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M29F040B70N1T TR Micron Technology Inc. M29F040B70N1T TR -
RFQ
ECAD 5593 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F040 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 32-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,500 비 비 4mbit 70 ns 플래시 512k x 8 평행한 70ns
MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR Micron Technology Inc. Mt28ew512aba1lpc-1sit tr -
RFQ
ECAD 7948 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga MT28ew512 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 512mbit 95 ns 플래시 64m x 8, 32m x 16 평행한 60ns
MT53D512M16D1Z11MWC2 Micron Technology Inc. MT53D512M16D1Z11MWC2 14.9600
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ECAD 5629 0.00000000 Micron Technology Inc. * 대부분 활동적인 MT53D512 - 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1
EDB8164B4PT-1DAT-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1DAT-FD -
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ECAD 2611 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDB8164 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,680 533 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
EDF4432ACPE-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF4432ACPE-GD-FD -
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ECAD 1010 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF4432 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,520 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2TG-75 IT : C TR -
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ECAD 4212 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC64M8A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6ITR : C TR -
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ECAD 8418 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 152-lbga MT29F1T08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT29F1T08CUCCBH8-6ITR : CTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 평행한 -
MT28F400B3WG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 TET TR -
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ECAD 9304 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT28F400B3 플래시 - 아니오 3V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 비 비 4mbit 80 ns 플래시 512k x 8, 256k x 16 평행한 80ns
MT29F128G08AUCBBH3-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AUCBBH3-12 : B TR -
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ECAD 8041 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-lbga (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT46H64M32LFKQ-5 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFKQ-5 IT : C TR -
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ECAD 2321 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - MT46H64M32 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
MT46V64M8BN-6 L:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 L : F TR -
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ECAD 6285 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
MT29F4G16AACWC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16AACWC : C TR -
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ECAD 3704 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F4G16 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 4gbit 플래시 256m x 16 평행한 -
MT40A1G4RH-075E:B Micron Technology Inc. MT40A1G4RH-075E : b -
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ECAD 1551 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G4 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 1g x 4 평행한 -
MT52L256M64D2QB-125 XT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QB-125 XT : B TR -
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ECAD 5570 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - MT52L256 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V - Rohs3 준수 3 (168 시간) MT52L256M64D2QB-125XT : BTR 쓸모없는 0000.00.0000 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 256m x 64 - -
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E AUT : B TR -
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ECAD 1152 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT40A1G8 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 1g x 8 평행한 -
MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 AT : C TR -
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ECAD 4945 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-VFBGA (8x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
MT49H8M36SJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-25E : b -
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ECAD 3627 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA MT49H8M36 음주 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 15 ns 음주 8m x 36 평행한 -
MT29F256G08CJAAAWP:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAAWP : a -
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ECAD 4452 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) Q9135013 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F256G08AUCDBJ6-6:D Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCDBJ6-6 : d -
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ECAD 6885 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-lbga MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 132-LBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
JS28F256P33T95A Micron Technology Inc. JS28F256P33T95A -
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ECAD 9911 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) JS28F256P33 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 56-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 96 40MHz 비 비 256mbit 95 ns 플래시 16m x 16 평행한 95ns
M25P10-AVMN6TPYA TR Micron Technology Inc. M25P10-AVMN6TPYA TR -
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ECAD 4411 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) M25P10 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,500 50MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 SPI 15ms, 5ms
MT29F2G08ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4 : E TR -
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ECAD 9549 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA MT29F2G08 플래시 - NAND 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 평행한 -
MT48V8M32LFB5-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48V8M32LFB5-8 IT TR -
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ECAD 8235 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48V8M32 sdram- 모바일 lpsdr 2.3V ~ 2.7V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 256mbit 7 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
MT48LC8M32B2B5-6 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2B5-6 TR -
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ECAD 9459 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-VFBGA MT48LC8M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 90-VFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 12ns
MT48H4M16LFB4-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-8 IT TR -
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ECAD 8483 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- 모바일 lpsdr 1.7V ~ 1.9V 54-VFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 125MHz 휘발성 휘발성 64mbit 6 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
MT41K512M4HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41K512M4HX-187E : d -
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ECAD 7371 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA MT41K512M4 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 13.125 ns 음주 512m x 4 평행한 -
M29F800FB55M3F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FB55M3F2 TR -
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ECAD 7455 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-SOIC (0.496 ", 12.60mm 너비) M29F800 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 44- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 500 비 비 8mbit 55 ns 플래시 1m x 8, 512k x 16 평행한 55ns
MT48LC8M16A2P-7E IT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E IT : L TR -
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ECAD 8885 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC8M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 14ns
M29F080D70N6E Micron Technology Inc. M29F080D70N6E -
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ECAD 3407 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 40-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) M29F080 플래시 - 아니오 4.5V ~ 5.5V 40-tsop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 120 비 비 8mbit 70 ns 플래시 1m x 8 평행한 70ns
MT44K32M18RB-125:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125 : A TR -
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ECAD 2596 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-TBGA MT44K32M18 음주 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 12 ns 음주 32m x 18 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고