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통합 통합 (ICS) (10403)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBH7-12 : B TR -
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-TBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.5V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F1G08ABAFAM78A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAM78A3WC1 -
RFQ
 ECAD 2643 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F1G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 평행한 -
M29W128GL90N6E Micron Technology Inc. M29W128GL90N6E -
RFQ
 ECAD 1419 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29W128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 90 ns 플래시 16m x 8, 8m x 16 평행한 90ns
MT46H16M32LFB5-6 IT:C Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-6 IT : c -
RFQ
 ECAD 1858 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 16m x 32 평행한 15ns
MT48LC4M32B2F5-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2F5-6 : G TR -
RFQ
 ECAD 6763 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 rohs 비준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-ITS : E TR 4.5900
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 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F4G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 평행한 -
MTFC32GJWEF-4M AIT Z Micron Technology Inc. MTFC32GJWEF-4M AIT Z -
RFQ
 ECAD 3086 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 169-TFBGA MTFC32G 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 169-TFBGA (14x18) - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 980 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
MT53E1G32D2FW-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AAT : C TR -
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 ECAD 6418 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046AAT : CTR 1 2.133 GHz 휘발성 휘발성 32gbit 3.5 ns 음주 1g x 32 평행한 18ns
MT58L64L18DT-10TR Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-10TR 7.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2B 8542.32.0041 500 100MHz 휘발성 휘발성 1mbit 5 ns SRAM 64k x 18 평행한 -
MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 MT25QU128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 8-wpdfn (6x5) (MLP8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT29C1G12MAACYAKD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MaacyAKD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 3561 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 137-TFBGA MT29C1G12 플래시 -Nand, n lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비, 휘발성 1GBIT (NAND), 512MBIT (LPDRAM) 플래시, 램 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) 평행한 -
MT29C2G24MAAAAHAKC-5 IT Micron Technology Inc. MT29C2G24MAAAAAKC-5 IT -
RFQ
 ECAD 4611 0.00000000 Micron Technology Inc. - 상자 쓸모없는 MT29C2G24M - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1
M25P16-VMW6G Micron Technology Inc. M25P16-VMW6G -
RFQ
 ECAD 1061 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) M25P16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- w 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,800 75MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E AUT : B TR -
RFQ
 ECAD 3313 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A256M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B Micron Technology Inc. MT29F6T08ETHBBM5-3R : b -
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F6T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 비 비 6tbit 플래시 768g x 8 평행한 -
MT53E1G64D4NW-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NW-046 WT : c 47.0400
RFQ
 ECAD 3314 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 표면 표면 432-VFBGA MT53E1 432-VFBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 557-MT53E1G64D4NW-046WT : c 1,360
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4-AITX : e -
RFQ
 ECAD 2223 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F1G16 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 비 비 1gbit 플래시 64m x 16 평행한 -
M25PX80-VMP6TG0Y TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0Y TR -
RFQ
 ECAD 6181 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-vdfn d 패드 M25PX80 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 4,000 75MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 SPI 15ms, 5ms
MT25QU02GCBB8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU02GCBB8E12-0SIT 34.7400
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 ECAD 643 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25QU02 플래시 - 아니오 1.7V ~ 2V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT58L512L18PT-10 Micron Technology Inc. MT58L512L18pt-10 -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Micron Technology Inc. SyncBurst ™ 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 3A991B2A 8542.32.0041 1 100MHz 휘발성 휘발성 8mbit 5 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29E128G08CECABJ1-10Z : a -
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 Micron Technology Inc. - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT25TL512BBA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL512BBA8E12-0AAT TR 13.3950
RFQ
 ECAD 5635 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA MT25TL512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-FES Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-FES 14.4300
RFQ
 ECAD 8273 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F256G08 플래시 -Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 333 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
EDW2032BBBG-60-F-D Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-60-FD -
RFQ
 ECAD 6094 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 170-TFBGA EDW2032 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.65V 170-FBGA (12x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0036 1,440 1.5GHz 휘발성 휘발성 2gbit 숫양 64m x 32 평행한 -
MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR Micron Technology Inc. MT29E128G08CECDBJ4-6 : D TR -
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29E128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT25QL128ABA1ESE-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1ESE-0SIT 4.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) MT25QL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 -mt25ql128aba1ese-0sit 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 SPI 8ms, 2.8ms
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D384M16D1NP-046 XT ES : D TR -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D384 sdram- 모바일 lpddr4 1.1V - 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 휘발성 휘발성 6gbit 음주 384m x 16 - -
MT41J128M16HA-125G:D Micron Technology Inc. MT41J128MA-125G : d -
RFQ
 ECAD 3398 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41J128M16 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.75 ns 음주 128m x 16 평행한 -
M29W640GSH70ZF6E Micron Technology Inc. M29W640GSH70ZF6E -
RFQ
 ECAD 5974 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA M29W640 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 136 비 비 64mbit 70 ns 플래시 8m x 8, 4m x 16 평행한 70ns
MT46V32M16CV-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CV-5B : J TR -
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.32.0024 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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