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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT46H16M32LFT67M-N1003	-	RFQ	9986	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는	-			MT46H16M32	sdram- 모바일 lpddr	1.7V ~ 1.95V		-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	쓸모없는	0000.00.0000	1		휘발성 휘발성	512mbit		음주	16m x 32	평행한
MT46V32M16CY-5B AIT : J.	-	RFQ	4796	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	60-FBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0036	1,368	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
JS48F4400P0VB00A	-	RFQ	4529	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS48F4400p	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	96	40MHz	비 비	512mbit	85 ns	플래시	32m x 16	평행한	85ns
MT41K256M4JP-15E : G TR	-	RFQ	1648	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	78-TFBGA	MT41K256M4	sdram -ddr3	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (8x11.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		귀 99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	휘발성 휘발성	1gbit	13.5 ns	음주	256m x 4	평행한	-
M29W040B90K6	-	RFQ	4653	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	32-LCC (J-Lead)	M29W040	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	32-PLCC (11.35x13.89)	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0071	32		비 비	4mbit	90 ns	플래시	512k x 8	평행한	90ns
MT29F64G08AEEDBJ4-12 : d	-	RFQ	6386	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	132-VBGA	MT29F64G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	쓸모없는	0000.00.0000	1,120	83MHz	비 비	64gbit		플래시	8g x 8	평행한	-
MT29F2G08ABAEAWP-ATX : e	-	RFQ	4616	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	MT29F2G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	쓸모없는	0000.00.0000	960		비 비	2gbit		플래시	256m x 8	평행한	-
M36L0R7050B4ZAQF TR	-	RFQ	9309	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				M36L0R7050				-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		3A991B1A	8542.32.0071	2,500
MT47H32M16CC-5E L : b	-	RFQ	6485	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H32M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (12x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0024	1,000	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	600 ps	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT46V32M16P-5B AIT : J.	-	RFQ	1750	Micron Technology Inc.	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT46V32M16	sdram -ddr	2.5V ~ 2.7V	66-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0036	1,080	200MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT29F8G16ABBCAH4-IT : C.	-	RFQ	2733	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F8G16	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	1,260		비 비	8gbit		플래시	512m x 16	평행한	-
MT28F320J3FS-11을 만났다	-	RFQ	2301	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-FBGA	MT28F320J3	플래시	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (10x13)	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	32mbit	110 ns	플래시	4m x 8, 2m x 16	평행한	-
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES : E TR	-	RFQ	2760	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	556-WFBGA	MT53D512	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	556-WFBGA (12.4x12.4)	-		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	휘발성 휘발성	32gbit		음주	512m x 64	-	-
MT42L128M32D1LF-25 WT : A TR	-	RFQ	8471	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	168-WFBGA	MT42L128M32	sdram- 모바일 lpddr2	1.14V ~ 1.3V	168-FBGA (12x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0036	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	4gbit		음주	128m x 32	평행한	-
MT29F1G01AAADDH4-ITX : D TR	-	RFQ	7275	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	MT29F1G01	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	1,000		비 비	1gbit		플래시	1g x 1	SPI	-
M25P80-VMP6T TR	-	RFQ	5400	Micron Technology Inc.	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	M25P80	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-vdfpn (6x5) (MLP8)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0071	4,000	75MHz	비 비	8mbit		플래시	1m x 8	SPI	15ms, 5ms
M25P64-VMF6P	-	RFQ	7689	Micron Technology Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	M25P64	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	50	50MHz	비 비	64mbit		플래시	8m x 8	SPI	15ms, 5ms
PC28F256P30BFB TR	-	RFQ	8357	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-TBGA	PC28F256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	64-ESYBGA (10x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	52MHz	비 비	256mbit	100 ns	플래시	16m x 16	평행한	100ns
JS28F512M29ewlb tr	-	RFQ	7766	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F512M29	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	1,600		비 비	512mbit	110 ns	플래시	64m x 8, 32m x 16	평행한	110ns
JS28F128J3F75D TR	-	RFQ	7424	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F128J3	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		비 비	128mbit	75 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	75ns
MT46V32M16FN-6 IT : c	-	RFQ	4399	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	60-TFBGA	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (10x12.5)	-	rohs 비준수	5 (48 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
MT29F32G08ABCABH1-10 : A TR	-	RFQ	3849	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	100-VBGA	MT29F32G08	플래시 - NAND	2.7V ~ 3.6V	100-VBGA (12x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100MHz	비 비	32gbit		플래시	4G X 8	평행한	-
MT48LC64M4A2P-7E : d	-	RFQ	3268	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)	MT48LC64M4A2	sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	5.4 ns	음주	64m x 4	평행한	14ns
MT47H64M16HR-25E L : G.	-	RFQ	8584	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	84-TFBGA	MT47H64M16	sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0032	1,000	400MHz	휘발성 휘발성	1gbit	400 PS	음주	64m x 16	평행한	15ns
MT48LC8M32B2B5-7 TR	-	RFQ	9761	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	90-VFBGA	MT48LC8M32B2	sdram	3V ~ 3.6V	90-VFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0024	1,000	143 MHz	휘발성 휘발성	256mbit	6 ns	음주	8m x 32	평행한	14ns
MTFC32GAKAEDQ-AAT	-	RFQ	1074	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	100-lbga	MTFC32G	플래시 - NAND	-	100-lbga (14x18)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	980		비 비	256gbit		플래시	32g x 8	MMC	-
ECB440ABBCN-Y3	-	RFQ	6616	Micron Technology Inc.	-	대부분	쓸모없는								-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	쓸모없는		1
JS28F320C3BD70A	-	RFQ	7083	Micron Technology Inc.	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	JS28F320C3	플래시 - 블록 부트	2.7V ~ 3.6V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	3A991B1A	8542.32.0071	576		비 비	32mbit	70 ns	플래시	2m x 16	평행한	70ns
MT53D384M32D2DS-053 WT ES : E TR	-	RFQ	6949	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	표면 표면	200-WFBGA	MT53D384	sdram- 모바일 lpddr4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	휘발성 휘발성	12gbit		음주	384m x 32	-	-
MT44K32M36RB-107E IT : A TR	-	RFQ	7246	Micron Technology Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	표면 표면	168-TBGA	MT44K32M36	rldram 3	1.28V ~ 1.42V	168-BGA (13.5x13.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	휘발성 휘발성	1.125gbit	8 ns	음주	32m x 36	평행한	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (10403)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²