBCABH6-6:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABH6-6 : a -
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
EDY4016AABG-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDY4016AABG-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA edy4016 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-75 IT : g -
RFQ
 ECAD 6867 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 15ns
MT48LC16M16A2P-7E L:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E L : D. -
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 14ns
MT46H32M32LFB5-5 AT:B Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-5 at : b -
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-AATES : f -
RFQ
 ECAD 1186 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
EMFA232A2PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFA232A2PF-DV-FD -
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 EMFA232 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,680
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HW-25E AAT : G TR -
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA MT47H32M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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