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![]() | MT53D4DANY-DC TR | - | ![]() | 7245 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | MT53D4 | sdram- 모바일 lpddr4 | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,000 | 휘발성 휘발성 | 음주 | ||||||||||
![]() | MT53B384M16D1NK-062 WT ES : b | - | ![]() | 3629 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 6gbit | 음주 | 384m x 16 | - | - | |||||
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MT29F128G08CFAAAWP : A TR | - | ![]() | 3979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | MT29F128G08 | 플래시 - NAND | 2.7V ~ 3.6V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | 평행한 | - | ||||||
![]() | N25Q032A13EF840F TR | - | ![]() | 6497 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | N25Q032A13 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (mlp8) (8x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 8m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
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![]() | MTFC64GAJAEDQ-AAT | - | ![]() | 6783 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lbga | MTFC64 | 플래시 - NAND | - | 100-lbga (14x18) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT48LC16M16A2B4-6A IT : G TR | 7.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-VFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 12ns | ||
![]() | MT53B256M64D2NW-062 WT : C. | - | ![]() | 4506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 256m x 64 | - | - | |||
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MT40A2G4SA-075 C : e | - | ![]() | 5780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A2G4 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 557-MT40A2G4SA-075C : e | 쓸모없는 | 1,260 | 1.33 GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 19 ns | 음주 | 2G X 4 | 평행한 | 15ns | ||||
MT46V64M8CY-5B : J. | 5.8283 | ![]() | 4247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | ECF840AACN-C1-Y3 | - | ![]() | 2530 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | ECF840A | sdram- 모바일 lpddr3 | 1.14V ~ 1.95V | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1 | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 512m x 16 | 평행한 | - | |||||||||
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![]() | MT53D4D1ASQ-DC | - | ![]() | 5547 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | MT53D4 | - | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,360 | |||||||||||||||||||
![]() | MT46H1DAMA-DC TR | - | ![]() | 6391 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | MT46H1D | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
![]() | MT40A2G4PM-083E : a | - | ![]() | 3000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A2G4 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x13.2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 음주 | 2G X 4 | 평행한 | - | |||
MT40A2G8FSE-083E : a | - | ![]() | 7644 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | MT40A2G8 | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.2GHz | 휘발성 휘발성 | 16gbit | 음주 | 2G X 8 | 평행한 | - | ||||
![]() | MT48H16M16LFBF-75 IT : G TR | - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | MT48H16M16 | sdram- 모바일 lpsdr | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (8x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT53E768M64D4HJ-046 AAT : a | - | ![]() | 4983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 556-TFBGA | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.06V ~ 1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | Rohs3 준수 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT : a | 쓸모없는 | 1 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 48gbit | 3.5 ns | 음주 | 768m x 64 | 평행한 | 18ns | |||||
![]() | MT53E768M64D4SQ-046 AIT : a | - | ![]() | 5518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E768 | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.1V | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | MT53E768M64D4SQ-046AIT : a | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 휘발성 휘발성 | 48gbit | 음주 | 768m x 64 | - | - | ||||||
![]() | MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT | - | ![]() | 9007 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 130-VFBGA | MT29C4G48 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,782 | 208 MHz | 비 비, 휘발성 | 4GBIT (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (lpdram) | 평행한 | - | |||
![]() | MT46V32M8TG-75 L : G. | - | ![]() | 4880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-tsop | 다운로드 | rohs 비준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 750 ps | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | MT47H128M8BT-5E : a | - | ![]() | 9559 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 92-TFBGA | MT47H128M8 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 92-FBGA (11x19) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 5 (48 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 600 ps | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | N25Q032A11ESEA0F TR | - | ![]() | 9690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | N25Q032A11 | 플래시 - 아니오 | 1.7V ~ 2V | 8-SOP2 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 108 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 8m x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
![]() | MT47H16M16BG-3 : B TR | - | ![]() | 6924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 84-FBGA | MT47H16M16 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 450 ps | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | M25P16-VMN6TP TR | - | ![]() | 5326 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | M25P16 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | SPI | 15ms, 5ms | |||
![]() | MT62F2G64D8CL-023 WT : B TR | 74.4900 | ![]() | 6617 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | sdram -ddr5 | 1.05V | - | - | 557-MT62F2G64D8CL-023WT : BTR | 2,500 | 4.266 GHz | 휘발성 휘발성 | 128gbit | 음주 | 2G X 64 | lvstl | - | ||||||||
![]() | MT29C1G12MAADYAML-5 IT | - | ![]() | 9525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | MT29C1G12 | 플래시 -Nand, n lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 153-VFBGA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200MHz | 비 비, 휘발성 | 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) | 플래시, 램 | 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) | 평행한 | - |
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