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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT41K256M8DA-107 IT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107 IT : K TR -
RFQ
 ECAD 7395 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K256M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 -
MT29F2T08ELLCEG7-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLCEG7-R : C TR 60.5400
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 557-MT29F2T08ELLCEG7-R : CTR 2,000
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT ES : E TR -
RFQ
 ECAD 6949 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 휘발성 휘발성 12gbit 음주 384m x 32 - -
MT53E2G32D8QD-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D8QD-046 WT : E TR -
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E Micron Technology Inc. mt29f1g08abaeawp-aitx : e 3.5100
RFQ
 ECAD 948 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADBFAH4-AAT : F TR 8.2061
RFQ
 ECAD 5336 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F8G08 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 MT29F8G08ADBFAH4-AAT : FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT51K128M32HF-60 N:B TR Micron Technology Inc. MT51K128M32HF-60 N : B TR -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 170-TFBGA MT51K128 sgram -gddr5 - 170-FBGA (12x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 8542.32.0071 2,000 1.5GHz 휘발성 휘발성 4gbit 숫양 128m x 32 평행한 -
MT29F16G08ADACAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ADACAH4-IT : c -
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -MT29F16G08ADACAH4-IT : c 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMCBBH7-6IT : B TR -
RFQ
 ECAD 1649 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
M25PX16-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25PX16-VMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 7057 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PX16 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
M29W256GH70ZS6E Micron Technology Inc. M29W256GH70ZS6E -
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga M29W256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 960 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8, 16m x 16 평행한 70ns
MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K Micron Technology Inc. MT29F1T08ELKEJ4-ITF : k 36.9000
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 활동적인 - 557-MT29F1T08ELKEJ4-ITF : k 1
MT53D2G32D8QD-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-062 WT : D TR -
RFQ
 ECAD 6529 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D2G32 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 1.6GHz 휘발성 휘발성 64gbit 음주 2G X 32 - -
MT47H512M4THN-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-3 : E TR -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 63-TFBGA MT47H512M4 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0036 2,000 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 512m x 4 평행한 15ns
MT41K512M8DA-107 V:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 V : P. 7.6884
RFQ
 ECAD 8926 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,440 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 -
MT46V128M4P-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V128M4P-5B : J TR -
RFQ
 ECAD 8588 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V128M4 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 128m x 4 평행한 15ns
MT48LC32M8A2P-75 L:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-75 L : D. -
RFQ
 ECAD 8448 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC32M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 15ns
MT46V64M8TG-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-75 : D TR -
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop - rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 750 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT52L256M32D1PF-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-107 WT : b 15.1400
RFQ
 ECAD 976 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,890 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 256m x 32 - -
MT41K64M16JT-125:G TR Micron Technology Inc. MT41K64M16JT-125 : G TR -
RFQ
 ECAD 8153 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K64M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 13.75 ns 음주 64m x 16 평행한 -
MT46H32M32LFJG-6 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFJG-6 IT : A TR -
RFQ
 ECAD 1134 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT46H32M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 32m x 32 평행한 15ns
MT45W256KW16PEGA-70 WT TR Micron Technology Inc. MT45W256KW16PEGA-70 WT TR -
RFQ
 ECAD 8830 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 48-VFBGA MT45W256KW16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 70 ns psram 256k x 16 평행한 70ns
MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 6499 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-VFBGA MT29C4G96 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 4GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) 플래시, 램 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGCBBG1-37ES : B TR -
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 ECAD 7736 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 272-VFBGA MT29F1T208 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 272-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 1.125tbit 플래시 144g x 8 평행한 -
MT46V32M4TG-75:D Micron Technology Inc. MT46V32M4TG-75 : d -
RFQ
 ECAD 8843 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT46V32M4 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-tsop 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 750 ps 음주 32m x 4 평행한 15ns
MT61K256M32JE-12:A Micron Technology Inc. MT61K256M32JE-12 : a -
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 180-TFBGA MT61K256 sgram -gddr6 1.31V ~ 1.39V 180-FBGA (12x14) 다운로드 귀 99 8542.32.0071 1,260 1.5GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
N25Q064A13ESE40G Micron Technology Inc. N25Q064A13ESE40G -
RFQ
 ECAD 9477 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) N25Q064A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 비 비 64mbit 플래시 16m x 4 SPI 8ms, 5ms
MTFC128GAOANEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAOANEA-WT TR -
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MTFC128 플래시 - NAND - - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 MMC -
MT28F800B5SG-8 T Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 T -
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) MT28F800B5 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 8mbit 80 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 80ns
MT47H128M8HQ-3:G TR Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-3 : G TR -
RFQ
 ECAD 7401 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-FBGA MT47H128M8 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 6 (레이블 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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